公开(公告)号：CN101258613A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200580051555.8

申请日：2005-09-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 磯部博之

IPC: H01L33/00 ,  F21S8/04 ,  F21V19/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L2924/12041

Abstract: 将LED(2)(红色LED(R)、绿色LED(G)及蓝色LED(B)或白色LED(W))装载于框架(3)上之后，不进行用于将LED(2)分割成片的框架(3)的切割，而是通过打穿连接条来形成电气电路，制造按照框架(3)的状态点亮的RGB 3原色LED光源(1A)或白色LED光源(1B)。

公开(公告)号：CN101246677A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810005862.8

申请日：2008-02-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 宫田修作 ,  园山浩史

IPC: G09G5/00 ,  G09G5/36 ,  G09G5/39 ,  G06F3/14 ,  G11C7/16

CPC classification number: G09G3/2096 ,  G09G5/39

Abstract: 提供一种可有助于提高具有包含RAM和显示驱动器电路的半导体集成电路装置的系统的可靠性和高性能的显示数据的输入接口技术。该半导体集成电路装置包括具有一个差动串行数据信道的第一高速串行接口电路和具有多个差动串行数据信道的第二高速串行接口电路，第一高速串行接口电路对控制信息执行与外面的接口，并且控制电路基于控制信息执行内部操作。两个高速串行接口电路共享RAM用于显示数据信息的存储。根据被输入到第一高速串行接口电路的控制信息通过控制电路确定是通过使用第一高速串行接口电路还是第二高速串行接口电路接收要被供给到RAM的数据信息。

公开(公告)号：CN100412893C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN02816358.3

申请日：2002-05-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 四方淳史 ,  片山国弘 ,  松本征人 ,  伊泽和人 ,  金森贤树

IPC: G06K19/07

CPC classification number: G06F13/1668

Abstract: 一种存储卡，其控制器3具有用于对由主机HT发送的命令进行解码的一个命令解码电路6、其中设置了所接收命令的有效性或无效性的一个命令使能寄存器8、以及一个命令检测信号产生电路7。其中，所述命令检测信号产生装置，用于根据命令解码电路6解码的结果以及由命令使能寄存器8设置的值来检测一个有效命令。如果所述命令使能寄存器8接收了一个有效设置命令，则命令检测信号产生电路7将向控制单元4提供一个检测信号，以便执行为每条命令所指定的处理。所述命令使能寄存器8接收一个无效设置命令，则不提供检测信号，并忽略该命令。

公开(公告)号：CN101236921A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710004743.6

申请日：2007-01-30

Applicant: 力晶半导体股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 刘建宏 ,  魏鸿基

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8247

Abstract: 一种具有电容器的半导体元件的制造方法，先提供具有存储单元区、低压元件区、高压元件区与电容区的基底，且基底上已形成有垫层。在存储单元区与低压元件区上形成掩模层。然后在高压元件区与电容区上形成第一介电层。接着，移除存储单元区与低压元件区上的掩模层与垫层。之后在存储单元区与低压元件区上形成一层第二介电层。再在基底上形成光致抗蚀剂层，裸露出电容区上的第一介电层与低压元件区上的第二介电层。而后以光致抗蚀剂层为掩模，移除电容区上的部分第一介电层，并且移除光致抗蚀剂层。继而在基底上形成导体层。

公开(公告)号：CN100407393C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200410104494.4

申请日：2004-12-23

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐藤匡史

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/82

CPC classification number: G01R31/2889 ,  G01R1/07342

Abstract: 探针卡由主板和主板的主表面上方配置的子板形成。子板配置在平面中的内圆周焊盘区的内侧中。继电器布置在沿子板的上表面的外圆周的线中。电子元件如继电器、电容器、晶体控制振荡器和IC选自尽可能减小尺寸的那些元件。用于检查的电路由子板上方提供的电子元件和子板内的布线层形成。结果，可以提高探针卡的产量。

公开(公告)号：CN101223589A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200580051035.7

申请日：2005-05-23

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 矶佳实 ,  萩原光夫 ,  木村光行

IPC: G11B7/095 ,  G11B7/085

CPC classification number: G11B7/0917 ,  G11B7/0037 ,  G11B7/0908 ,  G11B7/0912 ,  G11B7/0941 ,  G11B7/0943 ,  G11B23/40 ,  G11B2007/0016 ,  G11B2007/00727

