中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

204 records (took 0.036 seconds)

    Micromechanical sensor and method for its production
    101.
    发明授权
    Micromechanical sensor and method for its production 有权
    微机械传感器及其生产方法

    公开(公告)号：US06389902B2

    公开(公告)日：2002-05-21

    申请号：US09781798

    申请日：2001-02-12

    Applicant: Robert Aigner ,  Hans-Jörg Timme ,  Thomas Bever

    Inventor： Robert Aigner ,  Hans-Jörg Timme ,  Thomas Bever

    IPC: G01L900

    CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0136 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

    Abstract: The invention relates to a micromechanical sensor and to a corresponding production method that includes the following steps: a) preparing a doped semiconductor wafer; b) applying an epitaxial layer that is doped in such a way that a jump in the charge carrier density in the interface between the semiconductor wafer and the epitaxial layer occurs; c) optionally etching ventilation holes traversing the epitaxial layer and optionally filling the ventilation holes with a sacrificial material; d) depositing at least one sacrificial layer, at least one spacing layer, a membrane and optionally a semiconductor circuit on the top side of the epitaxial layer using a technology known per se, wherein the semiconductor circuit may be applied after the membrane is formed or while depositing the layers required to form the membrane; e) etching a hole on the back part of the sensor, wherein the etching method is selected in such a way that etching advances in the direction of the top side and ceases in the interference between the wafer and the epitaxial layer by changing charge carrier concentration. The invention also relates to the utilization of the micromechanical sensor in pressure sensors or microphones.

    Abstract translation: 本发明涉及一种微机械传感器及相应的生产方法，包括以下步骤：a）制备掺杂半导体晶片; b）施加掺杂的外延层，使得发生半导体晶片和外延层之间的界面中的电荷载流子密度的跳跃; c）可选地蚀刻穿过外延层的通气孔并且可选地用牺牲材料填充通风孔; d）使用本身已知的技术在外延层的顶侧上沉积至少一个牺牲层，至少一个间隔层，膜和任选的半导体电路，其中半导体电路可以在膜被形成之后施加 同时沉积形成膜所需的层; e）蚀刻传感器后部的孔，其中蚀刻方法被选择为使得蚀刻沿着顶侧的方向前进并且通过改变电荷载流子浓度而在晶片和外延层之间的干涉中停止 。 本发明还涉及在压力传感器或麦克风中利用微机械传感器。

    Spring structure with self-aligned release material
    102.
    发明授权
    Spring structure with self-aligned release material 有权
    具有自对准脱模材料的弹簧结构

    公开(公告)号：US06290510B1

    公开(公告)日：2001-09-18

    申请号：US09626936

    申请日：2000-07-27

    Applicant: David Kirtland Fork ,  Jackson Ho ,  Rachel King-ha Lau ,  JengPing Lu

    Inventor： David Kirtland Fork ,  Jackson Ho ,  Rachel King-ha Lau ,  JengPing Lu

    IPC: H01R909

    CPC classification number: G01R1/06716 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00484 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/058 ,  G01R1/06727 ,  G01R1/07342 ,  G01R3/00 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01R4/48 ,  H01R12/57 ,  H05K3/4092 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49135 ,  Y10T29/4914 ,  H01L2924/00

    Abstract: Efficient methods for lithographically fabricating spring structures onto a substrate containing contact pads or metal vias by forming both the spring metal and release material layers using a single mask. Specifically, a pad of release material is self-aligned to the spring metal finger using a photoresist mask or a plated metal pattern, or using lift-off processing techniques. A release mask is then used to release the spring metal finger while retaining a portion of the release material that secures the anchor portion of the spring metal finger to the substrate. When the release material is electrically conductive (e.g., titanium), this release material portion is positioned directly over the contact pad or metal via, and acts as a conduit to the spring metal finger in the completed spring structure. When the release material is non-conductive, a metal strap is formed to connect the spring metal finger to the contact pad or metal via, and also to further anchor the spring metal finger to the substrate.

    Abstract translation: 通过使用单个掩模通过形成弹簧金属和释放材料层来将含有接触垫或金属通孔的弹性结构光刻制造到衬底上的有效方法。 具体地说，使用光致抗蚀剂掩模或电镀金属图案或使用剥离处理技术，释放材料垫与弹簧金属手指自对准。 然后使用释放掩模释放弹簧金属指，同时保持将弹簧金属指的锚固部分固定到基底的释放材料的一部分。 当释放材料是导电的（例如钛）时，该释放材料部分直接位于接触垫或金属通孔上方，并且用作在完成的弹簧结构中的弹簧金属指的导管。 当释放材料不导电时，形成金属带以将弹簧金属指连接到接触垫或金属通孔，并且还将弹簧金属指状物进一步锚定到基底。

