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公开(公告)号：KR1020080015619A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：KR1020060077198
申请日：2006-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L29/786
CPC classification number: G03F1/54 , G03F7/70433 , H01L21/0337 , H01L29/78618
Abstract: A mask and a method for manufacturing a thin film transistor display panel using the mask are provided to form a photoresist pattern with an intermediate thickness by using a mask including a shielding layer on a partial region in a semi-transmitting section. Gate lines(121,129) including a gate electrode(124) are formed on a dielectric substrate. A gate dielectric covering the gate lines is formed. A semiconductor(154) is formed on an upper portion of the gate dielectric. A data line(171) having a source electrode and a drain electrode(175) are formed on an upper portion of the semiconductor. A protective layer having contact holes(181,182,185) is formed. The contact holes cover the data line and expose the drain electrode. A pixel electrode is formed to be connected to the drain electrode through the contact holes. A photolithography process is performed by using a mask to form the semiconductor, the data line, and the drain electrode. The mask includes a transmitting section, a semi-transmitting section, and a shielding section. The semi-transmitting section includes a semi-transmitting layer. A shielding layer is formed on a partial region in the semi-transmitting section.
Abstract translation: 提供了一种使用掩模制造薄膜晶体管显示面板的掩模和方法，以通过在半透射部分中的部分区域上使用包括屏蔽层的掩模来形成具有中间厚度的光致抗蚀剂图案。 包括栅极（124）的栅线（121,129）形成在电介质基板上。 形成覆盖栅极线的栅极电介质。 半导体（154）形成在栅极电介质的上部。 在半导体的上部形成具有源电极和漏电极（175）的数据线（171）。 形成具有接触孔（181,182,185）的保护层。 接触孔覆盖数据线并露出漏电极。 像素电极形成为通过接触孔与漏电极连接。 通过使用掩模来形成光刻工艺以形成半导体，数据线和漏电极。 掩模包括发射部分，半透射部分和屏蔽部分。 半透射部分包括半透射层。 在半透射部分的部分区域上形成屏蔽层。
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公开(公告)号：KR100801076B1
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：KR1020060019466
申请日：2006-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상의 게이트 전극, 게이트 전극과 동일 층의 동일 재질의 커패시터 하부 전극, 게이트 전극 및 커패시터 하부 전극을 덮되, 커패시터 하부 전극의 상면을 일부 노출시키는 개구부를 포함하는 층간 절연막, 개구부를 매립하는 커패시터 상부 전극, 커패시터 하부 전극과 커패시터 상부 전극 사이의 유전막을 포함한다.
아날로그, 커패시터, 폴리 실리콘Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 层间绝缘膜的半导体装置包括：用于deopdoe的开口，一些露出的电容器下电极的材料相同的材料的电容器的上表面电极，栅电极的栅电极和电容器下电极，在所述半导体基板上的同层的栅电极，在半导体衬底， 填充开口的电容器上电极以及电容器下电极和电容器上电极之间的介电膜。
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公开(公告)号：KR1020080005656A
公开(公告)日：2008-01-15
申请号：KR1020060064250
申请日：2006-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 한국에이에스엠지니텍 주식회사
CPC classification number: C01G25/02 , C01G23/047 , C01G27/02 , C01G35/00 , C01P2006/40
Abstract: A method for forming metal oxide, and a device thereof are provided to produce the metal oxide with improved electric performance. In a method for forming metal oxide, metal precursor gas is flowed and supplied along a surface of a substrate(10) to form a metal precursor layer on the substrate. Oxide gas which includes ozone is flowed and supplied along the surface of the metal precursor layer to oxidize the metal precursor layer. RF power is given to the oxide gas which is flowed along the surface of the metal precursor layer to promote reaction between the metal precursor layer and the oxide gas. A device(100) thereof includes a substrate stage(200), a chamber(300), and an RF power source(900). The substrate stage includes a supporting zone(210) supporting the substrate, and a circumferential zone(220) covering the supporting zone. The chamber is positioned on the circumferential zone of the substrate stage to limit a space which the substrate is positioned. The chamber supplies metal precursor gas along the surface of the substrate to form the metal precursor layer on the substrate. The chamber has a gas induction port to supply the oxide gas with the ozone along the surface of the metal precursor layer to oxidize the metal precursor layer. The RF power source is connected with the chamber to give the RF power to the oxide gas which flows along the surface of the metal precursor layer to promote the reaction between the metal precursor layer and the oxide gas.
