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公开(公告)号：KR1019960032591A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950003021
申请日：1995-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: 반도체소자의 스프터링 증착방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치가 개시되어 있다. 반응성 가스를 기판 상부에서 기판 표면으로 직접 분사시키고, 상기 반응 가스를 기판 하부에서 하향 배기시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착 방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 질소가스가 기판 위로 바로 투입되어 반응에 참여하게 되고, 미반응 가스는 바로 기판 하부로 하향배기 되기 때문에 미반응 가스에 의해 타겟 표면이 질화되는 것을 크게 감소시켜 종래의 스퍼터링 장치에 비해 증착속도를 크게 향상시킬 수 있으므로 제조공정시간 및 제조원자를 감소시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940016533A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920024136
申请日：1992-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한하여 기술한다.
본 발명 의 세정장치는, 세정조에 펌프가 마련된 세정액 순환경로가 설치되고, 상기 순환 경로상의 광통과가 허용되는 부위의 일측에는 순환중인 세정액의 농도를 검지하는 광학적 검지부가 마련되고, 그리고, 상기 광학적 검지부로부터의 신호를 연산하여 세정액의 농도 또는 공급량을 연산하는 연산장치가 마련되는 구조를 가진다. 이러한 본 발명 세정장치는 세정액의 농도를 실시한 측정할 수 있다는 점에 그 특징이 있는 것으로서, 종래 레벨센서등의 오동작에 의한 농도의 오측정에 의한 문제점을 개선할 수 있어서, 세정공정중 웨이퍼 세정의 안정성을 확보하여 세정 잘못에 의한 웨이퍼의 불량화를 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020140147508A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070886
申请日：2013-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: An image sensor includes photodetectors, and trench isolations which separate photodetectors, respectively. Each of the trench isolations includes films which have multilayer structures.
Abstract translation: 图像传感器包括光电检测器和分离光电探测器的沟槽隔离。 每个沟槽隔离物包括具有多层结构的膜。
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公开(公告)号：KR1020140112793A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027314
申请日：2013-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: In an image sensor and a method of manufacturing the same, a semiconductor layer includes a first surface, a second surface opposite to the first surface, and a photodiode in the first surface. An anti-reflection layer of crystallizability for hydrogen penetration is formed on the semiconductor layer of the first surface. A hydrogen containing region including hydrogens combined with the defect part of the surface of the semiconductor layer, is formed in the semiconductor layer of the first surface. Driving transistors and a line are formed in the semiconductor layer of the second surface. A color filter and a micro lens are formed on the anti-reflection layer. The image sensor reduces a dark current and improves a white point phenomenon.
Abstract translation: 在图像传感器及其制造方法中，半导体层包括第一表面，与第一表面相对的第二表面和第一表面中的光电二极管。 在第一表面的半导体层上形成用于氢穿透的结晶性的抗反射层。 在第一表面的半导体层中形成包含与半导体层表面的缺陷部分结合的氢的含氢区域。 驱动晶体管和线形成在第二表面的半导体层中。 在防反射层上形成滤色器和微透镜。 图像传感器减少暗电流并改善白点现象。
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公开(公告)号：KR100836761B1
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020060124950
申请日：2006-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/045 , H01L29/66795
Abstract: A FinFET and a method of manufacturing the same are provided to prevent effectively threshold voltage drop generated in a device which has an oxide layer having the same thickness at the upper part and a side part of a fin, and to prevent the deterioration of an electrical property. A semiconductor fin(210) is formed, including an upper part plane and a side plane which have different crystal planes respectively. A first gate insulating layer(250a) is formed at the side plane of the semiconductor fin, and a second insulating layer(250b) which is thicker than the first gate insulating layer is formed at the upper part plane. A gate electrode is formed on the first and second gate insulating layers.
Abstract translation: 提供一种FinFET及其制造方法，以有效地防止在具有在翅片的上部和侧部具有相同厚度的氧化物层的器件中产生的有效阈值电压降，并且防止电气 属性。 形成半导体翅片（210），其包括分别具有不同晶面的上部平面和侧面。 在半导体鳍片的侧面形成有第一栅极绝缘层（250a），在上部平面形成有比第一栅极绝缘层厚的第二绝缘层（250b）。 在第一和第二栅极绝缘层上形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100825808B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020070019134
申请日：2007-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: An image sensor having a backside illumination structure and a method for manufacturing the same are provided to maximize saturation of a light receiving region by forming a structure of a photodiode including a transistor. A photodiode unit(100) includes a photodiode(120) and a transfer gate transistor(140) which are formed on a first wafer(110). A wiring line unit(200) includes a signal processing and control transistor(220) and a wiring line(230) which are formed on a second wafer(210). The second wafer is bonded with an upper part of the photodiode unit. A supporting substrate(300) is bonded with an upper part of the wiring line unit. A filter unit(400) is formed at a lower part of the first wafer. The second wafer is formed by performing a hydrogen implantation process. The wiring line unit is formed by installing the signal processing and control transistor and the wiring line on the residual part of the second wafer after a smart-cut process for the second wafer.
