公开(公告)号：KR100694148B1

公开(公告)日：2007-03-12

申请号：KR1020050067280

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  조서현

IPC: B41J2/175 ,  B41J29/38

Abstract: 잉크 젯 프린터의 잉크레벨 검지장치가 개시된다. 본 발명에 따른 잉크레벨 검지장치는, 잉크 젯 프린터에 탈착 가능하게 장착되는 잉크탱크, 잉크탱크 내의 잉크레벨이 소정 레벨에 도달하였는지 여부를 감지하는 것으로, 잉크탱크 내에 충전된 잉크의 액면을 따라 수직으로 움직이는 액면부재, 일단은 액면부재와 연결되고, 타단은 잉크탱크 일측의 한 지점에 회동 가능하게 연결되어, 액면부재가 하강함에 따라 기울기가 커지는 커넥팅로드 및 커넥팅로드가 소정의 기울기에 도달하면 신호를 발생시키는 센서를 포함하는 시작레벨 감지부, 잉크탱크로부터 잉크를 공급받는 잉크 분사 헤드에서 토출되는 잉크 도트의 수를 세는 잉크 도트 계수부, 잉크 부족 정보를 표시하는 표시부 및 시작레벨 감지부, 잉크 도트 계수부 및 표시부와 연결되어 이들을 제어하는 제어부 를 포함한다.
잉크 젯 프린터, 잉크레벨, 잉크 도트 계수, 시작레벨

公开(公告)号：KR100681274B1

公开(公告)日：2007-02-09

申请号：KR1020040097363

申请日：2004-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영주 ,  임현석 ,  김락환 ,  김정욱 ,  이현석

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 고유전율을 갖는 커패시터 및 그 제조에서, 커패시터는 실린더형의 하부 전극과, 상기 하부 전극의 표면을 따라 금속 산화물로 이루어진 유전막이 구비된다. 또한, 상기 유전막의표면을 따라 제1 스트레스를 갖는 제1 금속 질화물로 이루어지는 제1 상부 전극과, 상기 제1 상부 전극의 상부 표면과 상기 실린더 입구 부위에 연속적으로 구비되고, 상기 제1 스트레스와 반대 타입의 제2 스트레스를 갖는 제2 금속 질화물로 이루어지는 제2 상부 전극으로 이루어지는 상부 전극이 구비된다. 상기 커패시터는 고유전율을 가지면서 상부 전극의 크랙 발생이 최소화되어 커패시턴스가 증가되고 누설 전류 특성이 우수하다.

公开(公告)号：KR100662873B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020060000703

申请日：2006-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류수정 ,  김정욱 ,  김석진 ,  김홍석 ,  공준진

IPC: G06F9/30

Abstract: A loop accelerator and a data processing system including the same are provided to facilitate modification of a structure and save expenses by simplifying a connection structure between a configuration memory and multiple processing elements. Each processing element(140) performs an operation of a word unit to process a program. The configuration memory(100) stores configuration bits representing the operation, action, and a status of each processing element. Each context memory(120) is installed to a row or column direction of each processing element, and transfers the configuration bits from the configuration memory along an arrangement direction of the processing elements. The context memory includes a shift register(130) temporarily storing the configuration bits from the configuration memory, a counter(125) counting the number of configuration bits provided from the shift register, and a comparator(127) comparing the number of configuration bits with the number of processing units.

Abstract translation: 提供了一种循环加速器和包括该循环加速器的数据处理系统，以通过简化配置存储器和多个处理元件之间的连接结构来促进结构的修改并节省费用。 每个处理元件（140）执行字单元的操作以处理程序。 配置存储器（100）存储表示每个处理元件的操作，动作和状态的配置位。 每个上下文存储器（120）被安装到每个处理元件的行或列方向，并且沿着处理元件的排列方向从配置存储器传输配置位。 上下文存储器包括临时存储来自配置存储器的配置位的移位寄存器（130），计数从移位寄存器提供的配置位的数量的计数器（125），以及比较器（127），将配置位的数量与 处理单元的数量。

公开(公告)号：KR100610665B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020050010155

申请日：2005-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안드레이우샤코프 ,  이영희 ,  김정욱

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 중성빔을 이용한 식각장치에 관한 것으로, 특히 본 발명은 중성빔이 대상체에 평행하게 입사되도록 이온빔을 가스 또는 필라멘트를 이용하여 중성빔으로 전환시킨 후 평행한 중성빔을 이용하여 대상체에 식각시켜 식각을 균일하게 한다.
이를 위해 본 발명의 중성빔을 이용한 식각장치는 플라즈마 소스로부터 이온빔을 추출하여 중성빔으로 전환한 후 상기 중성빔을 이용하여 처리챔버 내의 대상체를 식각하는 중성빔을 이용한 식각장치에 있어서, 상기 플라즈마 소스에서 이온빔을 추출하는 복수의 그리드와, 상기 추출된 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 이온교환챔버와, 상기 추출된 이온빔을 상기 이온교환챔버내로 유입시키도록 상기 복수의 그리드와 이온교환챔버사이에 마련된 제1플레이트와, 상기 전환된 중성빔을 상기 처리챔버내로 유입시키도록 상기 제1플레이트와 상기 처리챔버사이에 마련된 제2플레이트부를 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用中性束蚀刻装置，特别是，本发明是通过使用平行的中性束被切换到的离子束，使得中性束是平行入射到利用中性束的目标对象通过使用气体或长丝蚀刻到目标对象 从而使蚀刻均匀。

公开(公告)号：KR100574964B1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：KR1020040000055

申请日：2004-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지순 ,  임현석 ,  이응준 ,  김정욱

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L2221/1089

Abstract: 콘택홀 채움 정도(contact fill capability)를 개선할 수 있는 텅스텐을 이용한 반도체 소자의 콘택 플러그 형성방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판의 절연막에 콘택홀을 형성하고 블랭킷 방식의 장벽층을 형성한 후, 절연막 상부에만 스텝 커패리지 특성이 나쁘고, 산소 함유량이 많은 증착선택비 조절막을 추가로 형성하여 절연막 상부와 콘택홀 내부의 막질 특성을 다르게 만든 후, 텅스텐막을 증착한다.
텅스텐, 콘택 플러그, 보이드, 콘택홀 형성방법.