Abstract translation: 提供了形成金属氧化物的方法及其装置，以产生具有改善的电性能的金属氧化物。 在形成金属氧化物的方法中，金属前驱体气体沿衬底（10）的表面流动并供应以在衬底上形成金属前体层。 包含臭氧的氧化物气体沿着金属前体层的表面流动并供应以氧化金属前体层。 对沿着金属前体层的表面流动的氧化物气体进行RF功率以促进金属前体层和氧化物气体之间的反应。 其装置（100）包括衬底台（200），室（300）和RF电源（900）。 衬底台包括支撑衬底的支撑区域（210）和覆盖支撑区域的周向区域（220）。 腔室位于衬底台的圆周区域上，以限制衬底定位的空间。 该腔室沿衬底的表面提供金属前体气体，以在衬底上形成金属前体层。 该室具有气体导入口，用于沿着金属前体层的表面供应氧化物气体与臭氧，以氧化金属前体层。 RF电源与腔室连接，以向沿着金属前体层的表面流动的氧化物气体提供RF功率，以促进金属前体层和氧化物气体之间的反应。
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公开(公告)号：KR1020070074251A
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020060002177
申请日：2006-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
Abstract: An audio signal input method in case of video photographing in a portable terminal and a device thereof are provided to differently input audio signals in a directional-pattern stepwise way through distance information about an object, thereby more clearly receiving desired signals. Distance information between a portable terminal and an object is obtained(410-430). One of more than one of beam patterns is determined to enable audio signals received through the first and second omni-directional microphones, which are separately installed, to be inputted with predetermined directivity according to the distance information(440,452). The audio signals are inputted according to the determined beam pattern.
Abstract translation: 在便携式终端中的视频拍摄的情况下的音频信号输入方法及其装置被提供以通过有关对象的距离信息逐步地以定向模式不同地输入音频信号，从而更清楚地接收期望的信号。 获得便携终端与对象之间的距离信息（410-430）。 确定多于一个的波束图案中的一个，以使根据距离信息（440,452）能够按照预定方向性输入通过独立安装的第一和第二全向麦克风接收的音频信号。 根据确定的波束图案输入音频信号。
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公开(公告)号：KR1020070052442A
公开(公告)日：2007-05-22
申请号：KR1020050110092
申请日：2005-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 차례로 형성하는 단계, 상기 저항성 접촉층 위에 데이터 층을 형성하는 단계, 상기 데이터 층 위에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 데이터 층을 식각하여 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하고 있는 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 측면을 덮도록 상기 감광막 패턴을 리플로우하는 단계, 상기 리플로우된 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 저항성 접촉층을 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것이다.
저저항 배선, 감광막, 리플로우, 내열성, 누설 전류-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070017784A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072366
申请日：2005-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/32
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L27/1214 , H01L29/66765
Abstract: A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming at least one etch target film on a substrate, forming a first reflowable etch mask on the at least one etch target film, patterning the etch target film using the first reflowable etch mask. The method further includes reflowing the first reflowable etch mask to form a second etch mask and patterning the etch target film using the second etch mask.
Abstract translation: 提供了一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成至少一个蚀刻目标膜，在至少一个蚀刻目标膜上形成第一可回流蚀刻掩模，使用第一可回流蚀刻掩模图案化蚀刻目标膜。 该方法还包括回流第一可回流蚀刻掩模以形成第二蚀刻掩模并使用第二蚀刻掩模图案化蚀刻目标膜。
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公开(公告)号：KR1020070010295A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050064766
申请日：2005-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/75 , H01L23/5223
Abstract: A semiconductor device with an MIM capacitor is provided to avoid oxidation of a first conductive layer for a lower electrode in a subsequent process for forming a dielectric layer by forming a second conductive layer made of a metal nitride layer resistant to oxidation. A first conductive layer(102) for a lower electrode of an MIM capacitor in which a trench(104) is formed is formed on a semiconductor substrate. A second conductive layer(106) is formed on the first conductive layer and in the trench, used as a lower electrode of an MIM capacitor and made of a metal nitride layer resistant to oxidation. A dielectric layer(108) is formed on the second conductive layer, made of a nitride layer or an oxide layer. An upper electrode(110a) of an MIM capacitor is formed on the dielectric layer. The second conductive layer is composed of TiN, TaN, WN or a composition thereof.
