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公开(公告)号:KR1019970048658A
公开(公告)日:1997-07-29
申请号:KR1019950052695
申请日:1995-12-20
IPC: G02B6/38
Abstract: 본 발명은 자기정렬된 정렬마크를 지닌 광결합장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 광결합장치는, 실리콘 기판(1) 위에, 광섬유(17)의 고정과 정렬을 위한 V-홈(2); V-홈(2)에 실장된 광섬유(17)를 고정하기 위한 접착제를 V-홈(2)에 적용시키기 위한 접착제 적용구(3); 광섬유(17) 끝단이 V-홈(2)의 경사면에 의해 방해받지 않고 V-홈(2)의 끝까지 진행하도록 하기 위한 U-채널(4); 레이저 다이오드(9)의 후면으로부터 방출된 빛을 포토다이오드(14)에 전달시키기 위한 U-홈(12); 광소자를 플립칩본딩하기 위한 솔더범프(5); 및, 플립칩본딩 이전에 광소자의 정확한 수평적인 위치선정을 돕기 위한 정렬마크(6)가 형성된 것을 특징으로 한다.
아울러, 본 발명의 광결합장치 제조방법은, 실리콘 기판(1)의 상하면에 제1절연막(10)을 형성하고, 그 전면(全面)에 사진전사공정과 금속의 증착 및 리프트-오프(lift-off)공정에 의해 금속패드(5a) 및 정렬마크패드(6a)를 형성하는 제1공정; 실리콘 기판(1) 위에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막 등의 제2절연막(10a)을 기판(1)의 전면에 증착하고, 사진전사공정과 건식식각 공정에 의해 상기한 제1절연막(10) 및 제2절연막(10a)을 건식식각하여 V-홈 식각창(22), 솔더댐(23) 및 정렬마크(6)를 동시에 자기정렬하여 형성하는 제2공정; 상기한 기판(1) 위에 KOH 등의 이방성 실리콘 식각용액으로 실리콘 V-홈(2) 및 접착제 적용구(3)를 형성하는 제3공정; 및, 기판(1) 위에 사진전사공정과 솔더물질의 진공증착 및 리프트-오프 공정으로 금속패드(5a) 위에 솔더범프(5)를 형성하고, 톱날 또는 레이저장치를 사용하여 V-홈(2)의 끝단에 U-채널(4)을 형성하는 제4공정을 포함한다.-
公开(公告)号:KR1019970048654A
公开(公告)日:1997-07-29
申请号:KR1019950050519
申请日:1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/38
Abstract: 본 발명은 광결합장치의 제조방법에 관한 것으로 특히, 실리콘 기판상의 V-홈을 이용한 수동정렬 방법으로 광소자와 광섬유간에 광결합을 이루고자 할 때 광소자를 정렬하기 위한 정렬부호의 위치를 광섬유 축의 위치에 대하여 자동적으로 항상 일정하게 형성되도록 함으로써 정밀한 광결합을 이룰 수 있도록 하는 자동정렬된 정렬 부호를 이용한 광결합장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 수동정렬용 기판 제작시 광소자의 플립칩본딩을 위한 정렬부호를 삽입하고, V-홈을 형성함에 있어서 별도의 포토리소그라피공정중에 발생한 마스크 정렬 오차를 제거하며, V-홈의 이방성 식각후에 변화된 V-홈의 중심 위치에 대한 플립칩본딩용 정렬부호의 위치변화를 방지하기 위하여 이들을 한번의 식각 공정으로 동시에 형성함으로 수행되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号:KR1019970024401A
公开(公告)日:1997-05-30
申请号:KR1019950034145
申请日:1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/022
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 전송선위에 직접 레이저 다이오드를 접합하는 공정과, 레이저 다이오드의 p-축 전극을 넓은 접지면에 와이어 본딩하는 공정과, 레이저 다이오드의 온도 감지를 위해 서미스터를 넓은 접지면에 접합하는 공정을 포함하는 것으로, 초고속 전송용 레이저 다이오드 모듈의 제조시 보다 조립공정을 단순화시켜 간편하게 작업을 할 수 있고, 고주파 특성의 향상 및 열 특성을 개선하며, 작업도중에 제품의 신뢰도를 간편하게 측정할 수 있도록 하므로써 제품의 품위를 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
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公开(公告)号:KR100373398B1
公开(公告)日:2003-02-25
申请号:KR1019990041941
申请日:1999-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: PURPOSE: A multichip module substrate in which a built-in passive device is contained, as well as a method for manufacturing the substrate, is provided to realize a reduction in size of the substrate. CONSTITUTION: The substrate for a multichip module includes the built-in passive device such as a resistor, a capacitor and/or an inductor formed therein. To manufacture the substrate, the first insulating layer(11) is formed on a base substrate(10). The first seed metal layer(12) and the first main metal layer(13) are then stacked on the first insulating layer(11) to form the first metal layer(14). Next, the second insulating layer(15) having via holes is formed on the first metal layer(14), and the resistor(18) is then selectively formed thereon. Thereafter, the second metal layer(22) composed of the second seed and main metal layers(19,21) is formed on the second insulating layer(15), so that the capacitor is constituted by the first and second metal layers(14,22) and the second insulating layer(15). Then, the inductor is formed by the second metal layer(22), the third insulating layer(23) and the third metal layer(27).
