-
公开(公告)号：KR1020130046342A
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020120080601
申请日：2012-07-24
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C12P19/34 , B01J2219/00315 , B01J2219/00441 , B01J2219/00468 , B01J2219/005 , B01J2219/00596 , B01J2219/00648 , B01J2219/00691 , B01J2219/00693 , B01J2219/00722 , C40B20/02 , C40B50/14 , C40B60/04 , C12N15/1006 , C12Q1/6806
Abstract: PURPOSE: A method for producing a large amount of high purity nucleotides is provided to quickly and accurately isolated microbeads with a predetermined base sequence and to amplify in a usable amount. CONSTITUTION: A method for producing a large amount of high purity nucleotides comprises: a step of providing a sequencing substrate with a replication library of oligonucleotides on a solid support(S110); a step of sequencing the replication library(S120); a step of obtaining measured location information of the solid support on the sequencing substrate(S130); a step of mapping pixel information and measured location information generated from the solid support(S140); a step of isolating a solid support with desired base sequence from the sequencing substrate using the mapping result(S150); and a step of amplifying the oligonucleotide of the isolated solid support(S160). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Provide a sequencing analysis substrate with a replication library of oligos on a solid support; (S120) Sequence the replication library; (S130) Obtain the actual location information of the solid support; (S140) Map pixel information and the actual location information; (S150) Extract the solid support using a mapping result; (S160) Massively replicate by amplifying the oligos of the extracted solid support
Abstract translation: 目的：提供用于产生大量高纯度核苷酸的方法，以预定的碱基序列快速且准确地分离出微珠并以可用量进行放大。 构成：用于生产大量高纯度核苷酸的方法包括：在固体支持物上提供具有寡核苷酸复制文库的测序底物的步骤（S110）; 对复制库进行排序的步骤（S120）; 获得测序基板上的固体支持物的测量位置信息的步骤（S130）; 映射从固体支持物生成的像素信息和测量位置信息的步骤（S140）; 使用映射结果从测序底物中分离具有所需碱基序列的固体支持物的步骤（S150）; 和扩增分离的固体支持物的寡核苷酸的步骤（S160）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）在固体支持物上提供具有寡核苷酸复制文库的测序分析底物; （S120）顺序复制库; （S130）获取实体支持的实际位置信息; （S140）映射像素信息和实际位置信息; （S150）使用映射结果提取固体支持; （S160）通过扩增提取的固体支持物的寡核苷酸大量复制
-
公开(公告)号：KR1020120129836A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020120053576
申请日：2012-05-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/02 , G01N15/10 , G01N33/483 , B81B7/02
Abstract: PURPOSE: A fine particle measuring device, a fine particle measuring method, and a manufacturing method thereof are provided to detect fine particles passing through a specific section by observing a potential value of the specific position in the inside of a fine fluid pipe and to distinguish a size of the particles. CONSTITUTION: A fine particle measuring device(100) comprises a substrate, a fine fluid pipe layer, a sensing electrode(120), and a reference electrode(130). The fine fluid pipe layer comprises a fine fluid pipe(110). The fine fluid pipe has a cross-sectional area in which fine particles desired to measure can be penetrated. The sensing electrode is formed on the substrate to across the fine fluid pipe. The reference electrode is formed on the substrate and reference voltage is applied to the reference electrode.
Abstract translation: 目的：提供微粒测量装置，微粒测量方法及其制造方法，通过观察细流体管内的特定位置的电位值来检测通过特定部分的微粒，并区分 颗粒的大小。 构成：细颗粒测量装置（100）包括基底，细流体管层，感测电极（120）和参比电极（130）。 细流体管层包括细流体管（110）。 细流体管具有可以渗透需要测量的微粒的横截面。 感测电极形成在衬底上以跨过精细流体管。 参考电极形成在基板上，参考电压被施加到参考电极。
-
公开(公告)号：KR101156073B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020090093027
申请日：2009-09-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L23/28
Abstract: 칩 코팅 방법에 관한 기술이 개시(disclosure)된다. 일 실시 예에 있어서, 칩 코팅 방법은 유연성 기판 위에 배치된 복수의 칩들을 준비하는 과정, 상기 유연성 기판을 변형하여 상기 제1 배열을 제2 배열로 변경하는 과정, 상기 기판 및 상기 복수의 칩들 표면의 적어도 일부 영역 위에 포토레지스트를 형성하는 과정 및 상기 포토레지스트에 선택적으로 광을 노출하여, 상기 복수의 칩들 표면에 제1 코팅층을 형성하는 과정을 포함한다. 상기 복수의 칩들은 상기 기판 위에서 제1 배열을 가진다. 상기 제1 코팅층은 경화된 상기 포토레지스트이다.
