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公开(公告)号：KR1019990042553A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063395
申请日：1997-11-27
Abstract: 본 발명은 광소자 제조 방법에 관한 것으로 특히, 집적형 광소자 제조에 필수적인 선택결정성장(Selective Area Growth)법에 있어서 선택결정성장층의 면 방향특성을 고려한 절연막 패턴을 이용하는 선택결정성장법에 관한 것으로, 선택결정성장층의 전기적 광학적 특성의 저하를 방지하기 위하여 절연막 패턴의 경계면에서의 결정성장의 면 방향 특성을 고려하여 결함의 발생을 억제할 수 있는 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장법으로 결정성장을 한다. 그 실시예로서, 직사각형 모양으로 이루어지되, 연속된 직각이등변삼각형의 빗변이 상기 직사각형의 두변을 이루어 길이 방향으로 가장자리에 산과 골이 반복되는 톱니모양을 갖는 두 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장을 실시한다.
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公开(公告)号：KR100204067B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960061701
申请日：1996-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 기술은 여러 단계의 전류흐름 상태를 갖도록 하기 위하여 여러 개의 소자로 구성되기 때문에 그 구성 및 공정이 복잡하고, 특성 또한 우수하지 못할 뿐만 아니라, 게이트 전압 변화에 대한 여유도가 작은 출력 특성을 나타내는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트 아래의 채널 사이의 도전층에 절연층을 삽입함으로써 드레인과 게이트 사이에서 채널층과 절연층 채널층이 반복되도록 구성하여 인가된 게이트 전압의 크기에 다라 절연층에 의해 게이트와 드레인 사이에 있는 구분된 채널이 선택되도록하여 여러 단계의 전류흐름 상태를 만들 수 있는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
게이트 전압에 따라 전류의 흐름을 선택할 수 있는 스위칭 회로에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100163742B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940036029
申请日：1994-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 개선된 T형 게이트를 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해 제작된 공중교각(airbridge) 형태의 T-게이트에 의하면, 게이트 금속이 화학적인 방법으로 증착된 절연막에 의해 접촉되기 때문에 종래의 포토레지스트와 게이트 금속 사이에서 나타날 수 있는 계면에 따른 측면방향의 Au 성장을 억제할 수 있으며, 금속선 간의 단락의 발생을 방지할 수 있기 때문에 금속선 간의 간격을 줄일 수 있다.
또한, 공정을 안정화시킴과 아울러 단순화시킬 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980050969A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069817
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다중게이트의 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
좁은 간격의 다중 게이트 전극을 가지는 소자를 제어성 좋게 제조할 수 있도록 하기 위함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
선택성장 방법으로 한 번의 리소그라피 공정으로 리세스 식각을 할 수 있고, 에피층 두께, 도핑농도를 조절하여 소자의 특성을 조절할 수 있고, 리소그라피 공정으로 게이트를 형성하여 선폭이 작은 다중 게이트를 손쉽게 형성함으로써 좁은 간격의 다중 게이트 전극을 가지는 소자를 제작할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조-
公开(公告)号：KR1019980050964A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069812
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K23/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다이나믹 주파수 분주기.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
저주파에서의 동작 특성 저하를 개선하기 위한 다이나믹 분주기를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1의 인버터와 상기 인버터에 입력과 출력에 다른 인버터를 교차로 연결시킨 제 1의 래치단과 통과 트랜지스터, 그리고 제2의 인버터와 상기 인버터에 연결된 제 2의 래치단, 그리고 제3의 인버터와 통과 트랜지스터로 구성하고, 이에 따라 종래의 다이나믹 분주기의 인버터에 또 다른 인버터의 입출력을 교차 접속시켜 구성된 래치가 구동 트랜지스터의 게이트-소오스간 캐패시턴스의 충방전에 의한 신호 지연작용을 래치단이 수행하도록 함.
4. 발명의 중요한 용도
저주파에서도 동작이 가능한 주파수 분주기.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980046585A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960064945
申请日：1996-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광검출기 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
비교적 낮은 제작 단가로 기판에 수직으로 입사한 빛을 효과적으로 흡수할 수 있는 구조를 갖으며 기존의 집적회로 제작 공정과 양립할 수 있는 적외선 감지 광검출기 및 그 제조방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1 도전형의 화합물 반도체 기판; 소정부위의 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판내에 일정간격을 두고 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판과 반대형의 불순물이 이온주입된 도핑된 초격자 영역; 상기 도핑된 초격자 영역의 수직한 양단에 형성된 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역; 상기 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역상에 형성된 각각의 제1 컬렉터 전극 및 제1 에미터 전극; 상기 도핑된 초격자 영역의 수평 방향으로 소정거리 이격되어 위치한 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역; 및 상기 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역상에 형성된 각각의 제2 컬렉터 전극 및 제2 에미터 전극을 구비하여 이루어진 적외선 감지 광검출기를 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
광검출기 제조 공정에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019980044611A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062713
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게 된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.
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公开(公告)号：KR1019980044007A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061998
申请日：1996-12-05
IPC: H01S3/0947
Abstract: 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작 하므로서 안정된 광출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다.
고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각 할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광력합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력의 형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력의 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 흔정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화 시켜 고출력 동작시에도 고차모드 동작을 억제 시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작 하게 하는 구조의 제작에 있다.-
公开(公告)号：KR100119274B1
公开(公告)日：1997-09-30
申请号：KR1019930026789
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: A fabrication method of electro-plating inductors is provided to improve reproductivity and uniformity. The method comprises the steps of: defining an inductor pattern on a first exposing layer(2); depositing double metal layer(3) and a second exposing layer(4) having thick thickness compared to the first exposing layer(2); defining a final inductor pattern; growing a gold wire by electro-plating method; and forming an inductor by over-etching the second exposing layer(4), the double metal layer(3), and the first exposing layer(2). Thereby, it is possible to improve reproductivity and uniformity of elector-plating inductor.
Abstract translation: 提供电镀电感器的制造方法以提高再现性和均匀性。 该方法包括以下步骤：在第一曝光层（2）上限定电感图案; 与第一曝光层（2）相比，沉积具有厚度厚度的双金属层（3）和第二曝光层（4）; 定义最终的电感器图案; 通过电镀法生长金线; 以及通过过蚀刻第二曝光层（4），双金属层（3）和第一曝光层（2）形成电感器。 因此，可以提高电镀电感器的再生性和均匀性。
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公开(公告)号：KR1019970054969A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052687
申请日：1995-12-20
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위한 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체기판의 하부 표면과 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공긴기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1 및 제2P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하 밀도와 이득 분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간 홀버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.
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