Abstract translation: 目的:提供一种其中包含内置无源器件的多芯片模块基板以及用于制造基板的方法,以实现基板尺寸的减小。 构成:用于多芯片模块的基板包括内置的无源器件,例如形成在其中的电阻器,电容器和/或电感器。 为了制造基板,在基底基板(10)上形成第一绝缘层(11)。 然后将第一种金属层(12)和第一主金属层(13)堆叠在第一绝缘层(11)上以形成第一金属层(14)。 接着,在第一金属层(14)上形成具有通孔的第二绝缘层(15),然后在其上选择性地形成电阻器(18)。 之后,在第二绝缘层(15)上形成由第二晶种和主金属层(19,21)构成的第二金属层(22),使得电容器由第一和第二金属层(14, 22)和第二绝缘层(15)。 然后,电感器由第二金属层(22),第三绝缘层(23)和第三金属层(27)形成。
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公开(公告)号:KR1020020054205A
公开(公告)日:2002-07-06
申请号:KR1020000083173
申请日:2000-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/60
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a bump is provided to minimize stress generated by the difference of a thermal expansion coefficient between a chip and a substrate, by forming the bump of a high aspect ratio. CONSTITUTION: Photoresist is coated several times to form a relatively thick photoresist. An exposure and development process is selectively performed regarding the photoresist to form a plurality of vias. A bump material is plated on the via. The photoresist is stripped. The plated bump material is reflowed to a spherical bump by a reflow method.
Abstract translation: 目的:提供一种用于制造凸块的方法,通过形成高纵横比的凸块来最小化由芯片和基板之间的热膨胀系数的差异产生的应力。 构成:将光致抗蚀剂涂覆数次以形成相对厚的光致抗蚀剂。 选择性地对光致抗蚀剂进行曝光和显影处理以形成多个通孔。 凸块材料镀在通孔上。 剥离光致抗蚀剂。 电镀凸块材料通过回流法回流到球形凸块。
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公开(公告)号:KR100331684B1
公开(公告)日:2002-04-09
申请号:KR1019990036332
申请日:1999-08-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 1. 청구범위에기재된발명이속하는기술분야본 발명은광통신시스템에서사용되는광원모듈에관한것으로, 특히광원의중심파장이정확하고일정하게유지될수 있도록하는파장안정화기가내장된광원모듈에관한것임. 2. 발명이해결하고자하는기술적과제본 발명은파장안정화기를내장한광원모듈을제공하는데그 목적이있음. 3. 발명의해결방법의요지본 발명은광통신시스템에사용되는광원모듈에있어서, 회절격자의분산에의해파장이변함에따라, 한소자는광 전류가증가하고, 다른한 소자는광 전류가감소하도록서로대칭구조로구성되어검출된광 전류값을비교하여파장을일정하게유지하기위한파장안정화수단을포함함. 4. 발명의중요한용도본 발명은광통신시스템등에이용됨.
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公开(公告)号:KR100317130B1
公开(公告)日:2001-12-22
申请号:KR1019990040422
申请日:1999-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/40
Abstract: 본발명은광가입자망에서송수신이동시에가능한양방향송수신모듈에관한것이다. 이러한양방향송수신모듈은송수신집적칩과, 광섬유와, 실리콘벤치로구성된다. 상기송수신집적칩은, 상기레이저광원의앞에집적되어상기레이저광원에서방출되는송신광의모드크기를변환하는광모드변환수단과, 상기광모드변환수단의위에집적되어상기광모드변환수단을통해도파되는송신광의일부를검출하여송신광을모니터링하는모니터광검출수단, 및상기모니터광검출수단의위에집적되어상기광섬유를통해입사되는수신광을검출하는상기수신광검출수단을포함하고; 상기실리콘벤치는, 기판과, 상기기판에형성되어상기수신광을상기수신광검출소자에게반사하는 U자홈, 상기 U자홈의한쪽끝부분의상기기판에중복형성된 V자홈, 및상기 U자홈과 V자홈 사이에형성되어상기광섬유나 V자홈에서반사된송신광을차단하는반사차단벽을포함하며; 상기광섬유는, 상기송수신집적칩과대면한단부가경사절두원추형으로형성되어, 상기광섬유의코어부분만기울기각을가지도록형성된다.
