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公开(公告)号：CN102013371B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910190152.1
申请日：2009-09-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极的表面处理方法，其包括以下步骤：提供一冷阴极，所述冷阴极包括多个一维场发射体；设置一液体胶于所述冷阴极表面；固化所述液体胶；去除冷阴极表面固化后的液体胶，以使冷阴极表面的一维场发射体竖立。
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公开(公告)号：CN102082051B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010616298.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3044 , H01J2201/3043 , H01J2201/30469 , H01J2209/0226
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管线尖端的制备方法，其包括：提供一碳纳米管线；以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦，及扫描速度小于200毫米/秒的激光烧断所述碳纳米管线，形成一锥形碳纳米管线尖端。本发明还提供一种场发射结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN102884605B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号：CN102013371A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910190152.1
申请日：2009-09-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极的表面处理方法，其包括以下步骤：提供一冷阴极，所述冷阴极包括多个一维场发射体；设置一液体胶于所述冷阴极表面；固化所述液体胶；去除冷阴极表面固化后的液体胶，以使冷阴极表面的一维场发射体竖立。
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公开(公告)号：CN102884605A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102082051A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010616298.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3044 , H01J2201/3043 , H01J2201/30469 , H01J2209/0226
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管线尖端的制备方法，其包括：提供一碳纳米管线；以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦，及扫描速度小于200毫米/秒的激光烧断所述碳纳米管线，形成一锥形碳纳米管线尖端。本发明还提供一种场发射结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN101523541B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780037455.9
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：CN101986418A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010526331.0
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器（FEDs）、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：CN101523541A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037455.9
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：US20090078561A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：US12179699
申请日：2008-07-25
Applicant: Kenneth Boh Khin Teo , Torquil Wells , William Ireland Milne , Mark Mann , Mohamed Mochtar El Gomati
Inventor： Kenneth Boh Khin Teo , Torquil Wells , William Ireland Milne , Mark Mann , Mohamed Mochtar El Gomati
CPC classification number: G01Q70/12 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J37/20 , H01J37/32009 , H01J2201/30415 , H01J2201/3043 , H01J2237/06316 , H01J2237/2001 , H01J2237/28
Abstract: This invention relates to heating apparatus and methods with particular applications for growing a nanofibre, and to nanotips fabricated by such methods and apparatus. Embodiments of the invention can be implemented to provide nanotips for electron gun sources and scanning probe microscopy. A nanotip fabrication apparatus includes a heater for heating an object in the presence of an electric field. The heater comprises: a substantially planar electrically conductive heating element configured to define at least one aperture; a support to mount the heated object such that it protrudes through said aperture; and at least one electrical connection to said heating element. In use, the heating element can be biased by said at least one electrical connection such that the electric field in the vicinity of the object is substantially perpendicular to the plane of the element.
Abstract translation: 本发明涉及具有用于生长纳米纤维的特殊应用的加热装置和方法，以及通过这些方法和装置制造的纳米技术。 本发明的实施例可以实现为电子枪源和扫描探针显微镜提供纳米尖端。 纳米尖端制造装置包括用于在存在电场的情况下加热物体的加热器。 加热器包括：基本上平面的导电加热元件，其被配置为限定至少一个孔; 用于安装加热物体使得其穿过所述孔突出的支撑件; 以及与所述加热元件的至少一个电连接。 在使用中，加热元件可以被所述至少一个电连接偏压，使得物体附近的电场基本上垂直于元件的平面。
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