公开(公告)号：KR1020070040145A

公开(公告)日：2007-04-16

申请号：KR1020050095525

申请日：2005-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진홍기 ,  김상갑 ,  황태형 ,  오민석 ,  정유광 ,  최승하

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603

Abstract: A flexible display panel according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate, a gate line formed on the substrate and including a gate electrode, a gate insulating layer formed on the substrate, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer and disposed substantially on the entire gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer, and a pixel electrode connected to the drain electrode. The patterning of the semiconductor layer to form a second semiconductor member may include coating a photoresist film on a first semiconductor member, exposing the photoresist film to light from a back of the substrate, wherein the gate electrode is used as a light blocking mask, developing the exposed photoresist film to form a photoresist pattern having the same planar size as the gate electrode, and etching the semiconductor layer using the photoresist pattern as an etching mask.

公开(公告)号：KR1020060112477A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050034964

申请日：2005-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  진홍기 ,  오민석 ,  최희환 ,  김시열

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231

Abstract: A thin film transistor display panel, and a manufacturing method thereof are provided to stably ensure sufficient sustain capacity of a sustain capacitor by removing an organic passivation layer and leaving only an inorganic passivation layer between a pixel electrode and a sustain conductor layer forming a sustain capacitor in a double-layered passivation layer structure. A gate line is formed on a substrate(110). A gate insulating layer(140) is formed on the gate line. A first semiconductor is formed on the gate insulating layer. A data line(171) and a drain electrode are formed on the first semiconductor at least in part. A sustain conductor(177) is formed on the gate insulating layer. A first passivation layer(180p) is formed on the data line, the drain electrode, and the sustain conductor. A second passivation layer(180q) is formed on the first passivation layer, and has an aperture placed on the sustain conductor. A pixel electrode(190) is formed on the second passivation layer, is connected to the drain electrode, and overlaps the sustain conductor at the aperture.

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法，通过去除有机钝化层并在像素电极和形成维持电容器的维持导体层之间仅留下无机钝化层来稳定地确保维持电容器的足够的维持能力 在双层钝化层结构中。 在基板（110）上形成栅极线。 栅极绝缘层（140）形成在栅极线上。 在栅极绝缘层上形成第一半导体。 至少部分地在第一半导体上形成数据线（171）和漏电极。 维持导体（177）形成在栅极绝缘层上。 在数据线，漏电极和维持导体上形成第一钝化层（180p）。 在第一钝化层上形成第二钝化层（180q），并且具有放置在维持导体上的孔。 像素电极（190）形成在第二钝化层上，连接到漏电极，并在孔径处与维持导体重叠。

公开(公告)号：KR1020060099715A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050021105

申请日：2005-03-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진홍기 ,  김상갑 ,  최희환 ,  오민석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/12 ,  H01L27/124

Abstract: 데이터 배선과 반도체 패턴의 측벽 프로파일을 균일하게 형성할 수 있는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판 제조 방법은 반도체층과 몰리브덴 단일막으로 이루어진 도전체층이 적층되어 있는 기판 상에 제 1 두께 영역과 제 1 두께 영역 양측에 제 1 두께 영역보다 두꺼운 제 2 두께 영역으로 이루어진 식각 마스크를 형성하는 단계, 식각 마스크에 의해 도전체층을 클로린(chlorine) 계열의 가스를 사용하여 건식 식각함으로써 도전체 패턴을 형성하는 단계, 식각 마스크를 이용하여 반도체층을 건식 식각함으로써 측벽 프로파일이 도전체 패턴과 실질적으로 동일한 반도체 패턴을 형성하는 단계, 식각 마스크의 제 1 두께 영역을 제거하는 단계 및 부분 제거된 식각 마스크를 사용하여 도전체 패턴을 식각함으로써 이격된 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
데이터 배선, 건식 식각, 클로린

公开(公告)号：KR1020060073736A

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：KR1020040112122

申请日：2004-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최희환 ,  김상갑 ,  오민석 ,  진홍기

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 본 발명은, 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 절연기판 상에 게이트 라인, 게이트 패드 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위에 반도체층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 반도체층 패턴 위에 저항성 접촉층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 저항성 접촉층 위에 서로 분리되어 형성되어 있으며 동일한 층으로 만들어진 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 라인 및 게이트 패드를 포함한 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선을 덮으며 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 노출시키는 접촉구멍과, 상기 데이터 배선의 기판의 판면에 평행한 방향의 단부를 노출시키는 개구영역을 가지는 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 제조된 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 데이터 배선의 길이방향에 양측으로 저항성 접촉층 패턴 및 반도체층 패턴이 돌출되는 것을 감소시켜 이에 따른 불량의 발생을 억제할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020080040442A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：KR1020060108416

