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公开(公告)号:KR101511408B1
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:KR1020117011902
申请日:2009-11-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: G01N27/48 , C23C18/1617 , C23C18/31
Abstract: 본발명은전압전류측정을포함하는무전해금속또는금속합금도금전해질에서의안정제첨가물농도의측정을위한방법을개시한다. 상기방법은, a. 작업전극의세정단계, b. 작업전극의중간체의상호작용단계, c. 페러데이전류측정단계, 및 d. 페러데이전류판정단계를포함한다.
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公开(公告)号:KR3007918860000S
公开(公告)日:2015-04-10
申请号:KR3020140011147
申请日:2014-03-05
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Designer: 오테 마티아스
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公开(公告)号:KR3007918820000S
公开(公告)日:2015-04-10
申请号:KR3020140003717
申请日:2014-01-22
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Designer: 헨쉔 랄프
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公开(公告)号:KR1020140143764A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:KR1020147027285
申请日:2013-03-21
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C18/24 , C23C18/1641 , C23C18/1653 , C23C18/1675 , C23C18/2006 , C23C18/22 , C23C18/28 , C23C18/285 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/38 , C23C18/40 , C23C18/405 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D5/022 , C25D5/54 , C25D5/56
Abstract: 본 발명은, 유기실란 조성물을 도포한 다음 산화 처리하는 유전체 기판 표면의 금속화를 위한 신규한 프로세스들에 관한 것이다. 그 방법은 금속 도금된 표면들이 기판과 도금된 금속 사이에 높은 접착을 나타내게 하는 한편 동시에 매끄러운 기판 표면을 온전한 상태로 둔다.
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公开(公告)号:KR1020140138285A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:KR1020147028813
申请日:2013-03-15
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C18/24 , C23C18/1641 , C23C18/22 , H05K3/382
Abstract: 본 발명은 6가 크롬을 포함하지 않는 에칭 용액을 사용하여 비전도성 플라스틱을 금속화하는 방법에 관한 것이다. 에칭 용액은 산성 퍼망가네이트 용액을 기반으로 한다. 에칭 용액에 의한 플라스틱의 처리 이후, 플라스틱을 공지된 방법에 의해 금속화하였다.
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公开(公告)号:KR101409496B1
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:KR1020077026692
申请日:2006-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 본 발명은 미세 라인 레지스트 스트리핑 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 특히, 50㎛, 바람직하게는 25㎛ 이하의 크기를 특징으로 하는 미세라인 포토레지스트 필름에 적합한 기판상에서 포토레지스트 필름을 잔류물 없이 효율적으로 스트리핑하는 방법을 제공하는 동시에 미세 라인 스트리핑에 특히 적합하게 적용되는 용액의 수명을 강화하는 것이다.
포토레지스트, 스트리핑, 스트리핑 강화제-
公开(公告)号:KR1020140023368A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:KR1020137030435
申请日:2012-04-17
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C03C17/40 , C03C17/10 , C23C18/1889 , C23C18/40 , Y10T428/12597
Abstract: 본 발명은 몰리브덴 또는 티탄 등의 금속 및 그러한 금속들을 함유하는 합금을 포함하는 금속 또는 금속 합금 구조물 상의 금속 또는 금속 합금의 무전해 도금 방법을 개시한다. 본 방법은 활성화 단계, 적어도 하나의 질소 함유 화합물 또는 히드록시 카르복실 산을 포함하는 수용액에서의 처리 단계 및 금속 또는 금속 합금의 무전해 도금 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR101343856B1
公开(公告)日:2013-12-20
申请号:KR1020077026944
申请日:2006-05-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은 운반에 관한 것으로서 바람직하게는 예를 들어 인쇄회로기판 또는 도체박 형태의 처리대상 물품(1)을 전해시스템내에서 전기적으로 접촉시키는 것에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 운반로(4)를 따라서 이동할 수 있고 연속적으로 회전하는 구동수단(20)에 의해 구동되는 다수의 클램프(10)를 포함한다. 이 장치는 운반로(4)의 개시점(4a)에서 클램프(10)가 개방상태에서 폐쇄상태로 되어 처리대상 물품을 파지하고 바람직하게는 전기적으로 접촉시키기도 하며 운반로(4)의 종료점(4b)에서는 클램프(10)가 각기 폐쇄상태에서 개방상태로 되어 처리대상 물품(1)을 다시 해제할 수 있도록 하는 방식으로 구성된다. 이를 위해, 클램프(10)는 운반면(2)의 일측에 배치된 제 1 클램핑면(19), 및 운반면(2)의 반대측에 배치된 제 2 클램핑면(17)을 포함한다. 이 클램프(10)는 제 1 클램핑면(19) 및 제 2 클램핑면(17)이 모두 운반면(2)에 대하여 이동하여 클램프(10)를 개폐할 수 있는 방식으로 구성된다.
