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公开(公告)号：CN103872050B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310661354.6
申请日：2013-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐藤公敏
IPC: H01L27/06 , H01L21/8234 , G01L1/14 , G01L9/12
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L27/0617
Abstract: 本发明提供一种半导体压力传感器及其制造方法，其在压力传感器区域（16）上形成有包含固定电极（18a）、空隙（50）及可动电极（30d）在内的压力传感器，在CMOS区域（17）上形成有存储器单元晶体管和场效应型晶体管。与空隙（50）连通的蚀刻孔（46b）由第1封装膜（48b）进行闭塞。空隙（50）是通过将由与存储器单元晶体管的栅极电极（23a）相同的膜构成的部分去除而形成的。可动电极（30d）由与栅极电极（30c、30a、30b）相同的膜形成。
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公开(公告)号：CN106241724A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610008239.2
申请日：2016-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00293 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C1/00277 , B81B7/0032
Abstract: 本发明实施例提供了具有腔体的微机电系统(MEMS)结构，腔体使用掩模层气密密封。覆盖衬底布置在MEMS衬底上方，覆盖衬底包括可移动元件。覆盖衬底包括布置在可移动元件上方并开口至可移动元件的腔体，并且包括与腔体流体连通的密封开口。掩模层布置在覆盖衬底上方。掩模层突出在密封开口上方并且横向包围布置在密封开口上方的掩模开口。密封层布置在掩模层和掩模开口上方。密封层配置为气密密封腔体。本发明还提供了制造MEMS结构的方法。本发明实施例涉及微机电系统(MEMS)器件的晶圆级气密密封工艺。
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公开(公告)号：CN106145025A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510849489.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00293 , B81C2201/0112 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件。该IC器件包括第一衬底，第一衬底具有前侧和背侧。背侧包括延伸至第一衬底内的第一空腔。介电层设置在第一衬底的背侧上，并且包括对应于第一空腔的开口以及远离开口横向延伸并且终止于气体入口凹槽处的沟槽。位于第一衬底的前侧中的凹槽从前侧向下延伸至介电层。凹槽具有邻接下部侧壁的基本垂直的上部侧壁，下部侧壁从基本垂直的侧壁至介电层上的围绕气体入口凹槽的位置处向内锥形化。共形密封剂层布置在第一衬底的前侧上方、沿着基本垂直的上部侧壁和沿着下部侧壁。密封剂层气密密封气体入口凹槽。
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公开(公告)号：CN105987783A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610162031.6
申请日：2016-03-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 佐藤公敏
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81B2207/015 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , G01L9/0041 , G01L9/0042 , H01L29/84
Abstract: 关于半导体压力传感器(10)，固定电极(23b)是作为与第1电极(23a)相同的层而形成的。空隙(51)是通过去除由与第2电极(30c)相同的膜构成的部分、即牺牲膜(30d)而形成的。可动电极(39)包含对牺牲膜(30d)至少局部地开设了开口的锚固部分，该锚固部分将可动电极(39)隔着空隙(51)相对于固定电极(23b)进行支撑。锚固部分中的第1锚固部(101)配置为，通过将可动电极(39)在俯视观察时划分为多个可动电极单体(102)，由此，划分出的多个可动电极单体(102)中的彼此相邻的1对可动电极单体(102)共用同一第1锚固部。
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公开(公告)号：CN104280160B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310277644.0
申请日：2013-07-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 洪中山
CPC classification number: B81B7/007 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , G01L9/0073
Abstract: 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：衬底，所述衬底具有器件区，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层表面具有第一电极层；位于第一电极层表面的第二介质层，所述器件区的第二介质层具有若干第一开口；位于所述第一开口的侧壁表面的导电侧墙；位于第二介质层表面和第一开口内的第二电极层，所述第二电极层与第二介质层表面、导电侧墙表面和第一开口的底部表面之间具有空腔；位于第二电极层和第二介质层表面的第三介质层，所述第三介质层内具有暴露出器件区的第二电极层表面的第二开口。所述压力传感器的灵敏度得到提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104066676B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201280052704.2
申请日：2012-10-26
Applicant: 大陆汽车系统公司
IPC: H01L23/08
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , G01L19/147 , H01L2224/29188 , H01L2924/10155
Abstract: 一种半导体芯片通过玻璃烧料层被附接到衬底。可能在烧制玻璃烧料期间被困在所述芯片和所述玻璃烧料层之间的气体可以逃逸穿过由形貌形成靠着所述芯片的底部表面的通道，所述形貌延伸远离并基本上正交于所述芯片的底部。
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公开(公告)号：CN105916801A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480058712.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 西雷克斯微系统股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/01 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2201/0153 , B81C2201/036 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , H01L21/50 , H01L23/08 , H01L24/94 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。
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公开(公告)号：CN104280161B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310277659.7
申请日：2013-07-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 洪中山
CPC classification number: B81B3/0059 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81C1/00023 , B81C1/00134 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00373 , B81C1/00523 , G01L9/00 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073 , H01L41/113
Abstract: 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：具有器件区的衬底，所述衬底表面具有第一介质层；位于器件区的第一介质层表面的第二介质层，所述第二介质层具有台阶状侧壁；位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层，所述第一电极层具有位于第二介质层的台阶状侧壁表面的台阶区，所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层侧壁表面形貌相对应而呈台阶状；位于第一电极层表面的第二电极层，所述第二电极层和第一电极层之间电隔离，且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔，所述空腔内第二电极层表面形貌与空腔内第一电极层表面形貌相互对应而呈台阶状。所述压力传感器的灵敏度得到提高。
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公开(公告)号：CN103597330B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280026391.3
申请日：2012-05-31
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC classification number: G01L9/125 , B81B3/0081 , B81B2201/0264 , G01L9/0073 , G01L19/04
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种传感器的温度补偿方法、该温度补偿方法的运算程序、用于运算处理该运算程序的运算处理装置、及传感器，该温度补偿方法通过抵消由内腔内的气体温度而产生的压力变化（密封在内腔内的气体的热膨胀）所引起的隔膜的变形，并在目标温度的范围内抑制隔膜的变形，由此能够进行最适度的温度补偿。本发明的静电容量型传感器的温度补偿方法，通过执行包含求出静电容量的变化量ΔC’的运算步骤S17的各运算步骤，由此得到可以判断由密闭空间内的气体温度而产生的压力变化（密封在密闭空间内的气体的热膨胀）所引起的、隔膜部的变形的补偿程度的参数ΔC’。
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公开(公告)号：CN105874312A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480054655.5
申请日：2014-07-31
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , G01C19/5769 , G01C19/5783 , G01L1/14 , G01L1/18 , G01P1/023 , G01P15/125 , G01P15/14 , G01P15/18 , G01P2015/0862 , G01P2015/088
Abstract: 在一个实施例中，用于电容式压力传感器的工艺流程与用于惯性传感器的工艺流程相结合。以此方式，在压力传感器的膜层内实现惯性传感器。器件层同时用作惯性传感器中进行平面外传感的z轴电极和/或惯性传感器的布线层。压力传感器工艺流程的膜层（或覆盖层）用来限定惯性传感器传感结构。在膜层中的绝缘氮化物塞用于使多轴惯性传感器的各种传感结构解除电气联接，从而允许完全的差动传感。
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