申请日：2006-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오민석 ,  김상갑 ,  진홍기 ,  정유광 ,  최승하 ,  김기현 ,  송인호

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L27/1288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/02068 ,  H01L27/1214 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor display panel and a manufacturing system using the same are provided to reduce the error rate of a liquid crystal display device by preventing generation of corrosive foreign materials in a manufacturing process. A deposition process is performed to deposit a metallic thin film on a display panel(S111). An insulating substrate deposited with a metallic thin film is provided into an etch unit to perform a dry-etch process for forming a predetermined circuit pattern(S112). The insulating substrate is provided into a standby unit to perform a cleaning and standby process(S113). A preliminary cleaning process is performed(S114). A determination process is performed to determine the state of a cleaning operation(S115). A main cleaning process is performed(S116).

Abstract translation: 提供一种制造薄膜晶体管显示面板的方法和使用该方法的制造系统，以通过在制造过程中防止产生腐蚀性异物来降低液晶显示装置的误差率。 进行沉积处理以在显示面板上沉积金属薄膜（S111）。 将沉积有金属薄膜的绝缘衬底提供到蚀刻单元中以执行用于形成预定电路图案的干法蚀刻工艺（S112）。 将绝缘基板设置在待机单元中以执行清洁和待机处理（S113）。 进行初步清洗处理（S114）。 执行确定处理以确定清洁操作的状态（S115）。 执行主要清洁处理（S116）。

公开(公告)号：KR1020080024763A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：KR1020060089312

申请日：2006-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오민석 ,  김상갑 ,  박홍식 ,  진홍기 ,  정유광 ,  최승하

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  H01L29/458

Abstract: A thin film transistor display panel and its fabrication method are provided to obtain low resistance of wirings and the reliability. A gate line(121) is formed on an insulation substrate. A gate insulating layer is formed on the gate line. A semiconductor(151) is formed on the gate insulating layer. Ohmic contacts are formed on the semiconductor. A data line(171) is formed on the ohmic contacts and includes a source electrode(173). A drain electrode faces the source electrode. A pixel electrode is connected with the drain electrode. At least one of the data line and the drain electrode includes the first contact layer, the second contact layer including a conductive oxide, and a conductive layer containing silver or a silver alloy.

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以获得较低的布线电阻和可靠性。 在绝缘基板上形成栅极线（121）。 在栅极线上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成半导体（151）。 在半导体上形成欧姆接触。 数据线（171）形成在欧姆接触上，并包括源电极（173）。 漏电极面对源电极。 像素电极与漏电极连接。 数据线和漏电极中的至少一个包括第一接触层，第二接触层包括导电氧化物，以及包含银或银合金的导电层。

公开(公告)号：KR1020070053838A

公开(公告)日：2007-05-28

申请号：KR1020050111536

申请日：2005-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진홍기 ,  이영욱 ,  김병준 ,  김상갑 ,  오민석

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/56

Abstract: 제조 공정을 감소시키기 위한 표시 기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 표시 기판의 제조 방법은 베이스 기판 위에 제1 금속 패턴으로 소스 배선, 전원 배선, 단선부를 갖는 게이트 배선, 구동 소자의 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 제1 금속 패턴이 형성된 베이스 기판 위에 패시베이션층을 형성하는 단계와, 드레인 전극을 노출시키는 제1 콘택홀 및 단선부를 노출시키는 제2 콘택홀을 형성하는 단계와, 제2 금속 패턴으로 구동 소자의 게이트 전극과, 제1 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 발광 소자의 애노드 전극 및 제2 콘택홀을 통해 인접한 단선부들을 연결하는 연결 패턴을 형성하는 단계와, 애노드 전극의 위에 발광층을 형성하는 단계 및 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 마스크 4매 공정으로 표시 기판의 금속 배선을 형성할 수 있으므로 제조 공정을 감소시킬 수 있다.
유기전계발광, 탑 에미션, 4 마스크, 스위칭 소자, 화소 전극

公开(公告)号：KR1020070009321A

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：KR1020050064479

申请日：2005-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오민석 ,  김병준 ,  김상갑 ,  양성훈 ,  지로트라쿠날 ,  진홍기

