-
公开(公告)号：KR1020150064496A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130149294
申请日：2013-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/12
Abstract: 본발명은기판상에형성된버퍼층; 개구영역을포함하는마스크패턴과, 상기마스크패턴의개구영역을채우며상기마스크패턴상에형성된반도체막이교대로적층되어다층구조로형성되며, 상기버퍼층상에형성된분산브래그반사기(DBR:Distributed Bragg Reflector); 및상기분산브래그반사기(DBR:Distributed Bragg Reflector) 상에형성된발광구조를포함하는발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法。 发光二极管装置包括形成在基板上的缓冲层，分布布拉格反射器（DBR），其通过交替堆叠包括开口区域的掩模图案和填充开口区域的半导体膜形成多层结构 掩模图案并形成在掩模图案上并形成在缓冲层上，以及形成在DBR上的发光结构。
-
公开(公告)号：KR1020140091093A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020120152409
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/32 , H01L21/02389
Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor substrate. The method includes a step of forming a blocking pattern which surrounds the edge of a substrate, a step of forming a relaxation layer on the front surface of the substrate except for the blocking pattern, and a step of forming an epi semiconductor layer on the blocking pattern and the relaxation layer. Here, the epi semiconductor layer is not grown on the blocking pattern and gradually covers the blocking pattern by a selective isotropy growth method by which the epi semiconductor layer is isotropically grown on the sidewall and the upper part of the relaxation layer.
Abstract translation: 公开了半导体基板的制造方法。 该方法包括形成围绕衬底边缘的阻挡图案的步骤，除了阻挡图案之外在衬底的前表面上形成弛豫层的步骤，以及在阻挡层上形成外延半导体层的步骤 图案和松弛层。 这里，外延半导体层不是在阻挡图案上生长，并且通过选择性各向同性生长方法逐渐覆盖阻挡图案，通过该方法，外延半导体层在弛豫层的侧壁和上部上各向同性地生长。
-
公开(公告)号：KR100818635B1
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：KR1020070054885
申请日：2007-06-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: H01S3/09415 , H01S3/10053 , H01S3/1127 , H01S5/06258
Abstract: A self oscillating laser diode is provided to develop a stable ultra short pulse laser by injecting an RF, and to develop an active ultra short pulse laser with a low cost by using a sub-harmonic RF locking structure. A self oscillating laser diode comprises a DFB(distributed feedback) sector(100), a gain sector(200), a phase adjusting sector(300), and an external RF inputting part(500). The DFB sector performs a role of a reflector. The gain sector is connected with the DFB sector, and an as-cleaved facet is formed in an end of the gain sector. The phase adjusting sector positioned between the DFB sector and the gain sector. The external RF inputting part injects an external RF signal to at least one sector of the DFB sector and the gain sector. The external RF inputting part is embodied by an impedance-matched module.
Abstract translation: 提供了一种自激振荡激光二极管，通过注射RF来开发稳定的超短脉冲激光器，并通过使用次谐波RF锁定结构开发低成本的有源超短脉冲激光器。 自振荡激光二极管包括DFB（分布式反馈）扇区（100），增益扇区（200），相位调整扇区（300）和外部RF输入部分（500）。 DFB扇区执行反射器的作用。 增益扇区与DFB扇区连接，并且在增益扇区的末端形成一个切割面。 相位调整扇区位于DFB扇区和增益扇区之间。 外部RF输入部分将外部RF信号注入DFB扇区和增益扇区的至少一个扇区。 外部RF输入部分由阻抗匹配模块实现。
-
公开(公告)号：KR100809401B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060056530
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 노광 한계치 이하의 선폭의 팁을 가지는 광 도파층을 구비한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 화합물 반도체 기판상에 다층의 액티브층을 형성한다음, 상기 다층의 액티브층 상부에 하드 마스크막을 형성한다. 그후, 상기 하드 마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴과 하드 마스크막의 밀착력을 개선시키기 위해 상기 포토레지스트 패턴을 베이킹한다. 그 후에, 상기 베이킹된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 하드 마스크막을 언더컷 식각하여 하드 마스크 패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 하드 마스크 패턴의 형태로 상기 다층의 액티브층을 식각하여, 광 도파층을 형성한다.
언더컷, BOE, 실리콘 질화막, 광 도파층-
公开(公告)号：KR1020070059875A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056530
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: H01S3/09415 , H01S3/0315 , H01S5/2013 , H01S5/2077
Abstract: A method of manufacturing a semiconductor laser diode with a fine optical waveguide layer is provided to improve an optical output characteristic by manufacturing the reproducible fine optical waveguide layer having a line width under an exposure limit without a long time process by undercut-etching a hard mask film. A method of manufacturing a semiconductor laser diode with a fine optical waveguide layer includes the steps of: forming a multi-layered active layer on a compound semiconductor substrate(100); forming a hard mask film on a top of the multi-layered active layer; forming a photo-resist pattern(140) on a top portion of the hard mask film; baking the photo-resist pattern(140) to improve adhesion between the photo-resist pattern(140) and the hard mask film; forming a hard mask pattern by undercut-etching the hard mask film by using the baked photo-resist pattern(140) as a mask; removing the photo-resist pattern(140); and forming an optical waveguide layer by the multi-layered active layer in a shape of the hard mask pattern.