인쇄회로기판, 도체박, 운반, 클램프, 전해시스템-
公开(公告)号:KR1020130090872A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:KR1020137000639
申请日:2011-07-06
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: B05C11/00 , B05D1/18 , C23C18/1617 , C23C18/54
Abstract: 욕 (bath) 의 공정을 단순화하기 위하여, 제 2 금속을 노출시키는 가공물 (12) 에 제 1 금속의 코팅을 성막하는 방법이 제안되고, 이러한 방법은, a) 성막될 제 1 금속의 이온을 포함하는 욕 성분, 상기 제 2 금속 용의 적어도 하나의 착화제 그리고 적어도 하나의 산을 포함하는 욕액 (16) 을 제공하는 단계, b) 상기 가공물 (12) 에 상기 욕액 (16) 으로부터 상기 제 1 금속의 상기 코팅을 성막하는 단계, c) 상기 욕액 (16) 을 침강조 (18) 로 공급하는 단계, d) 침전물 및 여과액의 생성을 위해 침강조 (18) 내의 욕액 (16) 을 냉각시키는 단계로서, 상기 침전물은 상기 제 2 금속 및 상기 적어도 하나의 착화제를 포함하는 단계, e) 여과 장치 (20) 에 의해 상기 여과액으로부터 상기 침전물을 분리하는 단계, f) 상기 욕액 (16) 에 상기 여과액을 복귀시키는 단계, 그리고 g) 상기 욕� �� (16) 에 욕 성분을 보충시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 방법은 상기 여과액으로부터 상기 침전물의 분리에 관하여, 상기 여과 장치에 의해 통해 압력차가 생성되는 것을 특징으로 한다.
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100.
公开(公告)号:KR1020130057963A
公开(公告)日:2013-06-03
申请号:KR1020127019831
申请日:2011-04-13
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor: 하이데케옌스
CPC classification number: B01D61/445 , B01D61/44 , C23C18/1617 , C25D21/18
Abstract: 전기 투석 기기에서 생물학적 오염을 방지하기 위해서, 막 전기분해 스택 및 이 막 전기분해 스택을 포함하는 전기 투석 기기가 고안된다. 전기 투석 기기는 바람직하게 무전해 도금 배스, 예를 들어 니켈 도금 배스를 재생하는 역할을 한다. 이것은 적어도 하나의 애노드 (An) 와 적어도 하나의 캐소드 (Ca) 뿐만 아니라 애노드 (An) 와 캐소드 (Ca) 사이에 각각 배치된 막 전기분해 스택을 포함하고, 모든 막 전기분해 스택은 서로의 상부에 쌓아올린 막과 그 사이에 각각 배치된 전해 구획을 포함하고, 적어도 하나의 제 1 및 적어도 하나의 제 2 막은 막 전기분해 스택에서 연속적으로 교대로 놓인다. 막 전기분해 스택에서 적어도 하나의 제 1 막과 적어도 하나의 제 2 막은 각각 서로 독립적으로 선택되고 막 전기분해 스택에서 적어도 하나의 제 1 막이 이극성 막 (BP) 이라는 조건에서 적어도 하나의 제 1 막은 음이온 교환막 (A) 과 이극성 막 (BP) 을 포함하는 그룹에서 선택되고, 적어도 하나의 제 2 막은 단일 선택성 음이온 교환막 (MSA), 단일 선택성 양이온 교환막 (CSA) 및 양성자 선택성 교환막을 포함하는 그룹에서 선택된다. 또한, 적어도 하나의 제 1 막의 캐소드측에 위치한 전해 구획은 재생될 전해액이 담긴 희석 구획 (Di1, Di2) 이고 적어도 하나의 제 2 막의 캐소드측에 위치한 전해 구획은 재생될 전해액에서 받아들인 간섭 이온이 담긴 농축 구획 (Co1, Co2, Co3) 이도록 제공된다.
Abstract translation: 为了防止电渗析装置中的生物污染,产生包括膜电解堆叠的电渗析装置。 每个膜电解堆叠包括层叠在彼此之上的膜,并分别稀释并浓缩设置在其间的隔室,至少一个在膜电解堆叠中交替的第一和第二膜。 至少一个第一膜选自包含阴离子交换膜和双极膜的组,并且至少一个第二膜选自包含单选择性阴离子交换膜,单选择性阳离子交换膜和质子选择性交换膜 ,条件是膜分别独立地彼此选择,并且膜电解堆叠中的至少一个第一膜是双极膜。
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