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公开(公告)号：KR102049650B1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：KR1020177020541
申请日：2015-12-22
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/552 , H01L23/31
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公开(公告)号：KR1020140058577A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020147004929
申请日：2012-08-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은, 과망간산염을 포함하는 처리 용액으로 플라스틱 부품들을 처리하기 위한 방법에 관한 것으로, 처리 용액의 탄산염 화합물들의 농도는, 동결 석출 및 후속 여과에 의한 처리 용액으로부터의 탄산염 화합물들의 제거에 의해서 200 g/ℓ 미만의 값으로 설정되고, 처리 용액은 과망간산 나트륨을 포함한다. 또한, 본 발명은, 이러한 방법의 실시를 위해서 처리 용액에 포함된 탄산염 화합물들의 농도를 감소시킴으로써 플라스틱 부품들을 처리 및/또는 에칭하기 위해 이용되는, 과망간산염을 포함하는 처리 용액의 적어도 부분적인 재생을 위한 장치에 관한 것으로, 장치는 처리 용액이 재생되게 되는 적어도 하나의 냉각 탱크를 포함하고, 처리 용액으로부터 탄산염 화합물들을 분리하기 위한 하류의 필터 장치를 가지고; 그리고 추가적으로 본 발명은 이러한 방법을 실시하기 위한 이러한 장치의 용도에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101640693B1
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020147004929
申请日：2012-08-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본발명은, 과망간산염을포함하는처리용액으로플라스틱부품들을처리하기위한방법에관한것으로, 처리용액의탄산염화합물들의농도는, 동결석출및 후속여과에의한처리용액으로부터의탄산염화합물들의제거에의해서 200 g/ℓ미만의값으로설정되고, 처리용액은과망간산나트륨을포함한다. 또한, 본발명은, 이러한방법의실시를위해서처리용액에포함된탄산염화합물들의농도를감소시킴으로써플라스틱부품들을처리및/또는에칭하기위해이용되는, 과망간산염을포함하는처리용액의적어도부분적인재생을위한장치에관한것으로, 장치는처리용액이재생되게되는적어도하나의냉각탱크를포함하고, 처리용액으로부터탄산염화합물들을분리하기위한하류의필터장치를가지고; 그리고추가적으로본 발명은이러한방법을실시하기위한이러한장치의용도에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020110088531A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020117011902
申请日：2009-11-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: G01N27/48 , C23C18/1617 , C23C18/31
Abstract: 본 발명은 전압 전류 측정을 포함하는 무전해 금속 또는 금속 합금 도금 전해질에서의 안정제 첨가물 농도의 측정을 위한 방법을 개시한다. 상기 방법은, a. 작업 전극의 세정 단계, b. 작업 전극의 중간체의 상호작용 단계, c. 페러데이 전류 측정 단계, 및 d. 페러데이 전류 판정 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101927679B1
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：KR1020147027285
申请日：2013-03-21
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은, 유기실란 조성물을 도포한 다음 산화 처리하는 유전체 기판 표면의 금속화를 위한 신규한 프로세스들에 관한 것이다. 그 방법은 금속 도금된 표면들이 기판과 도금된 금속 사이에 높은 접착을 나타내게 하는 한편 동시에 매끄러운 기판 표면을 온전한 상태로 둔다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101511408B1
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020117011902
申请日：2009-11-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: G01N27/48 , C23C18/1617 , C23C18/31
Abstract: 본발명은전압전류측정을포함하는무전해금속또는금속합금도금전해질에서의안정제첨가물농도의측정을위한방법을개시한다. 상기방법은, a. 작업전극의세정단계, b. 작업전극의중간체의상호작용단계, c. 페러데이전류측정단계, 및 d. 페러데이전류판정단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140143764A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020147027285
申请日：2013-03-21
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C18/24 , C23C18/1641 , C23C18/1653 , C23C18/1675 , C23C18/2006 , C23C18/22 , C23C18/28 , C23C18/285 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/38 , C23C18/40 , C23C18/405 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D5/022 , C25D5/54 , C25D5/56
Abstract: 본 발명은, 유기실란 조성물을 도포한 다음 산화 처리하는 유전체 기판 표면의 금속화를 위한 신규한 프로세스들에 관한 것이다. 그 방법은 금속 도금된 표면들이 기판과 도금된 금속 사이에 높은 접착을 나타내게 하는 한편 동시에 매끄러운 기판 표면을 온전한 상태로 둔다.
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公开(公告)号：KR102034913B1
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：KR1020147018604
申请日：2012-12-05
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 토마스토마스 , 브란트루츠 , 슈탐프루츠 , 슈라이어한스-위르겐
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公开(公告)号：KR1020170099982A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020177020541
申请日：2015-12-22
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/552 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/552 , H01L25/50 , H01L2225/06537 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2924/15311
Abstract: 본발명은활성컴포넌트들의전자기차폐및 열관리를위한금속층을, 바람직하게습식화학금속도금에의해형성하기위한방법에관련되며, 몰딩화합물의층 상에접착력증진층을사용하고, 접착력증진층상에적어도하나의금속층을형성하거나, 습식화학금속도금프로세스들에의해접착력증진층상에적어도하나의금속층을형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成金属层的方法，该金属层优选通过湿化学金属电镀形成用于活性组分的电磁屏蔽和热管理的金属层，其中在该模塑料层上使用增粘层，并且至少一个 或者通过湿化学镀金属工艺在粘附促进层上形成至少一个金属层。
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公开(公告)号：KR1020160062067A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020167010415
申请日：2014-09-22
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C18/1653 , C03C17/3618 , C03C17/3642 , C03C17/3697 , C23C18/1212 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1295 , C23C18/14 , C23C18/1639 , C23C18/1642 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1667 , C23C18/1692 , C23C18/1694 , C23C18/1879 , C23C18/1893 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D5/50 , C25D5/54 , C23C18/1258 , C23C18/1886 , C23C18/31
Abstract: 기판재료에대한디포짓팅된금속의높은접착성을제공하여서내구성이있는결합을형성하는비전도성기판들의금속화를위한방법이제공된다. 방법은, 활성화된후 금속도금되는금속산화물접착촉진제를적용한다. 방법은도금된금속층에대한비전도성기판의높은접착성을제공한다.
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