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757

Abstract: A thin film transistor substrate, and a manufacturing method thereof are provided to improve a contact resistance characteristic by consecutively forming a resistant contact layer and an intermediate layer. A data conductive layer, an impurity-doped silicon layer, and an intermediate silicon layer including intrinsic silicon are sequentially formed on a substrate. The intermediate silicon layer, the impurity- doped silicon layer, and the data conductive layer are patterned to form a source electrode(25a) and a drain electrode(26a) spaced apart from the source electrode, and a resistant contact layer(355a,36a) and an intermediate layer(45a,46a) that are formed on the source electrode and the drain electrode and have substantially the same shape as the source electrode and the drain electrode. An intrinsic silicon layer including intrinsic silicon is formed on an entire surface of the substrate to form a semiconductor layer(50a) covering the intermediate layer and forming a channel part by filling between the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过连续形成耐电接触层和中间层来改善接触电阻特性。 在衬底上依次形成数据导电层，杂质掺杂硅层和包括本征硅的中间硅层。 将中间硅层，杂质掺杂硅层和数据导电层图案化以形成与源电极间隔开的源电极（25a）和漏电极（26a），以及抗电接触层（355a，36a ）和形成在源电极和漏电极上并且具有与源电极和漏电极基本相同形状的中间层（45a，46a）。 在衬底的整个表面上形成包括本征硅的本征硅层，以形成覆盖中间层的半导体层（50a），并且通过填充源电极和漏极之间形成通道部分。

公开(公告)号：KR1020070008869A

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：KR1020050062732

申请日：2005-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  오민석 ,  진홍기 ,  정유광

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1259

Abstract: A thin film transistor display panel and a fabrication method thereof are provided to reduce a leakage current and prevent a persistence of vision from being generated by forming a semiconductor device using a-Si:H:Cl (hydrogenated chlorinated amorphous silicon). A gate line is formed on a substrate(110). A gate insulating layer(140) is formed on the gate line. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer and includes 3 to 20 at% of Chlorine atoms (Cl). A data line(171) and a drain electrode(175) include an Al-containing conductive layer that is formed on the semiconductor layer and a Mo-containing conductive layer that is formed at least one of under and over the Al -containing conductive layer. A pixel electrode(191) is connected with the drain electrode.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管显示面板及其制造方法以减少泄漏电流，并通过使用-Si：H：Cl（氢化氯化非晶硅）形成半导体器件来防止产生视力的持续性。 在基板（110）上形成栅极线。 栅极绝缘层（140）形成在栅极线上。 在栅极绝缘层上形成半导体层，其含有3〜20原子％的氯原子（Cl）。 数据线（171）和漏极（175）包括形成在半导体层上的含Al导电层和形成在含Al导电层的下面和之上的至少一个的含Mo导电层 。 像素电极（191）与漏电极连接。

公开(公告)号：KR1020070004310A

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020050059811

申请日：2005-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진홍기 ,  김상갑 ,  오민석 ,  정유광

IPC: G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F2001/133519 ,  G02F2001/13398

Abstract: An LCD and a method for manufacturing the same are provided to improve the uniformity of mountain-shaped structures, by forming each mountain-shaped structure of a first organic layer and a second organic layer having a higher photosensitivity than photosensitivity of the first organic layer. A common electrode(120) is formed on a transparent substrate(100). A mountain-shaped structure(140) covers at least a portion of the common electrode, wherein the mountain-shaped structure is formed of an organic material. A spacer(135) is disposed at one side of the mountain-shaped structure on a substrate, wherein the spacer is formed of an organic material. A height of the spacer is higher than the mountain-shaped structure. An organic material for an upper part of the spacer has a higher photosensitivity than that of an organic material for a lower part of the spacer.

Abstract translation: 提供了一种液晶显示器及其制造方法，通过形成具有比第一有机层的光敏性更高的光敏性的第一有机层和第二有机层的每个山形结构来改善山形结构的均匀性。 公共电极（120）形成在透明基板（100）上。 山形结构（140）覆盖公共电极的至少一部分，其中山形结构由有机材料形成。 衬垫（135）设置在基板上的山形结构的一侧，其中间隔件由有机材料形成。 间隔件的高度高于山形结构。 用于隔离物上部的有机材料具有比用于间隔物的下部的有机材料更高的光敏性。