公开(公告)号：KR101413657B1

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：KR1020080119942

申请日：2008-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박재철 ,  송이헌 ,  박영수 ,  권기원 ,  김창정 ,  김경국 ,  박성호 ,  이성훈 ,  김상욱 ,  김선일

IPC: H01L29/786

Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 p형 산화물 박막트랜지스터 및 n형 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 상보성(complementary) 소자일 수 있다. 예컨대, 개시된 반도체 소자는 인버터(inverter), NAND 소자, NOR 소자 등과 같은 논리소자일 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 所公开的半导体器件可以是包括p型氧化物薄膜晶体管和n型氧化物薄膜晶体管的互补装置。 例如，所公开的半导体器件可以是诸如反相器，NAND器件，NOR器件等的逻辑器件。

公开(公告)号：KR101312259B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020070013747

申请日：2007-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박영수 ,  박재철

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터는 게이트 절연층을 사이에 두고 형성된 게이트 전극 및 채널층; 및 상기 채널층의 양단과 각각 접촉된 소오스 전극 및 드레인 전극;을 포함하되, 상기 채널층은 상부층의 캐리어 농도가 하부층의 캐리어 농도보다 낮은 이중층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 채널층은 ZnO 계열의 물질층, 예컨대, Ga-In-Zn-O 물질층일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120100627A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110019646

申请日：2011-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  김창정 ,  박재철 ,  김선일

IPC: H01L31/08 ,  G01T1/24 ,  H01L27/146 ,  G01N23/04

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L31/085 ,  G01N23/04 ,  G01T1/24 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: An x-ray detector with a large area is provided to perform wire bonding using a gap between chips without passing through the chip. CONSTITUTION: A redistribution layer electrically connects a pixel electrode(160) and a pixel pad(132). A plurality of first electrode pads(124) is formed on a rear side of a chip(120). The wire electrically connects a first electrode pad and a pin pad(134). A photo conductor(170) is formed on a plurality of pixel electrodes. A common electrode(180) is formed on the photo conductor.

Abstract translation: 目的：提供具有大面积的X射线检测器，以在芯片之间使用间隙进行引线接合，而不通过芯片。 构成：再分配层电连接像素电极（160）和像素焊盘（132）。 多个第一电极焊盘（124）形成在芯片（120）的后侧。 电线电连接第一电极焊盘和引脚焊盘（134）。 在多个像素电极上形成光导体（170）。 公共电极（180）形成在光导体上。

公开(公告)号：KR1020120020013A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：KR1020100083707

申请日：2010-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김대환 ,  김창정

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/14

Abstract: PURPOSE: An electrical characteristic calculation method of an amorphous semiconductor thin film transistor(TFT) and an apparatus thereof are provided to accurately calculate electrical properties of the amorphous semiconductor TFT including a state density, thereby providing integrated model parameters for utilizing the amorphous semiconductor TFT. CONSTITUTION: C-V(Capacitance-Voltage) characteristics are measured with respect to a plurality of frequencies from a thin film transistor(310). Frequency independent C-V characteristics are calculated using the measured C-V characteristics and a predetermined equivalent model(320). The state density of the thin film transistor is calculated from the calculated frequency independent C-V characteristics(330).

Abstract translation: 目的：提供一种非晶半导体薄膜晶体管（TFT）的电特性计算方法及其装置，以精确地计算包括状态密度的非晶半导体TFT的电特性，从而提供用于利用非晶半导体TFT的集成模型参数。 构成：相对于来自薄膜晶体管（310）的多个频率测量C-V（电容 - 电压）特性。 使用测量的C-V特性和预定的等效模型（320）计算频率无关的C-V特性。 根据所计算的频率独立的C-V特性（330）计算薄膜晶体管的状态密度。

公开(公告)号：KR1020110110583A

公开(公告)日：2011-10-07

申请号：KR1020100029982

申请日：2010-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  박재철 ,  김선일 ,  김창정

IPC: H01L31/115

CPC classification number: G01T1/242 ,  H01L31/085

Abstract: 이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기가 개시된다. 개시된 이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기는, 엑스선이 입사되는 제1 포토컨덕터층과, 제1 포토컨덕터층을 통과한 엑스선이 입사되는 제2 포토컨덕터층을 포함한다. 제1 포토컨덕터층과 제2 포토컨덕트층은 탠덤구조로 이루어져 있다. 제1 포토컨덕터층은 저 에너지 대역의 엑스선을 흡수하는 실리콘으로 이루어지며, 제2 포토컨덕터층은 실리콘 보다 높은 에너지 대역의 엑스선을 흡수하는 물질로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020100132308A