Abstract translation: 提供具有背面照明结构的图像传感器及其制造方法，以通过形成包括晶体管的光电二极管的结构来使光接收区域的饱和度最大化。 光电二极管单元（100）包括形成在第一晶片（110）上的光电二极管（120）和传输门晶体管（140）。 布线单元（200）包括形成在第二晶片（210）上的信号处理和控制晶体管（220）和布线（230）。 第二晶片与光电二极管单元的上部结合。 支撑基板（300）与布线单元的上部接合。 在第一晶片的下部形成有滤光单元（400）。 通过进行氢注入工艺形成第二晶片。 在第二晶片的智能切割处理之后，通过将信号处理和控制晶体管和布线安装在第二晶片的剩余部分上来形成布线单元。
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公开(公告)号：KR100745991B1
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020060076346
申请日：2006-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: An image sensor and its manufacturing method are provided to improve photo sensitivity by reflecting and refracting the light in a high reflectivity using a reflective coating composed of a plurality of refractive layers. An image sensor includes a photoelectric transformation element(110) in a substrate(102), a reflective coating, and a microlens. The reflective coating(190) is formed on a surface of the substrate. The reflective coating is formed by stacking first and second refractive layers with each other. The microlens is formed on the other surface of the substrate corresponding to the position of the photoelectric transformation element. The refractive index of the first refractive layer is larger than that of the second refractive layer. The first refractive layer is made of silicon and the second refractive layer is made of silicon oxide.
Abstract translation: 提供图像传感器及其制造方法以通过使用由多个折射层组成的反射涂层以高反射率反射和折射光来提高光敏性。 一种图像传感器包括衬底（102）中的光电变换元件（110），反射涂层和微透镜。 反射涂层（190）形成在基板的表面上。 反射涂层通过将第一和第二折射层彼此堆叠而形成。 微透镜形成在与光电转换元件的位置对应的基板的另一个表面上。 第一折射层的折射率大于第二折射层的折射率。 第一折射层由硅制成并且第二折射层由氧化硅制成。
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公开(公告)号：KR100703978B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050068102
申请日：2005-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H04N5/359
Abstract: 수광 효율이 향상된 4공유 픽셀 이미지 센서가 제공된다. 4 공유 픽셀 이미지 센서는 열 방향으로 인접하며 독출 소자를 공유하는 4 개의 광전 변환 소자 액티브를 포함하는 4 공유 픽셀의 행렬 및 4 공유 픽셀당 2개씩 할당되며 광전 변환 소자 액티브와 분리되어 배열된 다수의 독립 독출 소자 액티브를 포함한다.
이미지 센서, 수광 효율, 4공유 픽셀-
公开(公告)号：KR1020070013644A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020050068103
申请日：2005-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/14689
Abstract: A 2 shared pixel image sensor with improved light receiving efficiency and a manufacturing method therefor are provided to optically and repeatedly receive light in photoelectric conversion elements arranged as an array type irrespective of a position. A matrix of 2 shared pixels includes two photoelectric conversion element actives, adjacent to a column direction, which share a read element. A plurality of independent read element actives are assigned per the 2 shared pixels by 1, and are separated from the photoelectric conversion element actives. Long sides of the independent read element actives are oriented in the column direction in a cross area of an inter-column space and an inter-row space of the matrix.
Abstract translation: 提供了具有改善的光接收效率的2共享像素图像传感器及其制造方法，以光学和重复地接收布置成阵列类型的光电转换元件中的光，而不管位置如何。 2个共享像素的矩阵包括与列方向相邻的两个光电转换元件活动物，其共享读取元素。 每个2个共享像素分配多个独立的读取元素活动物，并且与光电转换元件活动物分离。 独立读取元素活性物质的长边在列方向上在矩阵的列间空间和行间空间的交叉区域中取向。
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110.发明授权고진공 화학기상증착 기술을 사용하여 에피택시얼반도체층을 선택적으로 형성하는 방법들 및 이에 사용되는배치형 고진공 화학기상증착 장비들 失效使用高真空化学气相沉积技术和间歇式高真空化学气相沉积设备选择性形成外延半导体层的方法
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