    Etch control seal for dissolved wafer micromachining process
    103.
    发明授权
    Etch control seal for dissolved wafer micromachining process 失效
    用于溶解晶片微加工工艺的蚀刻控制密封

    公开(公告)号：US5437739A

    公开(公告)日：1995-08-01

    申请号：US229501

    申请日：1994-04-19

    Applicant: Kenneth M. Hays

    Inventor： Kenneth M. Hays

    IPC: C23F1/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L21/306 ,  H03H3/007 ,  H01L21/302

    CPC classification number: G01L9/0019 ,  B81C1/00801 ,  H03H3/007 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/014 ,  Y10S148/012

    Abstract: A dissolved wafer micromachining process is modified by providing an etch control seal around the perimeter of a heavily doped micromechanical structure formed on a substrate. The micromechanical structure is fabricated on a wafer using conventional methods including the formation of a trench that surrounds and defines the shape of the micromechanical structure in the substrate. The etch control seal comprises a portion of the substrate in the form of a raised ring extending around the perimeter of the micromechanical structure and its defining trench. Selected raised areas of the heavily doped micromechanical structure and the top of the raised etch control seal are bonded to a second substrate. A selective etch is then used to dissolve the first substrate so that the heavily doped micromechanical structure remains attached to the second substrate only at the bonded areas. The etch control seal reduces exposure of the micromechanical structure and bonded areas to the etch by preventing the etch from contacting the heavily doped structure until the etch leaks through the dissolving floor of the trench. This occurs only during the final stages of the substrate dissolution step, thus minimizing exposure of the micromechanical structure and bonded areas to the damaging effects of the etch. Use of an etch control seal increases design flexibility and improves micromechanical device yield and quality in a dissolved wafer fabrication process.

    Abstract translation: 通过在形成在衬底上的重掺杂微机械结构的周边周围提供蚀刻控制密封来修改溶解的晶片微加工工艺。 使用常规方法在晶片上制造微机械结构，包括形成围绕并限定衬底中的微机械结构的形状的沟槽。 蚀刻控制密封件包括呈微环形结构周边延伸的凸起形状的衬底的一部分及其限定沟槽。 重掺杂的微机械结构的选定凸起区域和凸起的蚀刻控制密封件的顶部被结合到第二衬底。 然后使用选择性蚀刻来溶解第一衬底，使得重掺杂的微机械结构仅在接合区域处保持附着到第二衬底。 蚀刻控制密封件通过防止蚀刻与重掺杂结构接触直到蚀刻泄漏通过沟槽的溶解底板来减少微机械结构和结合区域对蚀刻的暴露。 这仅发生在底物溶解步骤的最后阶段期间，从而最小化微机械结构和结合区域对蚀刻的破坏作用的暴露。 蚀刻控制密封件的使用增加了设计灵活性，并且在溶解的晶片制造工艺中提高了微机械装置的产量和质量。

    MIKROMECHANISCHER SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    105.
    发明授权
    MIKROMECHANISCHER SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 有权
    微机械传感器和方法用于生产

    公开(公告)号：EP1105344B1

    公开(公告)日：2012-04-25

    申请号：EP99952247.7

    申请日：1999-08-03

    Applicant: Infineon Technologies AG

    Inventor： AIGNER, Robert ,  BEVER, Thomas ,  TIMME, Hans-Jörg

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0136 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

    Abstract: The invention relates to a micromechanical sensor and to a corresponding production method, comprising the following steps: a) preparing a doped semiconductor wafer (4); b) applying an epitaxial layer (1) that is doped in such a way that a jump in the charge carrier density in the interface (11) between the semiconductor wafer and the epitaxial layer occurs; c) optionally etching ventilation holes (2) traversing the epitaxial layer and optionally filling the ventilation holes with a sacrificial material; d) depositing at least one sacrificial layer (9), at least one spacing layer (10), a membrane (5) and optionally a semiconductor circuit (8) on the top side of the epitaxial layer using a technology known per se, wherein the semiconductor circuit may be applied after the membrane is formed or while depositing the layers required to form the membrane; e) etching a hole (6) on the back part of the sensor, wherein the etching method is selected in such a way that etching advances in the direction of the top side and ceases in the interface between the wafer (4) and the epitaxial layer (1) by changing charge carrier concentration. The invention also relates to the utilization of the micromechanical sensor in pressure sensors or microphones.

