公开(公告)号：KR1019970054538A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052637

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박병선 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  양전욱 ,  김기홍 ,  박철순

IPC: H01L29/812

Abstract: 본 발명은 T-형 게이트 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 감광막을 도포하고 소정 부분이 중첩되도록 동일한 마스크를 이동시키면서 파장이 짧은 자외선으로 2번 노광시키고 현상하여 T-형의 개구를 형성하는 공정과, 상기 감광막에 실란 용액을 선택적으로 확산시켜 부피 팽창시키는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 금속을 증착하여 개구 내에 반도체 기판과 접촉되는 T-형의 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 제거하는 공정을 구비한다.
따라서, 해상력 한계 이하의 감광막 패턴을 형성할 수 있으며 재현성 및 균일도가 향상된다.

公开(公告)号：KR1019970054463A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052660

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기홍 ,  박병선 ,  오응기 ,  박철순

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 모스 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판상에 게이트 산화막과 감광막을 형성하는 고정과, 상기 감광막을 폭이 서로 다른 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 소정 부분이 중첩되도록 이동시키면서 2번 노광시키고 현상하여 상기 마스크들이 2번 중첩된 부분의 게이트 산화막이 노출되게 모두 제거되고 마스크들이 1번만 대응된 부분이 소정 두께가 남게되며 상기 소정 두께가 남는 부분의 일측이 타측보다 폭이 큰 비대칭 T형의 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구에 의해 노출된 부분의 게이트 산화막을 제거하여 반도체 기판을 노출시키고 상기 개구 내에 반도체 기판과 접촉되며 머리 부분이 일측이 타측 보다 폭이 큰 비대칭 T형의 게이트 전극을 형성하고 상기 감광막을 제거하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마 크로 사용하여 상기 반도체 기판에 제2도전형의 불순물을 머리 부분이 큰 일측에서 소정 각도로 제1이온 주입하고 열처리하여 상기 게이트 전극의 다리 부분과 타측에 형성된 것은 이격되며 일측에 형성되는 것을 소정 부분 중첩되는 저농도 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판에 제2도전형의 불순물을 고농도로 수직으로 제2이온 주입하고 열처리하여 게이트 전극의 타측에서 상기 저농도 영역을 포함하고 일측에서 상기 게이트 전극과 사이에 저농도 영역이 잔류되도록 고농도의 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 게이트 머리 부분의 단면적이 넓어 낮은 게이트 저항값을 가지므로 소자의 고속 동작이 가능하며, 소오스 영역에 저농도 영역이 없으므로 소오스 영역에서 전압의 강하가 감소되어 소자의 성능이 향상되고 채널의 길이가 줄어드는 효과가 없어지므로 소자의 신뢰성이 향상되고, 또한, 별도의 측벽을 형성하지 않고 게이트 전극을 이용하여 저농도 영역을 형성하므로 공정이 간단해진다.

公开(公告)号：KR1019970053530A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950051464

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  윤형섭 ,  김기홍 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：KR1019970008969B1

公开(公告)日：1997-06-03

申请号：KR1019940025477

申请日：1994-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기홍 ,  원용협

IPC: H04Q11/04

Abstract: The time-space-time segmentation type optical switch is used as an exchange fabric in an optical-cross-connector or an optical ATM switch which will process an amount of communication ranged from tens of Gbps to hundreds of Tbps. The time-space-time segmentation type optical switch including a plurality of first optical time switches(60) for exchanging time slots, an optical space switch(70) for receiving the outputs of the first optical time switches(60) to execute space exchanging, and a plurality of second optical time switches(80), comprises: each of said first optical time switches(60) comprised of a first optical switch(61) for inputting optical signals from n links to execute space exchanging, n first delayers(62) having different length to delay the time of the optical signals, and a coupling means(63) for coupling the outputs of the n first delayers(62) to output the coupled result to the optical space switch(70).

Abstract translation: 时空分割型光开关用作光交叉连接器或光ATM交换机中的交换结构，其将处理从几十Gbps到数百Tbps的通信量。 该时空分割型光开关包括用于交换时隙的多个第一光时间开关（60），用于接收第一光时间开关（60）的输出以执行空间交换的光空间开关（70） 和多个第二光学时间开关（80），包括：每个所述第一光学时间开关（60）包括用于输入来自n个链路的光信号以执行空间交换的第一光学开关（61），n个第一延迟器 62）具有不同的长度以延迟光信号的时间;以及用于耦合n个第一延迟器（62）的输出以将耦合结果输出到光学空间开关（70）的耦合装置（63）。

公开(公告)号：KR1019970024700A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950038258

申请日：1995-10-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 추광욱 ,  김기홍 ,  김병훈 ,  원용협