Abstract translation: 提供一种制造具有精细光波导层的半导体激光二极管的方法，以通过对硬掩模进行底切蚀刻来制造具有暴露极限的线宽度的可再现的精细光波导层，从而提高光输出特性，而不需要长时间的处理 电影。 制造具有精细光波导层的半导体激光二极管的方法包括以下步骤：在化合物半导体衬底（100）上形成多层有源层; 在所述多层有源层的顶部上形成硬掩模膜; 在所述硬掩模膜的顶部上形成光刻胶图案（140）; 烘烤光刻胶图案（140）以改善光刻胶图案（140）和硬掩模膜之间的粘附性; 通过使用烧结光刻胶图案作为掩模，通过对硬掩模膜进行底切蚀刻来形成硬掩模图案; 去除所述光刻胶图案（140）; 以及通过所述多层有源层以硬掩膜图案的形状形成光波导层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070034915A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020050119285
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/26
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: Provided is an apparatus and method for simultaneous optical wavelength conversion and optical clock signal extraction using semiconductor optical amplifiers (SOAs). The apparatus includes: a wavelength converter receiving a pump beam having input information and a probe beam having a different wavelength from the pump beam, and outputting the pump beam with an overshoot shifted to a red wavelength and an undershoot shifted to a blue wavelength due to non-linear characteristics and self-phase modulation of semiconductor optical amplifiers (SOAs) and the probe beam delivered the input information from the pump beam; an optical divider dividing output paths of the probe beam to which the input information has been delivered and the pump beam having the overshoot and the undershoot; a converted-wavelength extractor filtering the probe beam received from the optical divider; and a clock data regenerator obtaining a pseudo return-to-zero (PRZ) signal from the pump beam received from the optical divider and extracting a clock signal from the PRZ signal. The apparatus and method can simultaneously perform wavelength conversion and optical clock signal extraction on an NRZ signal using an optical method, without converting the NRZ signal into an electrical signal.
Abstract translation: 提供了一种使用半导体光放大器（SOA）同时进行光波长转换和光时钟信号提取的设备和方法。 该设备包括：波长转换器，接收具有输入信息和具有与泵浦光束不同的波长的探测光束的泵浦光束，并且输出泵浦光束，其中过冲转换为红色波长，并且下冲由于 非线性特性和半导体光放大器（SOA）的自相位调制，并且探测光束传送来自泵浦光束的输入信息; 光分配器，用于分配输入信息已被传送到的探测光束的输出路径和具有过冲和下冲的泵浦光束; 转换波长提取器，对从分光器接收的探测光束进行滤波; 以及时钟数据再生器，从来自光分配器的泵浦光束中获得伪归零（PRZ）信号，并从PRZ信号中提取时钟信号。 该设备和方法可以使用光学方法在NRZ信号上同时执行波长转换和光时钟信号提取，而无需将NRZ信号转换为电信号。
-
公开(公告)号：KR1020060068367A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107030
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3403 , H01S5/34373
Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드Abstract translation: 本发明中，在量子阱层和势垒层的有源层和包覆层隧穿到所述光学半导体元件的量子阱层和一个接一个比具有（隧穿势垒）的势垒的势垒层的材料的带隙能量被配置为光学半导体元件 在有源层中增加了电子和空穴等载流子的限制效应，以提供在高温和高工作电流下改善驱动特性的光学半导体器件。
-
公开(公告)号：KR1020060055667A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040094583
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/13 , G02B2006/12128 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 완충층, 활성층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 보호층 상에 소정의 폭을 가지는 제1 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 완충층이 노출되도록 상기 보호층 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 식각된 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 완충층의 일부분을 피복하여 상기 활성층 및 상기 보호층보다 넓은 폭을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크로 피복되지 않은 곳에만 선택적으로 제1 전류차단층 및 제2 전류차단층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 상기 결과물의 전체 상부면에 클래드층 및 콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 기술보다 추가적인 공정이 단순하여 전기적 특성의 향상뿐만 아니라 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 광소자, 선택적 성장, 전류차단층, 반절연성, p/n 동종접합면, 활성층, 마스크, 클래드층-
公开(公告)号：KR100526999B1
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020020079599
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/028 , H01S5/0623 , H01S5/06258 , H01S5/0658 , H01S5/1215 , H01S5/1237 , H01S5/2081 , H01S5/2226 , H01S5/3213 , H01S5/32333 , H01S2301/173
Abstract: 본 발명은 자발적 펄스를 발생하는 다영역 DFB 레이저 다이오드에 굴절 변화층을 부가시켜 이들 굴절 변화층의 유효 굴절율의 차이에 의해 두 DFB 영역의 브라그 파장에 차이를 쉽게 조절함과 동시에 변조지수의 향상을 도모하는 것이다.
-
公开(公告)号：KR100453814B1
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020020007011
申请日：2002-02-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: G02B6/124 , H01S5/1203 , H01S5/1215 , H01S5/1231
Abstract: A semiconductor optical device with a differential grating formed by a holography method and a method for manufacturing the same are provided. The provided semiconductor optical device includes an n-type InP substrate, a stack structure on the InP substrate having a waveguide and active layers, a first grating formed under the stack structure and on the InP substrate, and a second grating formed on the stack structure. The provided method for manufacturing the semiconductor optical device forms a first grating on the n-type InP substrate and under the active layer, and forms a second grating on the active layer. The first and second gratings are formed by the holography method.
Abstract translation: 提供了一种通过全息方法形成的具有差分光栅的半导体光学器件及其制造方法。 所提供的半导体光学器件包括n型InP衬底，具有波导和有源层的InP衬底上的堆叠结构，在堆叠结构下和InP衬底上形成的第一光栅以及形成在该堆叠结构上的第二光栅 。 所提供的用于制造半导体光学器件的方法在n型InP衬底上和有源层下方形成第一光栅，并在有源层上形成第二光栅。 第一和第二光栅通过全息方法形成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.024 seconds)
