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公开(公告)号：KR1020060064471A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050048398
申请日：2005-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/26
Abstract: 초소형 광디스크의 보호층 형성에 이용되는 지그 및 이를 이용한 보호층 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 이용되는 지그는 바디와, 상기 바디 내에 일정 깊이로 광디스크 원판이 장착되는 원통 형태의 월(wall)을 포함한다. 상기 원통 형태의 월의 중심부에는 광디스크 원판의 중심홀과 결합될 수 있는 핀이 위치한다. 이렇게 지그를 이용하여 보호층을 형성할 경우, 제조 공정이 간단하고 균일하게 보호층을 형성함으로써 광디스크의 제조비용을 크게 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100582548B1
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020040108981
申请日：2004-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/18
Abstract: 강유전체 박막을 이용한 PBG 구조의 위상 변위기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 위상 변위기는 마이크로파의 입출력 선로를 구성하는 마이크로스트립 전송 선로와, 상기 마이크로스트립 전송 선로상에 일정 간격으로 배치되어 있는 복수의 가변 축전기를 구비한다. 상기 기판상에는 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 전극이 형성되어 있고, 고주파 RF 신호가 DC 바이어스 단으로 흘러 들어가는 것을 차단할 수 있도록 상기 전극과 상기 마이크로스트립 전송 선로 사이에는 RF 초크 및 λ/4 래디얼 스터브(radial-stub)가 연결되어 있다. 상기 기판의 접지면에는 복수의 PBG (photonic band gap)가 주기적으로 형성되어 있다.
강유전체 박막, IDT, 축전기, PBG, 위상 변위기Abstract translation: 描述了使用铁电薄膜的PBG结构的移相器。 根据本发明的移相器包括构成微波输入/输出线的微带传输线和在微带传输线上以预定间隔排列的多个可变电容器。 和电极形成为一个DC电压施加到可变电容器的基板，高频RF信号，所述RF扼流圈和一个λ/ 4的电极和所述微带传输线之间的径向以阻挡流动到DC偏置级上 一根短棒（径向短棒）被连接。 多个光子带隙（PBG）周期性地形成在衬底的接地平面上。
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公开(公告)号：KR100540144B1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：KR1020040041014
申请日：2004-06-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J3/021 , B82Y10/00 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극에 접속된 전계 에미터를 가진 캐소드부와, 상기 전계 에미터를 에워싸는 형태로 그 주위 상부에 형성된 전계 방출 억제-게이트부와, 적어도 하나의 관통공을 갖는 금속 메쉬와 상기 금속 메쉬의 적어도 일영역에 형성된 유전체막을 구비하는 전계 방출 유도-게이트부를 포함하는 전계방출소자 및 이를 이용한 전계방출 표시장치를 제공한다. 이를 통해서, 종래 기술에 따른 전계 방출 소자의 문제점인 게이트 누설전류, 아노드 전압에 의한 전자방출, 전자빔 퍼짐 등을 크게 개선할 수 있는 효과가 있다.
전계 방출 소자, 전계 에미터, 탄소 나노튜브,-
公开(公告)号：KR100503421B1
公开(公告)日：2005-07-22
申请号：KR1020030031903
申请日：2003-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L21/31691 , H01L51/0051 , H01L51/0525 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명의 전계 효과 트랜지스터는, 게이트 전계 무 인가시 표면에 홀 전하들이 유입되지 않는 제1 상태와 네가티브 전계가 인가됨에 따라 표면에 다량의 홀 전하들이 유입되어 도전성 채널을 형성하는 제2 상태를 선택적으로 나타내는 절연체-반도체 상전이 물질막을 포함한다. 절연체-반도체 상전이 물질막 위에는 게이트 절연막이 배치되고, 절연체-반도체 상전이 물질막에 일정 크기의 네가티브 전계를 인가시키기 위한 게이트 전극이 게이트 절연막 위에 형성된다. 소스 전극 및 드레인 전극은 절연체-반도체 상전이 물질막이 제2 상태에 있는 동안 도전성 채널을 통해 캐리어가 이동하도록 절연체-반도체 상전이 물질막 양 쪽에서 상호 마주보도록 배치된다.