IPC: H04J14/00

Abstract: 본 발명은 광 신호의 왜곡을 보정하기 위한 2x2 광 스위치를 이용한 광 시간 역다중화 장치에 관한 것으로, 일측 입력단에 다중된 광신호를 입력받고, 타측 입력단에는 광 신호의 DC 광과 같은 세기의 DC 광원을 입력받아 제어단의 제어 신호에 의해 입력된 광 신호를 역다중화하여 출력하는 다수개의 2x2 광 스위치를 구비하여 광 시간 역다중화시 왜곡을 보정하여 광신호의 왜곡으로 인한 송수신 감도의 열화를 줄일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100110426B1

公开(公告)日：1997-01-09

申请号：KR1019930026431

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 추광욱 ,  김병훈 ,  신서용 ,  김기홍 ,  원용협

IPC: H04Q11/00

公开(公告)号：KR1019950009399B1

公开(公告)日：1995-08-22

申请号：KR1019920024200

申请日：1992-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최각진 ,  이찬길 ,  김기홍

IPC: H04B7/00

Abstract: The system is composed of ;a toll exchanger which has a coll rerouting function ;a server position register which is connected to nthe toll exchanger and can store and revise the information and position information of the server ;a connected and calling line portable phone station which is connected to server line of local exchanger ;a connected and calling line portable terminal which enables the connecting and calling line of the connected and calling line portable phone station through wireless interface.

Abstract translation: 该系统由具有重新路由功能的长途交换机组成;服务器位置寄存器，连接到收费交换机，可以存储和修改服务器的信息和位置信息;连接和呼叫线路便携式电话站， 连接到本地交换机的服务器线路;连接和呼叫线路便携式终端，通过无线接口实现连接和呼叫线路便携式电话站的连接和呼叫线路。

公开(公告)号：KR1019950004645B1

公开(公告)日：1995-05-03

申请号：KR1019920026134

申请日：1992-12-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대호 ,  김호영 ,  정영주 ,  김기홍 ,  김도욱 ,  박영옥

IPC: H04L7/00

Abstract: The system comprises a parallel partial correlator(21) for partially correlating received signals and PN codes in parallel to output the correlating result, an integrator(23) for integrating output of a low pass filter(22), a comparator(24) for comparing threshold with output of the integrator to output the compared result, and a synchronization controller(25) for outputting an initial synchronization identification signal if the output of the integrator(23) is bigger than threshold.

Abstract translation: 该系统包括并行部分相关器（21），用于并行地接收接收信号和PN码以输出相关结果;积分器（23），用于积分低通滤波器（22）的输出;比较器（24），用于比较 阈值与积分器的输出以输出比较结果;以及同步控制器（25），用于如果积分器（23）的输出大于阈值则输出初始同步识别信号。

公开(公告)号：KR1019950000095B1

公开(公告)日：1995-01-09

申请号：KR1019910024263

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 송민규 ,  김기홍 ,  윤형진

IPC: H01L21/56

Abstract: The method improves the characteristics of the package of the semiconductor device by adopting the metal pattern film instead of conventional wire bonding. The method comprises (a) step for forming the MPFC: a hole is shaped on the both sides of the thin copper layer (20) as the same size with semiconductor chip (1), bump (16) forming process on the both sides of the copper layer (20) after deposition of the dry film, pattern forming process on the both sides of the metal layer (14)(15) by wet etching, insulator layer etching process on the both sides of the copper layer (20); (b) step for connecting the semiconductor chip (1) and lead frame (2); (c) step for plastic molding.

Abstract translation: 该方法通过采用金属图案膜而不是常规的引线接合来改善半导体器件的封装的特性。 该方法包括（a）用于形成MPFC的步骤：在薄铜层（20）的两侧上形成与半导体芯片（1）相同尺寸的孔，在两侧形成凸块（16） 在沉积干膜之后的铜层（20），通过湿蚀刻在金属层（14）（15）的两侧上的图案形成工艺，在铜层（20）的两侧上进行绝缘体蚀刻工艺; （b）用于连接半导体芯片（1）和引线框架（2）的步骤; （c）塑料成型步骤。

公开(公告)号：KR1019930014849A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910024263

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 송민규 ,  김기홍 ,  윤형진

IPC: H01L21/56

Abstract: 본 발명은 고주파용 반도체 장치의 칩(혹은 다이(die))를 플라스틱 팩키지(packaging)하는 방법에 관한 것으로 인쇄회로기판 제조방법으로 양면동박판(20)에 MPFC(Metal Pattern Film Carrier)의 패턴을 형성한 후, MPFC를 사용하여 반도체칩(1)과 리드프레임(2)을 접속하고 이어 플라스틱으로 몰딩(molding)하는 단계를 포함함으로써 종래의 와이어 본딩(wire bonding)에서 생기는 와이어 인덕턴스 및 몰딩시의 와이어 끊김등과 같은 결점을 보완하여 장치의 조립공정을 향상시킨다.