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公开(公告)号:KR1020010028259A
公开(公告)日:2001-04-06
申请号:KR1019990040422
申请日:1999-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/40
CPC classification number: G02B6/4246 , G02B6/4214 , G02B6/4243 , H01S5/02252 , H04B10/40
Abstract: PURPOSE: A bidirectional transceiver module for an optical subscriber line is provided to have an integrated transceiver chip, a silicon bench, and an optical fiber, so as to perform a transceiving using two different wavelengths and using a single wavelength as well. CONSTITUTION: An integrated transceiver chip(100) comprises as follows. A spot size converter(120) is integrated in front of an LD(Laser Diode)(110), and converts a mode size of a transmitting light released from the LD(110). A monitor photodiode(130) is integrated into the spot size converter(120), and detects portions of a transmission light waveguided through the spot size converter(120), then monitors the transmission light. A detector photodiode(140) is integrated on the monitor photodiode(130), and detects a receiving light incident through an optical fiber(300). A silicon bench(200) comprises as follows. A 'U'-shaped groove(201) formed on a substrate reflects the receiving light on the detector photodiode(140). A 'V'-shaped groove(202) is overlapped on one end of the substrate with the 'U'-shaped groove(201). A reflection interception wall(203) formed between the 'U'-shaped groove(201) and the 'V'-shaped groove(202) intercepts the transmission light reflected from the optical fiber(300) or the 'V'-shaped groove(202). An end of the optical fiber(300) is faced with the integrated transceiver chip(100), and formed with a slope truncation conic shape, to make a core part of the optical fiber(300) have a slope angle.
Abstract translation: 目的:提供用于光用户线路的双向收发器模块,以具有集成收发器芯片,硅台架和光纤,以便使用两个不同波长执行收发,并使用单个波长。 构成:集成收发器芯片(100)包括如下。 光点尺寸转换器(120)集成在LD(激光二极管)(110)的前面,并且转换从LD(110)释放的透射光的模式尺寸。 监视器光电二极管(130)被集成到光斑尺寸转换器(120)中,并且检测通过光斑尺寸转换器(120)波导的透射光的部分,然后监视透射光。 检测器光电二极管(140)集成在监视器光电二极管(130)上,并检测通过光纤(300)入射的接收光。 硅台(200)包括如下。 形成在基板上的'U'形槽(201)反射检测器光电二极管(140)上的接收光。 “V”形槽(202)与“U”型槽(201)重叠在基板的一端。 形成在U形槽(201)与V形槽(202)之间的反射截取壁(203)截取从光纤(300)反射的透射光或“V”形槽 (202)。 光纤(300)的端部面向集成收发芯片(100),并且形成为斜截头锥形,以使光纤(300)的核心部分具有倾斜角。
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公开(公告)号:KR1020010020083A
公开(公告)日:2001-03-15
申请号:KR1019990041941
申请日:1999-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: PURPOSE: A multichip module substrate in which a built-in passive device is contained, as well as a method for manufacturing the substrate, is provided to realize a reduction in size of the substrate. CONSTITUTION: The substrate for a multichip module includes the built-in passive device such as a resistor, a capacitor and/or an inductor formed therein. To manufacture the substrate, the first insulating layer(11) is formed on a base substrate(10). The first seed metal layer(12) and the first main metal layer(13) are then stacked on the first insulating layer(11) to form the first metal layer(14). Next, the second insulating layer(15) having via holes is formed on the first metal layer(14), and the resistor(18) is then selectively formed thereon. Thereafter, the second metal layer(22) composed of the second seed and main metal layers(19,21) is formed on the second insulating layer(15), so that the capacitor is constituted by the first and second metal layers(14,22) and the second insulating layer(15). Then, the inductor is formed by the second metal layer(22), the third insulating layer(23) and the third metal layer(27).
Abstract translation: 目的:提供一种其中包含内置无源器件的多芯片模块衬底以及用于制造衬底的方法,以实现衬底尺寸的减小。 构成:用于多芯片模块的衬底包括诸如电阻器,电容器和/或其中形成的电感器的内置无源器件。 为了制造基板,第一绝缘层(11)形成在基底(10)上。 然后将第一种子金属层(12)和第一主金属层(13)堆叠在第一绝缘层(11)上以形成第一金属层(14)。 接下来,在第一金属层(14)上形成具有通孔的第二绝缘层(15),然后选择性地形成电阻(18)。 然后,在第二绝缘层(15)上形成由第二种子和主金属层(19,21)构成的第二金属层(22),使得电容器由第一和第二金属层(14, 22)和第二绝缘层(15)。 然后,电感器由第二金属层(22),第三绝缘层(23)和第三金属层(27)形成。
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