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公开(公告)号：KR100467555B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020020075291
申请日：2002-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01G7/06 , H01G4/1227
Abstract: Provided is a microwave tunable device including a ferroelectric/dielectric (Ba1-x,Srx)TiO3 (BST) thin film that can reduce dielectric loss of a ferroelectric/dielectric BST thin film. The microwave tunable device of the present research includes: a substrate; and a ferroelectric/dielectric (Ba1-x,Srx)TiO3 (BST) thin film of a (111) direction which is formed on the substrate. The technology of this research embodies a microwave tunable device by using a ferroelectric/dielectric BST thin film grown in the (111) direction to overcome the limitation of conventional technologies and improve the problem of dielectric loss.
Abstract translation: 提供一种微波可调器件，其包括能够降低铁电/电介质BST薄膜的介电损耗的铁电/电介质（Ba1-x，Srx）TiO3（BST）薄膜。 本研究的微波可调器件包括：基板; 以及形成在衬底上的（111）方向的铁电/电介质（Ba1-x，Srx）TiO3（BST）薄膜。 这项研究的技术体现了微波可调器件，通过使用在（111）方向上生长的铁电/电介质BST薄膜克服了传统技术的限制并改善了介电损耗问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040104773A
公开(公告)日：2004-12-13
申请号：KR1020030035556
申请日：2003-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor using a vanadium dioxide layer as a channel region and a manufacturing method thereof are provided to reduce the limit of a channel length, thereby improving a switching speed and a degree of integration by forming a vanadium dioxide layer in a channel region. CONSTITUTION: A vanadium dioxide layer(120) is formed on a substrate(110). A source electrode(130) and a drain electrode(140) are formed to connect the vanadium dioxide layer. A dielectric material layer(150) is formed on the source electrodes, the drain electrode and the vanadium dioxide layer. A gate electrode(160) is formed on the dielectric material layer. When a voltage is applied to the gate electrode, holes are diffused from the dielectric material layer to the vanadium dioxide layer. The diffused holes induce a channel in the vanadium dioxide layer by a sudden phase transition of metal and dielectric, thereby increasing current intensity in spite of a small area transistor.
Abstract translation: 目的：提供使用二氧化钒层作为沟道区域的场效应晶体管及其制造方法，以减小沟道长度的限制，从而通过在沟道中形成二氧化钒层来提高开关速度和整合度 地区。 构成：在基底（110）上形成二氧化钒层（120）。 形成源电极（130）和漏电极（140）以连接二氧化钒层。 在源电极，漏电极和二氧化钒层上形成介电材料层（150）。 在电介质材料层上形成栅电极（160）。 当向栅电极施加电压时，空穴从电介质材料层扩散到二氧化钒层。 扩散的空穴通过金属和电介质的突然相变导致二氧化钒层中的通道，从而增加电流强度，尽管面积小的晶体管。
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公开(公告)号：KR1020010057751A
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：KR1019990061149
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/08
Abstract: PURPOSE: An ultra high frequency modulation laser optical generator of complex resonator structure is provided to secure technology to generate continuous wave laser by adjusting polarization controller from single laser optical generator. CONSTITUTION: An ultra high frequency modulation laser optical generator is composed of a ring type optical fiber laser resonator(10), a linear optical fiber laser resonator(20), and 50% optical fiber combinator(30) to combine two resonator(10,20). The ring type optical fiber laser resonator(10) is composed of a 10m light amplified fiber(LAF)(11) for optical amplification, a 20m distribution compensation fiber(DSF)(12) for nonlinear polarization effect, an optical direction controller(13), and a polarization controller(14). The linear optical fiber laser resonator(20) is composed of a mirror(23a,23b) having real 100% reflectivity which is arranged at both end, a 20m distribution compensation fiber(DSF), and a polarization controller(21).
