Abstract:
초소형 광디스크의 보호층 형성에 이용되는 지그 및 이를 이용한 보호층 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 이용되는 지그는 바디와, 상기 바디 내에 일정 깊이로 광디스크 원판이 장착되는 원통 형태의 월(wall)을 포함한다. 상기 원통 형태의 월의 중심부에는 광디스크 원판의 중심홀과 결합될 수 있는 핀이 위치한다. 이렇게 지그를 이용하여 보호층을 형성할 경우, 제조 공정이 간단하고 균일하게 보호층을 형성함으로써 광디스크의 제조비용을 크게 감소시킬 수 있다.
Abstract:
강유전체 박막을 이용한 PBG 구조의 위상 변위기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 위상 변위기는 마이크로파의 입출력 선로를 구성하는 마이크로스트립 전송 선로와, 상기 마이크로스트립 전송 선로상에 일정 간격으로 배치되어 있는 복수의 가변 축전기를 구비한다. 상기 기판상에는 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 전극이 형성되어 있고, 고주파 RF 신호가 DC 바이어스 단으로 흘러 들어가는 것을 차단할 수 있도록 상기 전극과 상기 마이크로스트립 전송 선로 사이에는 RF 초크 및 λ/4 래디얼 스터브(radial-stub)가 연결되어 있다. 상기 기판의 접지면에는 복수의 PBG (photonic band gap)가 주기적으로 형성되어 있다. 강유전체 박막, IDT, 축전기, PBG, 위상 변위기
Abstract:
본 발명은 기판 상에 형성된 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극에 접속된 전계 에미터를 가진 캐소드부와, 상기 전계 에미터를 에워싸는 형태로 그 주위 상부에 형성된 전계 방출 억제-게이트부와, 적어도 하나의 관통공을 갖는 금속 메쉬와 상기 금속 메쉬의 적어도 일영역에 형성된 유전체막을 구비하는 전계 방출 유도-게이트부를 포함하는 전계방출소자 및 이를 이용한 전계방출 표시장치를 제공한다. 이를 통해서, 종래 기술에 따른 전계 방출 소자의 문제점인 게이트 누설전류, 아노드 전압에 의한 전자방출, 전자빔 퍼짐 등을 크게 개선할 수 있는 효과가 있다. 전계 방출 소자, 전계 에미터, 탄소 나노튜브,
Abstract:
본 발명의 전계 효과 트랜지스터는, 게이트 전계 무 인가시 표면에 홀 전하들이 유입되지 않는 제1 상태와 네가티브 전계가 인가됨에 따라 표면에 다량의 홀 전하들이 유입되어 도전성 채널을 형성하는 제2 상태를 선택적으로 나타내는 절연체-반도체 상전이 물질막을 포함한다. 절연체-반도체 상전이 물질막 위에는 게이트 절연막이 배치되고, 절연체-반도체 상전이 물질막에 일정 크기의 네가티브 전계를 인가시키기 위한 게이트 전극이 게이트 절연막 위에 형성된다. 소스 전극 및 드레인 전극은 절연체-반도체 상전이 물질막이 제2 상태에 있는 동안 도전성 채널을 통해 캐리어가 이동하도록 절연체-반도체 상전이 물질막 양 쪽에서 상호 마주보도록 배치된다.
Abstract:
Provided is a microwave tunable device including a ferroelectric/dielectric (Ba1-x,Srx)TiO3 (BST) thin film that can reduce dielectric loss of a ferroelectric/dielectric BST thin film. The microwave tunable device of the present research includes: a substrate; and a ferroelectric/dielectric (Ba1-x,Srx)TiO3 (BST) thin film of a (111) direction which is formed on the substrate. The technology of this research embodies a microwave tunable device by using a ferroelectric/dielectric BST thin film grown in the (111) direction to overcome the limitation of conventional technologies and improve the problem of dielectric loss.
Abstract:
PURPOSE: A field effect transistor using a vanadium dioxide layer as a channel region and a manufacturing method thereof are provided to reduce the limit of a channel length, thereby improving a switching speed and a degree of integration by forming a vanadium dioxide layer in a channel region. CONSTITUTION: A vanadium dioxide layer(120) is formed on a substrate(110). A source electrode(130) and a drain electrode(140) are formed to connect the vanadium dioxide layer. A dielectric material layer(150) is formed on the source electrodes, the drain electrode and the vanadium dioxide layer. A gate electrode(160) is formed on the dielectric material layer. When a voltage is applied to the gate electrode, holes are diffused from the dielectric material layer to the vanadium dioxide layer. The diffused holes induce a channel in the vanadium dioxide layer by a sudden phase transition of metal and dielectric, thereby increasing current intensity in spite of a small area transistor.