公开(公告)日：2010-12-17

申请号：KR1020090051060

申请日：2009-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김상욱 ,  이성훈 ,  김창정

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/136209 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to reduce manufacturing cost by simultaneously implementing an active layer etching process and an optical barrier forming process using one mask. CONSTITUTION: An optical barrier(120) is formed on a substrate(110). An active layer(130) is formed on the optical barrier. Light is blocked to be radiated on an active layer using the optical barrier. A source electrode(160) and a drain electrode(170) are formed on the active layer. A gate insulating film(142) and a gate(150) are formed on the channel region(136) of the active layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以通过同时实施使用一个掩模的有源层蚀刻工艺和光学屏障形成工艺来降低制造成本。 构成：在衬底（110）上形成光学屏障（120）。 在光屏障上形成有源层（130）。 使用光学屏障将光阻挡在有源层上辐射。 源极电极（160）和漏电极（170）形成在有源层上。 栅极绝缘膜（142）和栅极（150）形成在有源层的沟道区（136）上。

公开(公告)号：KR1020100063993A

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020080122388

申请日：2008-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박성호 ,  김창정 ,  송이헌 ,  김상욱 ,  박재철

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A transistor and a manufacturing method thereof are provided to implement a stack transistor with a large on-current simultaneously using channel layers of the transistors. CONSTITUTION: At least one first transistor(T1) is formed on a substrate(SUB1). The first transistor includes a channel layer, a source, a drain, and a gate. The channel layer is comprised of an oxide semiconductor. The source and the drain are respectively contacted with both sides of the channel layer in a longitudinal direction. The gate covers both sides and the upper side of the channel layer in a width direction.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法，以同时使用晶体管的沟道层来实现具有大导通电流的堆叠晶体管。 构成：在衬底（SUB1）上形成至少一个第一晶体管（T1）。 第一晶体管包括沟道层，源极，漏极和栅极。 沟道层由氧化物半导体构成。 源极和漏极分别在纵向方向上与沟道层的两侧接触。 栅极在宽度方向上覆盖沟道层的两侧和上侧。

公开(公告)号：KR1020100058171A

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：KR1020080116892

申请日：2008-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤만 ,  박재철 ,  장미애

IPC: H04B7/26

CPC classification number: Y02D70/10 ,  H04W52/0245 ,  H04W64/003 ,  Y02D70/00

Abstract: PURPOSE: A method for searching a base station and a mobile station thereof are provided to efficiently search a base station by searching a base station or restricting the searching of the base station in accordance with the current position of the mobile terminal. CONSTITUTION: A wireless communication unit(210) performs wireless communication with a BS(Base Station) while transmitting and receiving a wireless signal, and a data processing unit(220) processes numerical/character data inputted form an input unit(270) or the data from the wireless communication unit. A GPS(Global Positioning System) module(240) calculates the position of a mobile terminal(100) through the reception of a microwave. A display unit(250) displays the data related to the operation procedure of the mobile terminal.

Abstract translation: 目的：提供一种用于搜索基站及其移动台的方法，用于通过搜索基站或者根据移动终端的当前位置限制基站的搜索来有效地搜索基站。 构成：无线通信单元（210）在发送和接收无线信号的同时与BS（基站）进行无线通信，数据处理单元（220）处理从输入单元（270）输入的数字/字符数据， 来自无线通信单元的数据。 GPS（全球定位系统）模块（240）通过接收微波计算移动终端（100）的位置。 显示单元（250）显示与移动终端的操作过程相关的数据。

公开(公告)号：KR1020100055866A

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：KR1020080114754

申请日：2008-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경국 ,  채수희 ,  박영수 ,  김택 ,  양문승 ,  정형수 ,  박재철 ,  김준연

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the bending or twist of a substrate by inserting a stress relaxation layer made of metal between a semiconductor layer and a bonding substrate. CONSTITUTION: A semiconductor layer(20) includes an active area for emitting light. A first electrode is arranged under the semiconductor layer. A second electrode is arranged on the upper side of the semiconductor layer. A first stress relaxation layer(33) is bonded with the surface of the first electrode and is made of metal. A bonding substrate(31) is arranged on the lower side of the first stress relaxation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，通过在半导体层和接合基板之间插入由金属制成的应力松弛层来减小基板的弯曲或扭曲。 构成：半导体层（20）包括用于发光的有源区域。 第一电极布置在半导体层的下方。 第二电极布置在半导体层的上侧。 第一应力松弛层（33）与第一电极的表面接合并由金属制成。 接合基板（31）设置在第一应力松弛层的下侧。

公开(公告)号：KR1020100038986A

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：KR1020080098170

申请日：2008-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 송이헌 ,  박재철 ,  권기원 ,  김선일

IPC: H01L27/10 ,  G02F1/13 ,  G02F1/136

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A stack memory device including an oxide thin film transistor is provided to improve integration by minimizing an area of an active circuit unit even through the stacked memory layer increases. CONSTITUTION: A stack memory device includes an active circuit unit(10), a row line(12), and a column line(14). The low line and the column line are electrically connected to the active circuit. A selection transistor is formed on the same plane on the one end of the row line and column line of the memory array.

Abstract translation: 目的：提供包括氧化物薄膜晶体管的堆叠存储器件，以便即使通过堆叠的存储层增加，也可以通过使有源电路单元的面积最小化来提高积分。 构成：堆叠存储器件包括有源电路单元（10），行线（12）和列线（14）。 低线和列线电连接到有源电路。 选择晶体管形成在存储器阵列的行线和列线的一端的同一平面上。