    Procédé de fabrication d'un composant électromécanique MEMS/NEMS
    106.
    发明公开
    Procédé de fabrication d'un composant électromécanique MEMS/NEMS 有权
    Verfahren zur Herstellung eines elektromechanischen MEMS-Bauteils in einem einkristallinen Material

    公开(公告)号：EP2138451A1

    公开(公告)日：2009-12-30

    申请号：EP09290471.3

    申请日：2009-06-22

    Applicant: Commissariat à l'Energie Atomique

    Inventor： Perruchot, François ,  Diem, Bernard ,  Larrey, Vincent ,  Clavelier, Laurent ,  Defay, Emmanuel

    IPC: B81C1/00 ,  H03H3/02

    CPC classification number: B81C1/00507 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/175 ,  H03H9/2436 ,  Y10S438/933

    Abstract: L'invention est relative à un procédé de fabrication d'un dispositif électromécanique sur au moins un substrat comprenant au moins un élément actif caractérisé en ce qu'il comporte :
    a) la réalisation d'un substrat hétérogène comprenant une première partie (1, 3, 6), une couche d'interface (8) et une seconde partie (9), la première partie (1, 3, 6) comportant une ou plusieurs zones enterrées (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) en sandwich entre une première (1), et une deuxième (6) région réalisées dans un premier matériau monocristallin, la première région (1) s'étendant jusqu'à la surface (1') de la première partie, et la deuxième région (6) s'étendant jusqu'à la couche d'interface (8, 8'), au moins une dite zone enterrée (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) étant au moins en partie dans un deuxième matériau monocristallin de manière à la rendre sélectivement attaquable par rapport à la première (1) et la deuxième (6) région ;
    b) la réalisation depuis la surface (1") de la première partie et à travers ladite première région (1) d'ouvertures (20) débouchant sur au moins une dite zone enterrée (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) ;
    c) la gravure au moins partielle d'au moins une zone enterrée (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) pour former au moins une cavité (14), de manière à définir au moins un élément actif qui est au moins une partie de la deuxième région (6) entre une dite cavité (14) et ladite couche d'interface (8, 8') ;

    caractérisé en ce que les première (1, 3, 6) et seconde (9) parties du substrat sont constituées respectivement d'un premier et d'un deuxième substrats assemblés par collage dont l'un au moins porte au moins sur une partie de sa surface, une dite couche d'interface (8).

    Abstract translation: 该方法包括实现具有由单晶硅层（1,3）和机械层（6）组成的部分的异质衬底，其中层（6）被延伸直到由磷硅酸盐实现的牺牲界面层（8） 玻璃或二氧化硅。 开口（20）由部分的表面形成，其中开口在掩埋区（2-1,3-1,5-1）上打开。 掩埋区域被部分地雕刻以形成空腔，以便限定作为空腔和界面层之间的层（6）的一部分的有源元件。

    Spring structure and method
    108.
    发明公开
    Spring structure and method 有权
    Federstruktur和Methode

    公开(公告)号：EP1176635A3

    公开(公告)日：2003-04-16

    申请号：EP01305899.5

    申请日：2001-07-09

    Applicant: Xerox Corporation

    Inventor： Fork, David K. ,  Ho, Jackson H. ,  Lau, Rachel King-Ha ,  Lu, Jeng Ping

    IPC: H01L21/48 ,  H01L23/48 ,  B81B3/00 ,  G01R1/067 ,  G01R1/073

    CPC classification number: G01R1/06716 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00484 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/058 ,  G01R1/06727 ,  G01R1/07342 ,  G01R3/00 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01R4/48 ,  H01R12/57 ,  H05K3/4092 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49135 ,  Y10T29/4914 ,  H01L2924/00

    Abstract: Efficient methods for lithographically fabricating spring structures onto a substrate (301) containing contact pads or metal vias (305) by forming both the spring metal and release material layers using a single mask. Specifically, a pad of release material (310) is self-aligned to the spring metal finger (320) using a photoresist mask or a plated metal pattern, or using lift-off processing techniques. A release mask is then used to release the spring metal finger while retaining a portion of the release material that secures the anchor portion of the spring metal finger to the substrate. When the release material is electrically conductive (e.g., titanium), this release material portion is positioned directly over the contact pad or metal via, and acts as a conduit to the spring metal finger in the completed spring structure. When the release material is non-conductive, a metal strap is formed to connect the spring metal finger to the contact pad or metal via, and also to further anchor the spring metal finger to the substrate.

    Abstract translation: 通过使用单个掩模通过形成弹簧金属和释放材料层，将含有接触垫或金属过孔的弹性结构光刻制造到衬底上的高效方法。 具体地，使用光致抗蚀剂掩模或电镀金属图案，或使用剥离处理技术，释放材料垫与弹簧金属指自对准。 然后使用释放掩模来释放弹簧金属指，同时保持将弹簧金属指的锚定部分固定到基底的释放材料的一部分。 当释放材料是导电的（例如钛）时，该释放材料部分直接位于接触垫或金属通孔上方，并且用作在完成的弹簧结构中的弹簧金属指的导管。 当释放材料不导电时，形成金属带以将弹簧金属指连接到接触垫或金属通孔，并且还将弹簧金属指状物进一步锚定到基底。

Patent Agency Ranking