-
公开(公告)号：KR101101315B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020100005094
申请日：2010-01-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 리소그래피 시스템에 관한 기술이 개시된다. 일 실시 예에 있어서, 리소그래피 시스템은 기판 위에 배치된 적어도 하나의 표적물(target object), 상기 표적물을 영상 처리하여 상기 표적물의 코팅층을 위한 광 패턴을 정하는 처리기 및 상기 처리기에 의해 정해진 상기 광 패턴을 가지는 광을 상기 기판에 제공하는 노광 장치를 포함한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110110046A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020110029454
申请日：2011-03-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G06K19/06196 , B01J19/0046 , B01J2219/00317 , B01J2219/00466 , B01J2219/00468 , B01J2219/005 , B01J2219/00533 , B01J2219/00545 , B01J2219/00549 , B01J2219/00576 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00648 , B01J2219/00655 , B01L3/502761 , B01L2200/0668 , B01L2300/0819 , B01L2300/0822 , B01L2400/043 , B03C1/034 , B03C1/288 , B03C2201/18 , B03C2201/24 , B03C2201/26 , G01N33/54346 , G01N33/587 , G01N35/0098 , G06K7/08 , G06K19/022
Abstract: 자성 나노입자들이 정렬된 자성축을 구비한 자성 구조물을 함유한 용액을 제공하는 단계; 및
상기 용액에 대해 외부 자기장을 인가하여 상기 자성 구조물의 움직임을 제어하는 단계를 포함하는 자성 구조물의 자기적 제어방법이 제공된다.-
公开(公告)号：KR101004769B1
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：KR1020080088683
申请日：2008-09-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G03F7/70341 , B29C64/106 , B29L2031/756 , B33Y30/00 , B81C99/0095 , B81C2201/0159 , F15B7/08 , F15B15/10 , G03B27/54 , G03F7/20 , G03F7/70416
Abstract: 막(membrane), 유체관 및 공기 체임버를 구비하는 광유체적 리소그래피 시스템이 개시된다. 상기 막은 상기 유체관과 상기 공기 체임버 사이에 위치한다. 상기 유체관은 내부에 유체가 있고, 상기 막의 변위에 대응하는 높이를 가진다. 상기 공기 체임버는 내부 기압에 따라 상기 막의 변위를 유도한다.
Abstract translation: 提供了包括膜，微流体通道和气动室的光流体光刻系统。 膜可以位于气动室和微流体通道之间。 微流体通道可以具有对应于膜的位移的高度并且具有在其中流动的流体，流体由从底部照射的光固化以形成微结构。 气动室可以根据其内部大气压力而引起膜的移位。
-
公开(公告)号：KR100980115B1
公开(公告)日：2010-09-07
申请号：KR1020080001861
申请日：2008-01-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 간략히 LED라 함) 코팅 방법에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 LED에 형광체, 몰딩 등을 코팅하는데 사용될 수 있는 LED 코팅 방법에 관한 발명이다.
본 발명 일측면은 (a) 기판, 상기 기판 위에 배열된 복수의 LED를 준비하는 단계; (b) 상기 기판 및 상기 복수의 LED 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 (c) 상기 포토레지스트에 선택적으로 광을 노출함으로써, 상기 복수의 LED의 표면에 제1 코팅-상기 제1 코팅은 경화된 상기 포토레지스트임-을 형성하는 단계를 구비하는 LED 코팅 방법을 제공하는 것이다.-
公开(公告)号：KR1020100025450A
公开(公告)日：2010-03-09
申请号：KR1020080113333
申请日：2008-11-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B29C35/10 , B29C2035/0827 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G02B6/107
Abstract: PURPOSE: A nanowire manufacturing apparatus and a method of manufacturing a nanowire are provided to manufacture nanowires with different compositions at the same time for producing multi-composition nanowire as a bunch. CONSTITUTION: A method of manufacturing a nanowire comprises the following steps: forming plural nanowires at a first position(50) in a fluidic channel(10) having nano-size holes(40) on one side; and providing the plural nanowires to a second position(51) corresponding a roughness structure. The step of forming the plural nanowires comprises: step1, supplying a resin(30) to the first position of the in a fluidic channel; step2, of flowing in the resin to contact a first end of the nano-size holes; and step 3, irradiating a second end of the nano-size holes to partially solidify the resin.
Abstract translation: 目的：提供纳米线制造装置和纳米线的制造方法，以同时制造具有不同组成的纳米线，以生产作为一束的多组分纳米线。 构成：制造纳米线的方法包括以下步骤：在一侧具有纳米尺寸孔（40）的流体通道（10）中的第一位置（50）处形成多个纳米线; 以及将多个纳米线提供给对应于粗糙结构的第二位置（51）。 形成多个纳米线的步骤包括：步骤1，将树脂（30）供应到流体通道中的第一位置; 步骤2，在树脂中流动以接触纳米尺寸孔的第一端; 和步骤3，照射纳米尺寸孔的第二端部分地使树脂固化。
-
公开(公告)号：KR1020100024874A
公开(公告)日：2010-03-08
申请号：KR1020080113216
申请日：2008-11-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
Inventor： 권성훈
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/76251 , H01L29/0665 , H01L29/0669
Abstract: PURPOSE: A nano structure and a fabrication method thereof are provided to fabricate the nano structure with a desired size and shape with a low cost and a high throughput. CONSTITUTION: A fabrication method of a nano structure comprises the following steps: supplying an on-insulator(SOI) substrate including a silicon wafer(110), a first oxide layer(120) and a silicon layer(130); arranging a polysilicon pattern on the SOI substrate; arranging a second oxide layer on the polysilicon pattern and the SOI substrate; partially removing the second oxide layer to form a side wall structure close to the polysilicon pattern; removing the polysilicon pattern; transferring a side wall structured oxide spacer pattern to the silicon layer on the SOI substrate to form the nano structure; and partially removing the first oxide layer to release the nano structure.
Abstract translation: 目的：提供纳米结构及其制造方法，以低成本和高产量制造具有所需尺寸和形状的纳米结构。 构成：纳米结构的制造方法包括以下步骤：提供包括硅晶片（110），第一氧化物层（120）和硅层（130）的绝缘体（SOI）衬底; 在SOI衬底上布置多晶硅图案; 在多晶硅图案和SOI衬底上布置第二氧化物层; 部分地去除第二氧化物层以形成靠近多晶硅图案的侧壁结构; 去除多晶硅图案; 将侧壁结构氧化物间隔物图案转移到SOI衬底上的硅层以形成纳米结构; 并部分去除第一氧化物层以释放纳米结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.031 seconds)
