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    Ion source
    102.
    发明专利
    Ion source 有权
    离子源

    公开(公告)号：JP2012018905A

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：JP2010293192

    申请日：2010-12-28

    Applicant: Hon Hai Precision Industry Co Ltd ,  Qinghua Univ ,  ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

    Inventor： RYU HO ,  ZHOU DUANLIANG ,  CHIN HIKIN ,  HO SO-HUK ,  KAKU SAIRIN ,  DU BING-CHU ,  FAN FENG-YAN

    IPC: H01J27/08 ,  H01J37/06 ,  H01J37/08

    CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J1/3044 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2329/0415

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion source.SOLUTION: An ion source comprises a vacuum vessel, a field emission electron source, and an ion electrode. The ion electrode is arranged at one end of the vacuum vessel. The field emission electron source is arranged in the vacuum vessel. The field emission electron source includes an insulation substrate, an electron extraction electrode, a secondary electron emission layer, a cathode plate, and a field emission unit. The electron extraction electrode and the secondary electron emission layer are arranged on/above the insulation substrate. The cathode plate is separated from the electron extraction electrode in an insulated manner, and part of the cathode plate faces the secondary electron emission layer. The cathode plate includes one electron emission portion. The field emission unit is arranged on a surface facing the secondary electron emission layer of the cathode plate.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供离子源。 解决方案：离子源包括真空容器，场发射电子源和离子电极。 离子电极设置在真空容器的一端。 场发射电子源设置在真空容器中。 场发射电子源包括绝缘衬底，电子提取电极，二次电子发射层，阴极板和场致发射单元。 电子提取电极和二次电子发射层布置在绝缘基板上/上。 阴极板以绝缘方式与电子提取电极分离，阴极板的一部分面向二次电子发射层。 阴极板包括一个电子发射部分。 场发射单元布置在面对阴极板的二次电子发射层的表面上。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

    Manufacturing method of field emission type electron source
    104.
    发明专利
    Manufacturing method of field emission type electron source 审中-公开
    场发射型电子源的制造方法

    公开(公告)号：JP2009016233A

    公开(公告)日：2009-01-22

    申请号：JP2007178004

    申请日：2007-07-06

    Applicant: Japan Science & Technology Agency ,  Kyoto Univ ,  Nissin Ion Equipment Co Ltd ,  国立大学法人京都大学 ,  日新イオン機器株式会社 ,  独立行政法人科学技術振興機構

    Inventor： ISHIKAWA JUNZO ,  TSUJI HIROSHI ,  GOTO YASUHITO ,  TAKEUCHI MITSUAKI ,  SAKAI SHIGEKI

    IPC: H01J9/02

    CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/3048

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of obtaining a field-emission type electron source having with excellent electron emission characteristics without requiring an annealing treatment and having long life. SOLUTION: The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon. The coordinates of points P 1 to P 6 on an orthogonal coordinate with one axis as representing energy (its unit is keV) of the carbon ion 40 and the other axis as representing an implantation amount (its unit is ×10 17 ions/cm 2 ) are shown as (energy, implantation amount), the carbon ion 40 is implanted under a condition in an area surrounded by connecting straight lines of 6 points of P 1 (5, 0.8), P 2 (5, 1.5), P 3 (10, 2.5), P 4 (15, 3.0), P 5 (15, 2.0), and P 6 (10, 1.6). COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够获得具有优异的电子发射特性而不需要退火处理并具有长寿命的场致发射型电子源的制造方法。 解决方案：制造方法具有离子注入工艺，用于在形成主要由硅构成的发射极18之后至少将发射极18的尖端部分注入碳离子40。 在一轴的正交坐标上的点P 1 到P 6的坐标表示碳离子40的能量（其单位是keV），另一轴表示为 植入量（其单位为×10 17 离子/ cm 2）表示为（能量，注入量），碳离子40在 P 1 （5,0.8），P 2 （5,1.5），P 3 的6个点 10，2.5），P 4 （15,3.0），P 5 （15,2.0）和P 6（10,1.6） 。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

    電子源
    107.
    发明专利
    電子源 审中-公开
    电子源

    公开(公告)号：TW201717241A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105125826

    申请日：2016-08-12

    Applicant: 克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

    Inventor： 莊 勇何 ,  CHUANG, YUNG-HO ,  肖 寅瑩 ,  XIAO-LI,YINYIND ,  劉學峰 ,  LIU, XUEFENG ,  費爾登 約翰 ,  FIELDEN, JOHN

    IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

    CPC classification number: G03F7/70008 ,  H01J1/304 ,  H01J1/34 ,  H01J35/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2237/0635

    Abstract: 使一電子源形成於具有相對第一表面及第二表面之一矽基板上。將至少一場發射體製備於該矽基板之該第二表面上以增強電子之發射。使用使氧化及缺陷最小化之一程序來將一薄的連續硼層直接安置於該場發射體之輸出表面上以防止矽之氧化。該場發射體可呈現諸如稜錐及圓形晶鬚之各種形狀。可將一或若干選用閘極層放置於該場發射體尖端之高度處或放置成略低於該場發射體尖端之高度以達成對發射電流之快速準確控制及高發射電流。該場發射體可經p型摻雜且經組態以在一反向偏壓模式中操作或該場發射體可經n型摻雜。

    Abstract in simplified Chinese: 使一电子源形成于具有相对第一表面及第二表面之一硅基板上。将至少一场发射体制备于该硅基板之该第二表面上以增强电子之发射。使用使氧化及缺陷最小化之一进程来将一薄的连续硼层直接安置于该场发射体之输出表面上以防止硅之氧化。该场发射体可呈现诸如棱锥及圆形晶须之各种形状。可将一或若干选用闸极层放置于该场发射体尖端之高度处或放置成略低于该场发射体尖端之高度以达成对发射电流之快速准确控制及高发射电流。该场发射体可经p型掺杂且经组态以在一反向偏压模式中操作或该场发射体可经n型掺杂。

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