公开(公告)号：CN102870189A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180009961.3

申请日：2011-03-22

Applicant: 欣雷系统公司

Inventor： 弗兰克·斯普瑞恩格 ,  莫里茨·贝克曼 ,  程远 ,  休曼·扎法瑞

IPC: H01J35/06 ,  H01J35/14 ,  H01J35/04 ,  H05G1/30

CPC classification number: H01J35/065 ,  A61B6/4028 ,  A61B6/4064 ,  H01J35/04 ,  H01J35/14 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068 ,  H05G1/30

Abstract: 多波束场致发射X-射线系统和相关方法，该系统包括阴极元件、与所述多个阴极元件相隔开的阳极组件，以及位于多个阴极元件和阳极组件之间的萃取门。该方法包括：在萃取门和至少其中一个阴极元件之间应用电位差，可使得各个阴极元件来发射电子；测量阴极元件的发射特性，并根据所测发射特性，调节萃取门和至少其中一个阴极元件之间的电位差。

公开(公告)号：CN102024639B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010564718.5

申请日：2010-11-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一线状支撑体；提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述线状支撑体表面形成一碳纳米管层；移除所述线状支撑体，得到一由碳纳米管层围成的管状碳纳米管预制体；以及将该管状的碳纳米管预制体熔断获得电子发射体。

公开(公告)号：CN102024635B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010563926.3

申请日：2010-11-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/312

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种电子发射体，所述电子发射体为一碳纳米管复合线状结构，所述碳纳米管复合线状结构包括一导电线状结构及一碳纳米管层设置在所述导电线状结构的表面，所述碳纳米管层环绕所述导电线状结构形成一碳纳米管管状结构，在所述碳纳米管复合线状结构的一端，所述碳纳米管管状结构延伸出多个电子发射尖端。本发明还涉及一种电子发射元件，包括：一导电基体；以及一上述的电子发射体，所述电子发射体与所述导电基体电连接，所述电子发射体具有多个电子发射尖端的一端沿远离所述导电基体的方向延伸。

公开(公告)号：CN101312907B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680043856.0

申请日：2006-11-27

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 畠贤治 ,  山田健郎 ,  汤村守雄 ,  饭岛澄男

IPC: C01B31/02 ,  B01J20/20 ,  B82B3/00 ,  H01G9/058 ,  H01J1/304 ,  H01M4/02 ,  H01M4/58 ,  H01M4/96 ,  H01M10/40 ,  H01M12/06

CPC classification number: B01J20/205 ,  B01J20/20 ,  B01J23/28 ,  B01J23/745 ,  B01J23/75 ,  B01J37/347 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  H01G11/36 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01M4/587 ,  H01M4/96 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供：由多个定向双层碳纳米管构成的，高度0.1μm以上的定向双层碳纳米管整体结构体及双层碳纳米管，并在金属催化剂存在下，该催化剂的粒径、膜厚可以控制，优选在水分存在下使碳纳米管进行化学气相成长而制造。由此提供：不混入催化剂、高纯度，定向或成长的控制容易，并且可通过整体结构体的形成进行成膜，放电子特性优良的双层碳纳米管(特别是定向了的双层碳纳米管整体结构体)及其制造技术。

公开(公告)号：CN101042977B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200610060018.6

申请日：2006-03-22

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  魏巍 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J37/06 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J37/073 ,  H01J37/26 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/28

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层，该导电基体具有一锥形顶部，该碳纳米管一端通过范德华力附着于导电基体顶部的表面，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。

公开(公告)号：CN102254762A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010178218.8

申请日：2010-05-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  周段亮 ,  陈丕瑾 ,  胡昭复 ,  郭彩林 ,  杜秉初 ,  范守善

IPC: H01J3/02

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J9/148 ,  H01J29/481 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0204 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/46

Abstract: 本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一栅极电极，该栅极电极与阴极电极绝缘设置，且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。

公开(公告)号：CN102208307A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110077756.2

申请日：2011-03-30

Applicant: 西门子公司

Inventor： 海因里希·蔡宁格

IPC: H01J5/08 ,  H01J9/20

CPC classification number: H01J35/065 ,  C01B32/225 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2235/062

Abstract: 本发明涉及一种用于场发射器的基片，该基片的制造方法及该基片的应用，特别是在计算机断层造影上的应用。该基片具有一个带有碳混合结构的涂层，该碳混合结构基于同素异形的石墨、石墨烯和纳米管。本发明涉及基于石墨层状结构的场发射器。通过本发明，首次获得一种用于场发射器的基片，该基片利用了基本上垂直地在该基片上立起并排列的“石墨峰”，以及利用了在导电的基片上的这些峰和在这些峰之间放置的CNTs的混合材料。

公开(公告)号：CN101086940B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200610061097.2

申请日：2006-06-09

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 郑直 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J29/86 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极装置的制造方法。该场发射阴极装置的制造方法包括以下步骤：提供一个衬底；在衬底上依次形成一层栅极绝缘介质层，一层栅极金属层和一层光刻胶层；微影光刻胶层形成一预定之图案；分别蚀刻栅极金属层和栅极绝缘介质层以形成栅极，栅极绝缘介质间隔体和栅极孔；对光刻胶层加热并加压使其面积增大；利用面积增大的光刻胶层作为掩模，在衬底上蒸镀金属催化剂层；在金属催化剂层上生长出碳纳米管阵列以形成场发射源，该场发射源小于栅极孔。

公开(公告)号：CN101093765B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200610061306.3

申请日：2006-06-23

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  姜开利 ,  范守善 ,  陈清龙 ,  李锡福 ,  陈杰良

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  C01B31/00 ,  C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一碳纳米管场发射线材及一包覆在该碳纳米管场发射线材外表面的支撑体保护层，该碳纳米管发射线材为至少一根碳纳米管线，该碳纳米管线仅包括多个碳纳米管。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管场发射线材；在该碳纳米管线材外表面形成一支撑体保护层；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。

公开(公告)号：CN101076410B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200580022684.4

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 茅东升 ,  R·芬克 ,  Z·雅尼弗

IPC: B05D5/12

CPC classification number: H01J29/04 ,  B82Y10/00 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0431 ,  H01J2329/0455

Abstract: 介绍了在工业规模上对纳米微粒发射器图形化的方法，所述发射器可用作显示器中的阴极。该低温方法可在大产量应用中实施，所得显示器件具有良好的均匀性。所述方法的步骤包括将CNT发射器材料沉积在预制得的复合结构的整个表面上，然后用物理方法从表面上不需要CNT发射器的部分除去CNT发射器材料。