Abstract translation: 目的：提供一种复合谐振器结构的超高频调制激光光学发生器，通过调整单激光光发生器的偏振控制器，确保技术生成连续波激光。 构成：超高频调制激光光发生器由环形光纤激光谐振器（10），线性光纤激光谐振器（20）和50％的光纤组合器（30）构成，将两个谐振器（10， 20）。 环型光纤激光谐振器（10）由用于光放大的10m光放大光纤（LAF）（11），用于非线性偏振效应的20m分布补偿光纤（DSF）（12），光学方向控制器（13） ）和偏振控制器（14）。 线性光纤激光谐振器（20）由布置在两端的实际100％反射率的反射镜（23a，23b），20m分布补偿光纤（DSF）和偏振控制器（21）构成。
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公开(公告)号：KR1020000033402A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980050247
申请日：1998-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/22
CPC classification number: H01L39/2496
Abstract: PURPOSE: An object of a method for producing high temperature high conductive stepped edge josepson joint is to provide a high temperature high conductive stepped edge josepson joint which is to be recycled by simplifying procedures of production. CONSTITUTION: A method for producing high temperature high conductive stepped edge josepson joint includes first thru third steps. In the first step, a stepped edge is formed on a board(1). In the second step, a metal foil is formed on the stepped edge on the board. In the third step, a micro bridge pattern is formed on the metal foil by way of photo lithography and ion milling, and The micro bridge pattern is treated with heat for better characteristics.
Abstract translation: 目的：制造高温高导电台阶边缘吉普森接头的方法的目的是提供一种通过简化生产程序来再循环的高温高导电阶梯边缘乔普森接头。 构成：一种生产高温高导电台阶边缘松木接头的方法，包括第一至第三步骤。 在第一步骤中，在板（1）上形成台阶边缘。 在第二步骤中，在板上的阶梯状边缘上形成金属箔。 在第三步中，通过光刻和离子铣削在金属箔上形成微桥图案，并且用热处理微桥图案以获得更好的特性。
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公开(公告)号：KR100228398B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960067599
申请日：1996-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B23K26/0665 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/0648
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
레이저 어블레이션을 이용한 미세 건식식각장치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 빛을 도파시킬 수 있는 광섬유를 사용하되, 이 광섬유 출구 한 끝을 원뿔형으로 가공하여 도파된 빛을 렌즈의 사용없이 레이저 어블레이션을 발생시키기 위해 필요한 에너지 밀도를 얻고, 이 집적된 에너지를 이용하여 미세 스트립 선로의 폭 및 면적을 직접 식각하므로써 박막집적소자의 표면 정전용량 및 인덕턴스의 미세조정 등을 가능하게 하는 레이저 어블레이션을 이용한 미세 건식식각 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 자외선 빔을 발생하는 수단; 상기 레이저 발생수단에서 방사되는 레이저 빔의 전달경로를 제공하는 광섬유 도파관; 상기 레이저 발생수단과 광섬유 도파관 사이에 장착되어 광섬유내로 레이저 빔이 입사되도록 집중시키는 수단; 및 상기 광섬유도파관의 출구에서 출력된 빔에 의해 식각재료가 소정각도에서 식각되도록 위치조절하는 샘플 플랫포옴을 포함하는 레이저 어블레이션을 이용한 미세 건식식각장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
박막위에 형성된 마이크로 스트립선로의 폭 및 면적의 미세조정을 레이저 어블레이션을 이용하여 직접적인 건식식각을 통하여 이루므로써 집적소자의 표면정전 용량 및 인덕턴스의 미세조정을 가능하게 하는 것임,-
公开(公告)号：KR100216547B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019970019248
申请日：1997-05-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P11/00
Abstract: 본 발명은, 마이크로파용 고온초전도 4-극 대역통과 필터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 초고주파 특성이 우수한 고온 초전도 에피택셜 박막 위에 실제로 설계 과정이나 소자 제조공정을 고려하여 마이크로스트립 폐루프형 공진기와 마이크로스트립 결합선을 집적하는 방식으로 구현하고, 저온 마이크로파 특성에 영향을 주지 않기 위해 입출력단에 금속 패드를 증착하며, 초전도성의 열화가 유도되는 것을 방지하기 위해 습식 식각 보다 건식 식각에 치중하는 식각 방식을 포함하는 고온 초전도 대역통과 필터 및 그 제조 방법이며, 신호를 거의 손실없이 통과시키고, 통과대역 양단의 저지대역에서는 스커트(skirt) 특성이 좋아서 효과적인 신호 전송 저지 기능과 잡음 제거 기능이 있다.
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