公开(公告)号：CN107750477A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201680031667.5

申请日：2016-05-18

Applicant: 欧司朗有限公司

Inventor： 米夏埃尔·舍威尔 ,  彼得·黑尔比希 ,  约瑟夫·塞凯伊 ,  斯文·塞弗里茨

IPC: H05K1/02 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K1/0204 ,  F21S41/192 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/02 ,  H05K3/202 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/10113 ,  H05K2201/2036

Abstract: 本发明涉及一种用于电子电路的电路载体，包括：至少一个印制导线(22)；以及由绝缘材料(17)构成的绝缘基体，在空出用于连接电子电路的至少一个电子组件(14)的至少一个第一区域(15)的情况下利用绝缘材料注塑包封至少一个印制导线(22)；以及冷却体(18)；其中，利用第一绝缘材料(17)注塑包封至少一个印制导线(22)，使得绝缘基体(16)还空出至少一个第二区域(34)，第二区域设置在印制导线(22)与冷却体(18)之间，其中电路载体还包括多个间隔保持件(28；36)，间隔保持件设计和设置用于设定在印制导线(22)与冷却体(18)之间的第二区域(34)的高度(h1)，其中电路载体还包括第二绝缘材料(24)，利用第二绝缘材料填充第二区域(34)。本发明还涉及用于制造电子电路的这种电路载体的方法。

公开(公告)号：CN104517952B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410495957.8

申请日：2014-09-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·阿伦斯 ,  J·赫格尔 ,  M·霍伊

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/055 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/28 ,  H05K3/284 ,  H05K7/1432 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/042 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/10318 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体模块。根据本发明的一个示例该功率半导体模块具有电路板，该电路板具有布置在电路板的顶面上的结构化的第一金属结构和至少一个第二金属结构。在电路板的顶面上布置至少一个无壳体的半导体芯片，半导体芯片具有多个接触电极，这些接触电极又通过焊线与第一金属结构的相应的接触片在电路板的顶面上相连接。接触电极和相应的接触片的第一部分在运行时是高电压接通的。所有高电压接通的接触片通过内层连接与第二金属结构导电地连接。绝缘层完全覆盖芯片和围绕该芯片的电路板的分隔区域，其中所有高电压接通的接触片和内层连接被该绝缘层完全覆盖。多个接触电极和相应的接触片的第二部分在运行时处于低电压。

公开(公告)号：CN107407993A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680018258.1

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社LG ,  化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/041 ,  H01B5/00 ,  G02B1/10 ,  H01B5/14

CPC classification number: G06F3/044 ,  G02B1/10 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/028 ,  H05K3/06 ,  H05K3/46 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/09681 ,  H05K2201/2054 ,  G06F3/041 ,  H01B5/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明涉及一种传导性结构及其一种制造方法，该传导性结构包括：基板；和形成布置在基板上的屏幕部分、布线部分和垫部分的导线，其中导线包括金属层、布置在金属层上的第一防反射层和布置在第一防反射层上的第二防反射层，并且第一防反射层和第二防反射层包含氮氧化铝。另外，第二防反射层的氮原子的元素含量的特征在于该元素含量小于第一防反射层的氮原子的元素含量。

公开(公告)号：CN105246244A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510518117.3

申请日：2015-06-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  R·奥特伦巴

IPC: H05K1/05 ,  H05K7/20

CPC classification number: H05K1/036 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/032 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/007 ,  H05K3/0094 ,  H05K3/02 ,  H05K3/105 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4626 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0281 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1136 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T428/24909 ,  H05K1/05 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明涉及印刷电路板及制造其的方法。印刷电路板包括导电层和包括聚合物的电介质层，其中聚合物包括金属颗粒。

公开(公告)号：CN104335230A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380026245.5

申请日：2013-03-20

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 林雪熙

IPC: G06K19/077 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/05 ,  C25D3/14 ,  C25D3/16 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/11 ,  H05K1/117 ,  H05K1/181 ,  H05K3/244 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据实施例的存储卡的印刷电路板包括：绝缘层；在绝缘层的第一表面上的安装部件，该安装部件电连接至存储装置；以及在绝缘层的第二表面上的终端部件，该终端部件电连接至外部电子设备，其中，在安装部件和终端部件的表面上形成有具有相同特性的相同金属层。