Abstract translation: 提供具有MIM电容器的半导体器件，以避免在用于形成电介质层的后续工艺中用于下电极的第一导电层的氧化，形成由抗氧化的金属氮化物层制成的第二导电层。 在半导体衬底上形成用于形成沟槽（104）的MIM电容器的下电极的第一导电层（102）。 第二导电层（106）形成在第一导电层上和沟槽中，用作MIM电容器的下电极并由耐氧化的金属氮化物层制成。 在由氮化物层或氧化物层制成的第二导电层上形成介电层（108）。 在电介质层上形成MIM电容器的上电极（110a）。 第二导电层由TiN，TaN，WN或其组成构成。
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公开(公告)号：KR1020060120300A
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050042068
申请日：2005-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , H01L27/124
Abstract: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to prevent the leakage of light when a light passes through a thin film transistor, by removing a material residual for semiconductor layer under a data line. A gate line(22), a gate insulating layer(32), and a semiconductor layer(42) of the same pattern are sequentially deposited on a substrate(10). Source and drain electrodes(65,66) are separated from each other above the semiconductor layer. Ohmic contact layers(55,56) are respectively interposed between the source electrode and the semiconductor layer and between the drain electrode and the semiconductor layer. A data line is connected to the source electrode, and crosses the gate line. A pixel electrode(82) is insulated from the resultant structure, and connected to the drain electrode.
Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，用于通过去除数据线下的半导体层的残留材料来防止光通过薄膜晶体管时的光的泄漏。 栅极线（22），栅极绝缘层（32）和相同图案的半导体层（42）依次沉积在基板（10）上。 源极和漏极（65,66）在半导体层上方彼此分离。 欧姆接触层（55,56）分别介于源电极和半导体层之间以及漏电极和半导体层之间。 数据线连接到源电极，并与栅极线交叉。 像素电极（82）与所得结构绝缘，并与漏电极连接。
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公开(公告)号：KR1020060084255A
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020050005046
申请日：2005-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: 미세 전자 소자 성능 개선에 적합한 다층 유전막 및 그 제조 방법이 제공된다. 미세 전자 소자의 다층 유전막은 단일 성분의 산화물로 형성되어 있는 단일막 및 단일막의 양면에 형성되어 있는 두 개 이상의 서로 다른 성분의 산화물로 층상 구조가 없도록 형성되어 있는 복합막을 포함한다.
다층 유전막, 단일막, 복합막, LDI-
公开(公告)号：KR1020060084021A
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：KR1020050004273
申请日：2005-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 광마스크에 관한 것으로, 이 광마스크는 광마스크는 투과 영역과 반투과 영역을 포함하고, 상기 반투과 영역은 빛을 차단하는 복수의 차광부를 포함하고, 상기 차광부 각각은 차단되는 빛의 양이 다른 복수의 영역을 갖는다. 이로 인해, 반투과 영역 내에서 도포된 감광막의 두께에 따라 슬릿 형태를 다르게 하여 투과되는 빛의 양을 가변시키므로, 노광된 후 남은 감광막의 두께가 일정해지므로 건식 식각 공정 등과 같은 후속 공정시 공정 마진이 증가한다.
박막트랜지스터표시판, 슬릿, 마스크, 언더컷, 감광막, 광디스크, 감광막두께Abstract translation: 本发明涉及一种光掩模，其中光掩模包括透射区域和透射反射区域，其中透射反射区域包括用于屏蔽光的多个遮蔽部分， 并且具有不同数量的多个区域。 因此，根据光致抗蚀剂涂层的厚度的半透射区域，因为会发生变化，其由不同的狭缝形状发送，然后将露出的工序裕量中的剩余的感光膜时间表后续步骤的厚度例如干法蚀刻工艺的光的量 这增加。
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