-
公开(公告)号：KR100345456B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019980049843
申请日：1998-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D7/00
Abstract: 본 발명은 적은 소비전력, 낮은 잡음특성, 높은 이득 및 단자들 간의 우수한 신호 분리성 및 작은 크기를 가진 고주파 대역에서 동작하는 마이크로웨이브 모노리식 집적회로용 주파수 혼합기를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 주파수 혼합기에 있어서, 국부 발진자 신호 및 고주파 신호를 각각 입력받는 제1 및 제2 정합 회로부; 상기 제1 및 제2 정합 회로부로부터 각각 출력되는 주파수 신호를 입력받아 혼합하여 새로운 주파수 성분을 가지는 중간 주파 신호로 변환 출력하는 주파수 코아 회로부; 및 상기 주파수 코아 회로부로부터 출력되는 중간 주파 신호를 저대역 필터링하여 최종 중간 주파 신호로 출력하는 저대역 여파 회로부를 포함하며, 상기 주파수 코아 회로부는, 상기 제1 및 제2 정합 회로부로부터 각각 출력되는 상기 국부 발진자 신호 및 상기 고주파 신호를 인가받는, 캐스코드 형태로 이루어진 입력 수단; 상기 입력 수단으로부터의 상기 국부 발진자 신호 및 상기 고주파 신호에 응답하여 증폭 동작을 수행한 후 상보적인 상기 중간 주파 신호를 출력하기 위한 증폭 수단; 및 상기 증폭 수단으로부터의 상기 상보적인 중간 주파 신호를 입력받아 동위상 신호를 제거한 후 주파수를 혼합하여 상기 저대역 여파 회로부로 출력하기 위한 출력 정합 수단을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020010017269A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990032699
申请日：1999-08-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/00
Abstract: PURPOSE: A decision method of stability for super-high frequency circuit and super-high frequency system is provided to be used in analyzing small and great signal and decide the margins of a gain and a phase to refer the decision in designing. CONSTITUTION: In the first step(30), a voltage gain is calculated using a scattering variable of a 2 terminal network. In the second step(40), the size and phase of the gain are calculated from the voltage gain due to the scattering variable. In the third step(50-70), the margins of the gain and the phase are calculated from the calculated gain and phase and are compared with a predetermined margin permitted value to decide whether the stability is satisfied in accordance with the comparison result.
Abstract translation: 目的：提供超高频电路和超高频系统的稳定性决策方法，用于分析小信号和大信号，并确定增益和相位的余量以参考设计中的决策。 构成：在第一步（30）中，使用2端子网络的散射变量计算电压增益。 在第二步骤（40）中，增益的大小和相位由于散射变量由电压增益计算。 在第三步骤（50-70）中，从计算的增益和相位计算增益和相位的余量，并与预定的余量允许值进行比较，以根据比较结果来确定是否满足稳定性。
-
公开(公告)号：KR100221543B1
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019940026395
申请日：1994-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/30
Abstract: 본 발명은 초고주파 회로(MMIC) 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 다공질 실리콘(Porous Silicon Layer) 또는 산화 다공질 실리콘층(Oxidized PSL)을 이용하여 제작단가가 저렴하면서도 절연특성이 우수한 MMIC 기판을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
소정의 실리콘 기판에 소정 도전형의 불순물을 주입하여 활성영역을 형성한 후, 활성영역의 표면보호를 위하여 활성영역 상부에 보호막을 형성하는 단계; 상기 활성영역을 구비한 실리콘 기판을 불산(HF)의 수용액에서 양극반응시켜 상기 활성영역이 완전 고립되고 충분한 전기적 절연이 확보될 수 있을 정도의 두께를 갖는 다공질 실리콘층(Porous Silicon Layer)을 형성하는 단계; 상기 보호막 제거한 후 상기 다공질 실리콘층의 전면에 절연층을 형성하고, 절연층 상부에 비활성 소자 및 전송선을 형성하는 단계; 및 상기 다공질 실리콘층으로 변형되지 않은 실리콘 기판을 제거한 후, 다공질 실리콘층의 후면에 전극을 형성하는 단계로 구성된다.-
公开(公告)号：KR100211948B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960048012
申请日：1996-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/84
Abstract: 본 발명은 얇은 규소막을 갖는 SOI 기판을 사용하고 채널하부 전극을 가지는 SOI 기판을 이용한 전력소자 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두꺼운 규소막을 갖는 SOI 기판을 사용함으로써 제어회로부와 동시에 집적화시에 제조공정과정에서 어려웠고, 또한 얇은 규소막을 갖는 SOI 기판위에 전력소자를 구현하더라도 채널하부 전극이 플로우팅 되는 구조를 갖게 되었던 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 얇은 규소막을 갖는 SOI기판을 사용하면서도 채널하부 전극을 가짐으로써 기존의 얇은 규소막을 갖는 전력소자 구조에서 구현할 수 없는 IGBT의 전력소자 구조를 가질 수 있으므로, 더 높은 전압과 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 또한 제어회로부와 유사한 제조공정을 사용하여 전력소자부를 제조할 수 있으므로 smart power IC제작에도 활용할 � � 가 있는 것이다.