Abstract:
PURPOSE: An ultra high frequency modulation laser optical generator of complex resonator structure is provided to secure technology to generate continuous wave laser by adjusting polarization controller from single laser optical generator. CONSTITUTION: An ultra high frequency modulation laser optical generator is composed of a ring type optical fiber laser resonator(10), a linear optical fiber laser resonator(20), and 50% optical fiber combinator(30) to combine two resonator(10,20). The ring type optical fiber laser resonator(10) is composed of a 10m light amplified fiber(LAF)(11) for optical amplification, a 20m distribution compensation fiber(DSF)(12) for nonlinear polarization effect, an optical direction controller(13), and a polarization controller(14). The linear optical fiber laser resonator(20) is composed of a mirror(23a,23b) having real 100% reflectivity which is arranged at both end, a 20m distribution compensation fiber(DSF), and a polarization controller(21).
Abstract:
PURPOSE: An object of a method for producing high temperature high conductive stepped edge josepson joint is to provide a high temperature high conductive stepped edge josepson joint which is to be recycled by simplifying procedures of production. CONSTITUTION: A method for producing high temperature high conductive stepped edge josepson joint includes first thru third steps. In the first step, a stepped edge is formed on a board(1). In the second step, a metal foil is formed on the stepped edge on the board. In the third step, a micro bridge pattern is formed on the metal foil by way of photo lithography and ion milling, and The micro bridge pattern is treated with heat for better characteristics.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 레이저 어블레이션을 이용한 미세 건식식각장치 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 본 발명은 빛을 도파시킬 수 있는 광섬유를 사용하되, 이 광섬유 출구 한 끝을 원뿔형으로 가공하여 도파된 빛을 렌즈의 사용없이 레이저 어블레이션을 발생시키기 위해 필요한 에너지 밀도를 얻고, 이 집적된 에너지를 이용하여 미세 스트립 선로의 폭 및 면적을 직접 식각하므로써 박막집적소자의 표면 정전용량 및 인덕턴스의 미세조정 등을 가능하게 하는 레이저 어블레이션을 이용한 미세 건식식각 장치를 제공함에 그 목적이 있다. 3. 발명의 해결방법의 요지 본 발명은, 자외선 빔을 발생하는 수단; 상기 레이저 발생수단에서 방사되는 레이저 빔의 전달경로를 제공하는 광섬유 도파관; 상기 레이저 발생수단과 광섬유 도파관 사이에 장착되어 광섬유내로 레이저 빔이 입사되도록 집중시키는 수단; 및 상기 광섬유도파관의 출구에서 출력된 빔에 의해 식각재료가 소정각도에서 식각되도록 위치조절하는 샘플 플랫포옴을 포함하는 레이저 어블레이션을 이용한 미세 건식식각장치를 제공한다. 4. 발명의 중요한 용도 박막위에 형성된 마이크로 스트립선로의 폭 및 면적의 미세조정을 레이저 어블레이션을 이용하여 직접적인 건식식각을 통하여 이루므로써 집적소자의 표면정전 용량 및 인덕턴스의 미세조정을 가능하게 하는 것임,
Abstract:
본 발명은, 마이크로파용 고온초전도 4-극 대역통과 필터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 초고주파 특성이 우수한 고온 초전도 에피택셜 박막 위에 실제로 설계 과정이나 소자 제조공정을 고려하여 마이크로스트립 폐루프형 공진기와 마이크로스트립 결합선을 집적하는 방식으로 구현하고, 저온 마이크로파 특성에 영향을 주지 않기 위해 입출력단에 금속 패드를 증착하며, 초전도성의 열화가 유도되는 것을 방지하기 위해 습식 식각 보다 건식 식각에 치중하는 식각 방식을 포함하는 고온 초전도 대역통과 필터 및 그 제조 방법이며, 신호를 거의 손실없이 통과시키고, 통과대역 양단의 저지대역에서는 스커트(skirt) 특성이 좋아서 효과적인 신호 전송 저지 기능과 잡음 제거 기능이 있다.