公开(公告)号：FR2968833A1

公开(公告)日：2012-06-15

申请号：FR1060375

申请日：2010-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FERON MARC ,  JARRY VINCENT

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: L'invention concerne un procédé d'amincissement et de découpe d'une plaquette (1) de circuits électroniques (7), dans lequel : une étape d'amincissement est effectuée alors que la plaquette est portée par un premier film (4) collé en périphérie d'un cadre support (3) ; et une étape de découpe est effectuée alors que la plaquette amincie (1') est portée par un second film (6) collé en périphérie du même cadre (3) depuis l'autre face de la plaquette, le premier film n'étant décollé qu'une fois le second en place.

公开(公告)号：FR2960105B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR1053716

申请日：2010-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： GUITTON FABRICE ,  THON BENJAMIN

IPC: H02H7/00

公开(公告)号：AT548793T

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：AT09757719

申请日：2009-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： RIVET BERTRAND ,  HAMADOU AURELIEN

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/32

Abstract: A switch-mode converter including an inductive transformer having a secondary winding associated with at least one first switch, including, in parallel with the first switch, at least one first diode in series with a capacitive element; and in parallel with the capacitive element, an active circuit for limiting the voltage thereacross.

公开(公告)号：FR2963983A1

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：FR1056648

申请日：2010-08-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MORILLON BENJAMIN

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L27/08 ,  H01L29/861

Abstract: L'invention concerne un composant de protection bidirectionnel dissymétrique formé dans un substrat semiconducteur (31) d'un premier type de conductivité, comprenant : une première zone (32) implantée du premier type de conductivité ; une première couche épitaxiée (33a) du deuxième type de conductivité sur le substrat et la première zone implantée ; une seconde couche épitaxiée (33b) du deuxième type de conductivité sur la première couche épitaxiée (33a) la seconde couche ayant un niveau de dopage distinct de celui de la première couche ; une deuxième zone (34) du premier type de conductivité sur la face extérieure de la couche épitaxiée, en regard de la première zone (32) ; une première métallisation (36) recouvrant toute la face inférieure du substrat ; et une deuxième métallisation (35) recouvrant la deuxième zone.

公开(公告)号：FR2961345A1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：FR1054582

申请日：2010-06-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LAPORTE CLAIRE ,  EZZEDDINE HILAL

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré passif (40) formé sur un substrat (21), comprenant des plages de contact en un matériau conducteur (UBM) spécifiquement adapté à recevoir des billes de connexion, dans lequel ledit matériau conducteur établit en outre des connexions (42) entre des régions (10i) d'un niveau de métallisation inférieur (M1).

公开(公告)号：FR2953064B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：FR0958225

申请日：2009-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FERON MARC ,  JARRY VINCENT ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

公开(公告)号：FR2961033A1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR1054504

申请日：2010-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： APPERE CEDRIC ,  BREMOND ANDRE ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04

Abstract: L'invention concerne une structure de protection (41) d'un circuit connecté à des premier (3) et second (5) rails d'une liaison téléphonique contre des surtensions, comprenant : des première (57) et deuxième (55) diodes en anti-série entre les premier et second rails ; un premier condensateur (65) en parallèle avec une première résistance (63) entre un premier noeud (N) commun aux première et deuxième diodes et un point de potentiel bas de référence ; et un élément de protection (31) adapté à évacuer des surtensions rapides entre l'un quelconque des rails et le point de potentiel bas de référence lorsque ces surtensions dépassent un premier seuil lié au potentiel du premier noeud (N).

公开(公告)号：FR2952477B1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR0957867

申请日：2009-11-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUILLON PIERRE ,  GUY-BOUYSSOU DELPHINE

IPC: H01M10/38

公开(公告)号：FR2960342A1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：FR1053823

申请日：2010-05-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/872

Abstract: L'invention concerne un commutateur bidirectionnel commandable par une tension entre gâchette et électrode arrière et comprenant un substrat semiconducteur (40) de type N entouré d'un mur (53) de type P ; du côté de la face avant, un caisson (41) de type P dans lequel est formée une première région (43) de type N ; du côté de la face arrière, une couche de type P dans laquelle est formée une deuxième région de type N. Le caisson est dopé à moins de 10 at./cm , les surfaces exposées de ce caisson étant fortement dopées de type P (45). Au moins une troisième région (61) de type P, de même niveau de dopage que le caisson, est formée du côté de la face avant dans le substrat, et contient au moins une quatrième région (70, 71) de type N d'un niveau de dopage inférieur à 10 at./cm , sur laquelle est formé un contact Schottky.

公开(公告)号：FR2954014A1

公开(公告)日：2011-06-17

申请号：FR0958864

申请日：2009-12-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： JEANNE EDGARD ,  ALQUIER DANIEL ,  PATAT FREDERIC

IPC: H02J4/00 ,  B06B1/02

Abstract: L'invention concerne un dispositif d'isolation galvanique acoustique comprenant : un premier moyen (54A) permettant la transformation d'une première tension alternative en une onde acoustique ; un second moyen (54B) permettant la transformation d'une seconde onde acoustique en une seconde tension alternative ; et un milieu adapté à la transmission d'ondes acoustiques placé entre les premiers et seconds moyens, ledit milieu comprenant au moins un isolant électrique.