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公开(公告)号:CN119993809A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202411589983.7
申请日:2024-11-08
Applicant: FEI 公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/153
Abstract: 本公开涉及聚焦离子束(FIB)系统中库仑相互作用的最小化和能量扩展。带电粒子束(CPB)光学系统可以包括光束接受孔板,该光束接受孔板限定第一接受孔和至少一个第二接受孔,该光束接受孔板相对于CPB源定位,使得第一CPB被第一接受孔透射并且第二CPB被第二接受孔透射。CPB透镜被定位为从光束接受孔板接收第一CPB和第二CPB,并且将第一CPB和第二CPB朝向滤波器孔板引导以透射第二CPB的选定光谱部分。第一CPB的选定光谱分量可以通过光束转向偏转器沿着相同的轴线被选择性地引导到工件。在一些示例中,第一CPB和第二CPB具有不同的光束电流,并且仅一者被引导到工件。
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公开(公告)号:CN118103943A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202280068562.2
申请日:2022-10-27
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统,具有用于产生离子束的离子源,以及用于限定具有处于第一电荷状态的所需离子的第一离子束的质量分析装置。第一直线加速器将第一离子束加速到多个第一能量。电荷剥离器从所需离子剥离电子,从而限定处于多个第二电荷状态的第二离子束。第一偶极磁体以第一角度在空间上分散和弯曲第二离子束。电荷限定孔使所述第二离子束的所需电荷状态通过,同时阻挡多个第二电荷状态的剩余部分。四极装置在空间上聚焦第二离子束,从而限定第三离子束。第二偶极磁体以第二角度弯曲第三离子束,并且其中,能量限定孔仅使所需离子以所需能量和电荷状态通过。
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公开(公告)号:CN116259515A
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202111500495.0
申请日:2021-12-09
Applicant: 成都高真科技有限公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种离子注入设备的离子束碎片捕集装置,包括束线室,所述束线室设置为横向贯穿的离子束通道;所述束线室底部的前段沿离子束出口的方向向下倾斜设置,后段设置有向下凹陷的容纳腔,所述容纳腔上方水平设置有一块挡板,所述挡板与所述容纳腔形成一个离子束碎片捕集空间。本发明的离子束碎片捕集装置能有效捕集离子束碎片,极大减少流入工艺腔的离子束碎片。
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公开(公告)号:CN115917701A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202180043809.0
申请日:2021-06-16
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/09
Abstract: 离子注入系统,具有配置成形成离子束的离子源。质量分析器对离子束进行质量分析,扫描元件在水平方向上扫描离子束,平行化透镜将成扇形散出的经扫描射束转化为平行移动扫描的离子束。对于不仅需要平均入射角度,还需要高度对齐的离子入射角度和紧密角度分布的应用,狭缝装置设置在平行化透镜的水平和/或垂直前焦点处。离子束在工件上的最小水平和/或垂直角度分布是通过控制扫描元件上游的射束聚焦透镜以获得通过狭缝系统的最佳射束传输来实现的。
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公开(公告)号:CN115881498A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211651256.X
申请日:2018-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/147 , H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 提供了用于补偿单束或多束设备中的分束器的色散的系统和方法。本公开的实施例提供了分散装置,分散装置包括被配置为诱导束色散的静电偏转器和磁性偏转器,束色散被设置以消除由分束器生成的色散。静电偏转器和磁性偏转器的组合可以用于在所诱导的束色散被改变以补偿由分束器生成的色散变化时,将由于分散装置引起的偏转角保持不变。在一些实施例中,由于分散装置而引起的偏转角可以被控制为零,并且没有由于分散装置而引起的初级束轴变化。
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公开(公告)号:CN115662880A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211411857.3
申请日:2022-11-11
Applicant: 上海积塔半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/05 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种对材料表面进行等离子体改性的方法及装置。所述对材料表面进行等离子体改性的方法,包括如下步骤:提供一衬底;在所述衬底表面生长绝缘层;采用金属筛过滤后的等离子体对所述绝缘层的表面进行改性处理,所述金属筛过滤的方式能够消除等离子体中带电离子。上述技术方案,通过采用金属筛过滤等离子体中的带电离子,采用不带电的中性等离子体对绝缘层进行改性处理,使改性处理后的绝缘层不带电,从而改善绝缘层充电现象,获得阈值电压更稳定的晶体管。
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公开(公告)号:CN111033675B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN201780094064.4
申请日:2017-08-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/05 , G01N23/2251 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 简便地实现能够进行二次带电粒子的能量辨别的带电粒子线装置。带电粒子线装置,具有:带电粒子源(2);载置样品(15)的样品台(14);向样品(15)照射来自带电粒子源(2)的带电粒子线(5)的物镜(13);使向样品(15)照射带电粒子线(5)而放出的二次带电粒子(16)偏转的偏转器(17);检测由偏转器(17)偏转的二次带电粒子的检测器(18);对样品(15)或者样品台(14)施加正电压(V3)的样品电压控制部(19);以及控制偏转器(17)使二次带电粒子(16)偏转的强度的偏转强度控制部(20)。
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公开(公告)号:CN114787957A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202080085364.8
申请日:2020-10-25
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor: 亚历山大·利坎斯奇 , 安东尼勒·可雀帝 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 法兰克·辛克莱 , 杰·T·舒尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/05 , H01J37/317
Abstract: 本文提供用于减少静电透镜中的粒子产生的途径。在一些实施例中,一种离子植入系统可包括:静电透镜,包括用于接收离子束的入口及用于向靶标递送离子束的出口,所述静电透镜包括沿着离子束线的第一侧设置的第一端子电极、第一抑制电极及第一接地电极,其中第一接地电极被接地且邻近出口定位。静电透镜可包括沿着离子束线的第二侧设置的第二端子电极、第二抑制电极及第二接地电极,其中第二接地电极被接地且邻近出口定位。植入系统还可包括电源供应器,所述电源供应器可操作以向静电透镜供应电压及电流,用于控制离子束。
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公开(公告)号:CN114678245A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210320146.9
申请日:2018-02-02
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/28 , H01J37/285 , H01J9/14 , H01J37/02 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/14 , H01J37/147
Abstract: 本发明揭示一种多柱扫描式电子显微镜SEM系统,其包含柱组合件,其中所述柱组合件包含第一衬底阵列组合件及至少一第二衬底阵列组合件。所述系统还包含源组合件,所述源组合件包含:两个或两个以上照明源,其经配置以产生两个或两个以上电子束;及两组或两组以上多个定位器,其经配置以在多个方向上调整所述两个或两个以上照明源的特定照明源的位置。所述系统还包含经配置以固定样本的载物台,其中所述柱组合件将所述两个或两个以上电子束的至少一部分引导到所述样本的一部分上。
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公开(公告)号:CN114420523A
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202210041735.3
申请日:2016-11-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/145 , H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/28 , G01N23/2251
Abstract: 本发明涉及多个带电粒子束的设备。提出了一种多束设备中的二次投影成像系统,该二次投影成像系统使二次电子检测具有高收集效率和低串扰。该系统采用一个变焦透镜,一个投影透镜和一个防扫描偏转单元。变焦透镜和投影透镜分别执行变焦功能和防旋转功能,以相对于多个一次细束的着陆能量和/或电流保持总成像放大倍率和总图像旋转。防扫描偏转单元执行防扫描功能以消除由于多个一次细束的偏转扫描而导致的动态图像移位。
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