-
公开(公告)号：KR1019990052572A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970072065
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: 본 발명은 차동 증폭 회로에 관한 것으로 특히, 소스 전극으로 신호를 입력하고 드레인 전극으로 출력하는 구조로 여러 가지 혼합된 주파수 성분을 원래의 차동 신호로부터 용이하게 제거할 수 있는 것을 특징으로 한다.
종래의 차동 증폭 회로는 독립된 증폭단을 구성하여 바이어스 회로 및 이에 따른 직류 바이어스 전류 소모를 필요로 한다.
본 발명에서는 두 개의 트랜지스터를 이용하여, 첫 번째 입력 신호를 제 1 트랜지스터의 소스 전극에 공급하고 동시에 제 2 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하며, 두 번째 입력 신호는 제 2 트랜지스터의 소스 전극에 공급하고 동시에 제 1 트랜지스터의 게이트 전극에 공급한다. 또한 각각 트랜지스터의 드레인 전극은 부하 저항과 연결 되도록 한 구성으로 독립된 직류 바이어스 전원이 필요없는 간단한 회로를 제시한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990017315A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970040213
申请日：1997-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/739
Abstract: 본 발명은 진공 또는 대기 등의 기체 내에서 인접한 두개의 전극 사이에 높은 전류 구동이 가능하게 한 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자에 관한 것으로, 두개의 박막형의 전극을 형성하고 이 전극을 각각 방출전극, 수전전극으로 사용하고 임계 에너지 이상의 광을 방출전극에 조사하여 전자를 방출시켜 게이트의 동작을 수행하게 고안된 트랜지스터인 광게이트 트랜지스터를 원하는 소자의 내압에 대해 전압 항복이 발생하지 않게 방출전극과 수전전극 사이의 간격을 유지한다. 또한 전극간에 전압을 인가하면서 방출전극에 광을 조사하여 전자를 방출시킬 때 조사 유효 면적을 증대시키고자 소자의 전극 구조를 빗살 구조로 형성하여 높은 전류 구동이 가능하게 한 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR100174877B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950045013
申请日：1995-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 필드 에미션 어레이(FEA)의 팁 제조방법에 관한 것으로서, 종래 기술의 대면적 웨이퍼에서 균일하고 작게 팁 패터닝을 하기 어려웠던 문제점을 해결하기 위해 종래의 팁을 패턴하는 마스크를 대신하여 종방향(칼럼) 마스크와 횡방향(로우) 마스크를 사용하여 각각 측벽을 써서 실리콘 식각을 위한 에치 마스크층을 형성한 후 팁을 제조하는 것이다.
-
公开(公告)号：KR1019980028833A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960048012
申请日：1996-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/84
Abstract: 본 발명은 얇은 규소막을 갖는 SOI기판을 사용하고 채널하부 전극을 가지는 SOI기판을 이용한 전력소자 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두꺼운 규소막을 갖는 SOI기판을 사용함으로써 제어회로부와 동시에 집적화시에 제조공정과정에서 어려웠고, 또한 얇은 규소막을 갖는 SOI기판 위에 전력소자를 구현하더라도 채널하부 전극이 플로우팅 되는 구조를 갖게 되었던 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 얇은 규소막을 갖는 SOI기판을 사용하면서도 채널하부 전극을 가짐으로써 기존의 얇은 규소막을 갖는 전력소자 구조에서 구현할 수 없는 IGBT의 전력소자 구조를 가질 수 있으므로 더 높은 전압과 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 또한, 제어회로부와 유사한 제조공정을 사용하여 전력소자부를 제조할 수 있으므로 smart power IC 제작에도 활용할 수� �� 있는 것이다.
-
公开(公告)号：KR1019980019610A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960037805
申请日：1996-09-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전계방출 소자 제조 방법에 관한 것으로, 기판을 두단계로 식각하여 팁을 마스킹층의 크기에 비해 높게 형성하여 팁과 게이트의 간격을 크게 줄일 수 있고, 팁과 게이트 홀이 자동 정렬될 수 있으며, CVD에 의한 박막의 두께로 팁과 게이트의 간격을 조절할 수 있고, 폴리실리콘 산화막에 의해서 두꺼운 게이트 절연막을 형성할 수 있어 낮은 게이트 누설 전류를 얻을 수 있는 전계방출 소자 제조 방법이 개시된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
304
records
(took 0.023 seconds)
