温度控制方法以及等离子体处理系统

    公开(公告)号:CN102736648A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210091617.X

    申请日:2012-03-30

    Inventor: 松土龙夫

    Abstract: 本发明提供一种温度控制方法以及等离子体处理系统,能够高精确度地控制晶圆(W)的温度。温度控制方法的特征在于,具备以下步骤:获取步骤,获取晶圆(W)的背面膜的种类的测量结果;选择步骤,从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及晶圆(W)的温度相对应地进行了存储的第一数据库(330),选择与作为上述测量结果的晶圆(W)的背面膜的种类和为了对上述晶圆(W)进行处理而投入的能量对应的晶圆(W)的温度;以及调整步骤,根据所选择的上述晶圆(W)的温度,调整上述晶圆(W)的温度。

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