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公开(公告)号：CN103569941B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310345497.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00253 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法。公开了用于形成封装的MEMS器件的系统和方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括：具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；以及与膜相邻的背板。封装的MEMS器件进一步包括灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。
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公开(公告)号：CN104220365B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380018033.2
申请日：2013-03-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B7/0077 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00309 , B81C1/0065
Abstract: 一种半导体器件。所述器件包括具有电气轨迹的基底、安装到所述基底上的MEMS裸晶和半导体芯片中的至少一个和间隔件。所述间隔件具有连接到所述基底的第一端并且包括耦合至所述电气轨迹的电气互连。所述至少一个MEMS裸晶和半导体芯片包含在所述间隔件中。所述间隔件和基底形成包含所述至少一个MEMS裸晶和半导体芯片的腔。当半导体器件经由间隔件的第二端安装到电路板时，所述腔形成声学容积。
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公开(公告)号：CN105830465A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069255.1
申请日：2014-10-29
Applicant: 美商楼氏电子有限公司
CPC classification number: H04R31/00 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/15151 , H01L2924/16152 , H04R1/04 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2410/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)麦克风，包括具有延伸穿过的端口的基底。MEMS晶片耦接到该基底，并且该MEMS晶片包括隔膜和背板。专用集成电路(ASIC)耦接到该基底和该MEMS晶片。盖被耦接到基底，并且该盖包括客户盘。该盖上客户盘电连接到该ASIC，并且该盖被设置为与该基底形成气密密封并且包围该MEMS晶片和该ASIC。该麦克风在该盖处连接到客户板并且被设置为使得声音穿过该基底中的该端口进入。
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公开(公告)号：CN102572662B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210028878.7
申请日：2006-04-21
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: H04R3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H04R19/005 , H04R2499/11
Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。
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公开(公告)号：CN103917484B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280044812.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2499/11
Abstract: 微加工过程在晶片上形成多个层。该多个层包括支承层和给定层两者。过程还至少部分在支承层上形成掩模，其具有掩模孔。在该配置中，支承层安置在掩模孔与给定层之间，并且使掩模孔与给定层纵向间隔开。过程还通过掩模孔将特征蚀刻到给定层内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633061A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511028485.6
申请日：2015-11-20
Applicant: 塞瑞斯逻辑公司
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0257 , B81C1/00698 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2307/025 , H01L23/642 , H01L29/0646
Abstract: 在具有多晶硅层的电子器件中，可以使用完全耗尽区以降低多晶对衬底的寄生电容。当所述完全耗尽区至少部分地位于所述电子器件下方时，在所述完全耗尽区和所述衬底区之间形成附加寄生电容。所述附加寄生电容与所述电子器件的多晶硅层和所述掺杂区之间的第一寄生电容串联耦合。所述第一寄生电容和所述附加寄生电容的串联组合导致电子器件所经受的寄生电容整体下降。所述结构可以包括所述电子器件的侧上的两个掺杂区以基于所述掺杂区和所述衬底区中掺杂剂的横向相互作用来形成完全耗尽区。
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公开(公告)号：CN103964376B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310148440.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , B81B2207/012 , B81C1/00039 , B81C1/00261 , B81C2203/035
Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
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公开(公告)号：CN105592393A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510740656.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·S·萨尔蒙
CPC classification number: H04R31/006 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/0792 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R31/00
Abstract: 一种MEMS麦克风封装和制造具有盖和基板帽的MEMS麦克风封装的方法。该盖包括导线结合搁架，其提供了MEMS麦克风内部用于针对内部导线结合部的连接点的表面。提供了沉积在结合搁架上的一个或多个导电迹线，以将内部电子构件经由导线结合部连接至基板帽。基板帽被构造以连接到外部装置或构件。内部电子构件包括MEMS麦克风芯片和专用集成电路。内部电子构件被构造用于将信号发送至外部电子器件，该信号代表由本文所述配置的MEMS麦克风芯片接收的声能。
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公开(公告)号：CN105502277A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410493916.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0257 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2201/0143 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提供一种MEMS麦克风及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面自下而上形成有牺牲层、振动膜和若干定极板；对半导体衬底的背面进行激光切割，直到暴露牺牲层，以形成切割口，其中，所述切割口位于半导体衬底背面对应定极板的区域边缘；在半导体衬底的背面和切割口内形成图案化的光刻胶层，暴露切割口内侧的半导体衬底；以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底的背面，直到暴露牺牲层，形成腔体；去除振动膜中间部位上方和下方的牺牲层，以在定极板和振动膜之间形成空腔。根据本发明的制作方法，改善了干法刻蚀中产生的腔体尺寸均匀性差的问题，提高了微型麦克风的声噪比性能。
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公开(公告)号：CN105492373A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480037949.7
申请日：2014-07-15
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
CPC classification number: H04R7/14 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/0023 , B81C2201/115 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/15192 , H04R1/04 , H04R19/016 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2307/027 , H01L2924/00014
Abstract: 一种具有高深厚比的褶皱振膜(200)的硅麦克风(10)。所述麦克风(10)包括柔性振膜(200)，在所述柔性振膜(200)上，至少一个环形褶皱(210)形成在固定在所述基底(100)上的所述振膜(200)的边缘的附近，其中，所述褶皱(210)的深度与所述振膜(200)的厚度的比大于5：1，优选地20：1，并且所述褶皱(210)的壁以80°至100°的角度范围相对于所述振膜(200)的表面倾斜。具有高深厚比的褶皱振膜(200)的麦克风(10)可以实现一致且最佳的灵敏度并且在跌落试验中减小了施加在其上的冲击，使得可以提高性能、可再现性、可靠性和产率。
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