公开(公告)号：KR100573662B1

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040070254

申请日：2004-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  연경열 ,  정민영 ,  장득우 ,  석기원 ,  주혜리

IPC: G01R31/00

Abstract: 본 발명은 간단하게 액체 토너의 전기적 특성을 평가함으로써 실제로 인쇄를 하지 않고도 액체 토너의 화상품질을 예측할 수 있는 평가시험장치 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 액체 토너의 전기적 특성 평가시험장치는 롤러와, 롤러의 아래에 위치하며 롤러가 접촉하여 일정 거리 이동할 수 있는 도체평판과, 롤러와 도체평판에 전압을 인가하는 전원장치, 및 롤러의 뒤에 롤러와 같이 이동하도록 설치되며 도체평판 위에 놓인 액체 토너의 전압을 측정할 수 있는 전압측정기로 구성된다.
액체 토너, 표면전위, 전압변화, 최고전압, 현상롤러

公开(公告)号：KR100526928B1

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020030048881

申请日：2003-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진석 ,  김동철 ,  이재봉 ,  최인호 ,  김정욱 ,  백동석

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명은, 반도체 웨이퍼가 수용된 챔버 내로 공정가스를 분사하는 가스분사부를 포함하는 식각장치에 관한 것으로서, 상기 가스분사부는 적어도 한 쌍의 가스공급공을 갖는 가스공급부와; 상기 가스공급부와 제1이격공간을 두고 배치되는 가스분배부와; 상기 가스분배부의 상측판면의 중앙영역에서 돌출형성되어 상기 제1이격공간을 제1중앙영역과 제1가장자리영역으로 구획하는 루프형상의 상부격벽과; 상기 가스분배부와 제2이격공간을 두고 배치되어, 상기 챔버 내로 상기 공정가스를 분사시키는 샤워헤드와; 상기 가스분배부의 하측판면의 중앙영역에서 돌출형성되어 상기 제2이격공간을 상기 제1중앙영역과 연통하는 제2중앙영역과 상기 제1가장자리영역과 연통하는 제2가장자리영역으로 구획하는 루프형상의 하부격벽을 포함하며, 상기 제1중앙영역과 상기 제1가장자리영역으로 각각 공급되는 공정가스량을 MFC(MASS FLOW CONTROLLER)에 의해 독립적으로 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 공정가스를 챔버 내부로 분사할 때 챔버 내부 중앙영역으로 분사되는 공정가스량과 챔버 내부 가장자리영역으로 분사되는 공정가스량을 독립적으로 조절할 수 있으므로, 챔버 내부의 웨이퍼 상의 가스밀도 및 속도 등의 특성을 조절함에 따라 플라즈마의 밀도, 증착속도 및 에칭속도 등 공정상 균일도를 조절하는 것이 가능한 식각장치를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050102801A

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：KR1020040028075

申请日：2004-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 연경열 ,  최중환 ,  정민영 ,  김정욱 ,  주혜리 ,  이남정 ,  석기원

IPC: G03G9/12

CPC classification number: G03G9/12

Abstract: 액체 토너 조성물이 개시된다. 본 액체 토너 조성물은 착색제, 오가노졸, 대전 제어제, 캐리어 액체 및 커플링제를 포함하고, 상기 커플링제는 알루미늄산염계(aluminate-based) 커플링제(coupling agent)이다. 본 발명에 따르면, 액체 토너의 물성을 유지하면서도 고온에서 장기간 저장시에 일정 수준의 분산성을 유지할 수 있는 액체 토너 조성물을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050102797A

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：KR1020040028070

申请日：2004-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 연경열 ,  김정욱 ,  최중환 ,  정민영 ,  주혜리 ,  이남정 ,  석기원

IPC: G03G9/12

CPC classification number: G03G9/12

Abstract: 액체 토너 조성물이 개시된다. 본 액체 토너 조성물은 착색제, 오가노졸, 대전 제어제, 캐리어 액체 및 커플링제를 포함하고, 상기 커플링제는 티탄산염계 커플링제인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 액체 토너의 기본적인 물성을 저해하지 않으면서도 고온에서 장기간 저장한 후에도 일정한 수준의 분산성을 유지할 수 있는 액체 토너 조성물을 제공할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050099113A

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：KR1020040024276

申请日：2004-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  임현석

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L21/28556 ,  H01L28/91

Abstract: 반도체 장치에서 유전막의 열화를 방지할 수 있는 커패시터의 형성 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 하부 전극을 형성한 후, 상기 하부 전극 상에 하프늄 옥사이드(HfO2)막을 적층하여 유전막을 형성한다. 상기 유전막 상에 금속 유기 화학적 기상 증착 공정에 의해 MOCVD-TiN막으로 증착함으로써 제1 상부 전극을 형성한다. 상기 제1 상부 전극 상에 화학적 기상 증착 (Chemial Vapor Depostion) 공정에 의하여 CVD-TiN막을 증착함으로써 제2 상부 전극을 형성한다. 상기 MOCVD-TiN막으로 형성된 제1 상부 전극은 유전막 특성의 열화를 방지하여, 상기 커패시터의 특성이 향상되는 효과가 있다.