Abstract: 具有根据来自放射出激光的光盘的反射光，形成聚焦伺服用的聚焦误差信号FER的电路(4)。具有数据处理单元(2)，根据聚焦误差信号，可反馈控制基于聚焦致动器(30)的物镜的移动位置。在执行标签印刷时，数据处理单元根据标签印刷用控制数据，前馈控制基于聚焦致动器的物镜的移动位置。与反馈控制中的聚焦致动器的动作分辨率相比，提高前馈控制中的聚焦致动器的动作分辨率。由此，在前馈控制中得到期望的位置控制精度。例如，在执行前馈控制时，对于聚焦致动器的驱动电路(40)，将增益切换得比反馈控制时还小。

公开(公告)号：CN101211904A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710305892.6

申请日：2007-12-28

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 大泽通孝 ,  金泽孝光

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/36

Abstract: 现有的半导体模块由于使用了绝缘基板以及在其上形成的配线层，所以提高了成本，为了克服该缺点，本发明提供一种双向开关模块。其构成为，在成为散热板的第1金属底板上，载置具有与所述双向开关电路的第1节点连接的接合电极的第1半导体元件，并且同样地在成为散热板的第2金属底板上，载置具有与所述双向开关电路的第2节点连接的接合电极的第2半导体元件。所述第1半导体元件的所述接合电极与所述第1金属底板为同一电位，并且所述第2半导体元件的所述接合电极与所述第2金属底板为同一电位。并且，各金属底板与所述各半导体元件的非接合电极分别利用金属细线进行连接，构成所述双向开关电路。

公开(公告)号：CN101211807A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710187713.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 长谷部昭男 ,  本山康博 ,  成冢康则 ,  中村清吾 ,  河上贤司

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01R3/00 ,  G01R1/07342

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置的制造技术，在使用了具有根据此技术而形成的探针(probe)的探测器(薄膜探针)进行探针测试时，防止探测器及测试对象即晶片破损。在晶片(31)的主面上，在形成有金属膜(21A)的区域(包括孔33)及组装探卡时比接合环更外侧的区域上，选择性地堆积铜膜(37)之后，形成金属膜(21A)、聚酰亚胺膜(22)、配线(23)、聚酰亚胺膜(25)、配线(27)及聚酰亚胺膜(28)等。此后，通过除去晶片(31)及铜膜(37)，而获得可以充分确保高度的探针(7)。

公开(公告)号：CN100399261C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200410061692.7

申请日：2004-06-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社瑞萨LSI设计

Inventor： 福岛和彦 ,  山口敦男

IPC: G06F7/58 ,  H03K3/84

CPC classification number: G06F7/588 ,  G11C29/36 ,  G11C2029/3602

Abstract: 在本随机数产生装置的环形振荡器(12)中，EX-OR门(21)和4个反相器(22)形成环路。该环路在启动信号为“L”电平时成为稳定状态，在启动信号为“H”电平时成为振荡状态。响应于比环路的延迟时间短的脉冲宽度的启动信号，在输出节点(N1～N5)依次产生作为在“H”电平与“L”电平之间的不确定状态的亚稳态。亚稳态的波形随时间推移而逐渐变小并消失。由于亚稳态的寿命不能控制，所以亚稳态消失的节点是随机的。为此，计数器(13)的输出信号成为依赖于亚稳态的寿命的真随机数数据。因此，能够实现小型且功耗小、性能高的随机数产生装置。

公开(公告)号：CN101207089A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610171722.9

申请日：2006-12-19

Applicant: 力晶半导体股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 简财源 ,  王子嵩

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/768

Abstract: 一种非易失性存储器的制作方法，此方法是先提供衬底，此衬底具有源极线区域。接着，于衬底上依序形成隧穿介电层、第一导体层、栅极间介电层与第二导体层。然后，移除源极线区域的第二导体层与栅极间介电层，以暴露出第一导体层。继之，于源极线区域的第一导体层与隧穿介电层中形成开口。而后，于衬底上形成第三导体层，且第三导体层填满开口。随后，进行图案化工艺，将第三导体层、第二导体层、栅极间介电层与第一导体层图案化，以形成多个堆迭栅极结构，同时于源极线区域形成源极线。之后，于堆迭栅极结构两侧与源极线下方的衬底中形成掺杂区。