公开(公告)号：CN105453707B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480044897.6

申请日：2014-08-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  野中脩平 ,  光永敏胜 ,  五十岚厚树 ,  宫田浩司 ,  西太树 ,  井之上纱绪梨 ,  小林文弥

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/583 ,  C04B41/83 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0271 ,  C08K7/00 ,  C08K2003/385 ,  C08K2201/004 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/066

Abstract: 本发明提供一种具有高散热、高可靠性的氮化硼‑树脂复合体电路基板。一种氮化硼‑树脂复合体电路基板，其特征在于，其是在板厚为0.2～1.5mm的板状树脂浸渗氮化硼烧结体的两主表面上粘接铜或铝的金属电路而得到的，所述树脂浸渗氮化硼烧结体含有平均长径为5～50μm的氮化硼颗粒以三维方式结合而成的氮化硼烧结体30～85体积％和树脂70～15体积％，树脂浸渗氮化硼烧结体的面方向的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE1)与金属电路的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE2)之比(CTE1/CTE2)为0.5～2.0。

公开(公告)号：CN104603320B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380045444.0

申请日：2013-08-23

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 早川弘毅 ,  口山崇 ,  上田拓明

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B37/00 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/041 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/16 ,  H05K3/22 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2203/1194

Abstract: 本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有：在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子：S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10‑4Ωcm。

公开(公告)号：CN105453707A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044897.6

申请日：2014-08-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  野中脩平 ,  光永敏胜 ,  五十岚厚树 ,  宫田浩司 ,  西太树 ,  井之上纱绪梨 ,  小林文弥

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/583 ,  C04B41/83 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0271 ,  C08K7/00 ,  C08K2003/385 ,  C08K2201/004 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/066

Abstract: 本发明提供一种具有高散热、高可靠性的氮化硼-树脂复合体电路基板。一种氮化硼-树脂复合体电路基板，其特征在于，其是在板厚为0.2～1.5mm的板状树脂浸渗氮化硼烧结体的两主表面上粘接铜或铝的金属电路而得到的，所述树脂浸渗氮化硼烧结体含有平均长径为5～50μm的氮化硼颗粒以三维方式结合而成的氮化硼烧结体30～85体积％和树脂70～15体积％，树脂浸渗氮化硼烧结体的面方向的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE1)与金属电路的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE2)之比(CTE1/CTE2)为0.5～2.0。

公开(公告)号：CN104603320A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045444.0

申请日：2013-08-23

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 早川弘毅 ,  口山崇 ,  上田拓明

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B37/00 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/041 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/16 ,  H05K3/22 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2203/1194

Abstract: 本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有：在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子：S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10-4Ωcm。

公开(公告)号：CN107852824A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680032607.5

申请日：2016-06-09

Applicant: 赛姆布兰特有限公司

Inventor： 吉安弗兰可·阿拉斯塔 ,  加雷思·亨尼根 ,  安德鲁·西蒙·霍尔·布鲁克斯 ,  沙林达·维克拉姆·辛格

IPC: H05K3/28

CPC classification number: H05K3/467 ,  C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  H05K1/181 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/0162 ,  H05K2201/09872 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10022 ,  H05K2201/1003 ,  H05K2201/10037 ,  H05K2201/10053 ,  H05K2201/10075 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2201/10098 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10128 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10174 ,  H05K2201/10181 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/121 ,  H05K2203/1322 ,  H05K2203/1338

Abstract: 一种电气组件，所述电气组件在其至少一个表面上具有多层保形涂层，其中，所述多层涂层的每层通过前体混合物的等离子体沉积获得，所述前体混合物包括：(a)一种或多种有机硅化合物；(b)可选地，O2、N2O、NO2、H2、NH3、N2、SiF4和/或六氟丙烯(HFP)；和(c)可选地，He、Ar和/或Kr。所得到的等离子体沉积材料的化学性质可以用通式SiOxHyCzFaNb来描述。通过调整x、y、z、a和b的值来调整保形涂层的性质。