公开(公告)号：CN101410914A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010702.6

申请日：2007-03-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： I·萨拉马 ,  Y·闵

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/30 ,  H05K1/16 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/1105

Abstract: 本发明的一些实施例包括在集成电路封装件的封装件衬底上形成的薄膜电容器。薄膜电容器的至少一个包括第一电极层、第二电极层以及第一与第二电极层之间的介质层。第一和第二电极层中的每一层及介质层均各自直接在封装件衬底上形成。并描述了其它实施例并提出了权利要求。

公开(公告)号：CN101291562A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810090469.3

申请日：2008-04-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 林成泽 ,  郑栗教 ,  金云天

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/02 ,  H05K3/16 ,  H05K3/30 ,  H01G4/00 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G2/06 ,  H01G4/10 ,  H05K1/162 ,  H05K3/048 ,  H05K3/244 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/0315 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明公开了一种电容器以及制造该电容器的方法。该电容器可以包括基板、形成在基板的一个侧面上的聚合物层、选择性地形成在聚合物层之上的电路图案、以及与电路图案对应的二氧化钛纳米片。本发明的实施例可以在基板中提供平整度，并且使基板上的铜保持它作为电极的功能性，与此同时增加附着到二氧化钛纳米片的粘附力。因此，可以在图案化的基板上以期望的形状、层数、和厚度实现二氧化钛纳米片。

公开(公告)号：CN101246027A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810002114.4

申请日：2008-01-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 阿部博幸 ,  五十岚信弥

IPC: G01F1/69

CPC classification number: H05K3/24 ,  H01L24/16 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/244 ,  H05K3/28 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/1322 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供一种设置在发动机室内的电子设备，其提高提高电子部件与基板的导体配线的连接寿命，并且还提高导体配线相对于腐蚀性气体的耐腐蚀性，延长由传感器部件及控制单元构成的电子设备的耐用年数。该设备具有电路基板(11)、配置在该电路基板(11)上并从电路基板施加电压来发挥作用的电子部件(9)、内置配置了电子部件(9)的电路基板(11)的壳体(3)、和覆盖壳体(3)的开放面的罩(6)，其中，由导体部件形成在电路基板(11)的表面上的导体图案(14)的整个表面被金属膜(17)覆盖，金属膜(17)由与导体部件不同的、与焊锡部件具有互相扩散性的金属形成，并且提供具有绝缘性的保护膜(13)覆盖金属膜(17)。

公开(公告)号：CN101123854A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140290.X

申请日：2007-08-08

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 真篠直宽

IPC: H05K3/32 ,  H01G4/38 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01G4/38 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/642 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/113 ,  H05K1/162 ,  H05K3/007 ,  H05K3/20 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2203/0152 ,  H05K2203/0733 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明涉及一种电容器内置基板及其制造方法和电子元件装置。该电容器内置基板包括：基础树脂层；多个电容器，它们在穿过基础树脂层的状态下沿横向并排布置，每个电容器均由第一电极、介电层和第二电极构成，第一电极设置成穿过基础树脂层，并且具有分别从基础树脂层的两个表面侧突出的突出部，以使在基础树脂层的一个表面侧上的突出部用作连接部，介电层用于覆盖第一电极的在基础树脂层的另一表面侧上的突出部，并且第二电极用于覆盖介电层；贯通电极，其设置成穿过基础树脂层，并且具有分别从基础树脂层的两个表面侧突出的突出部；以及组合布线，其形成在基础树脂层的所述另一表面侧上，并且连接到电容器的第二电极和贯通电极的一端侧。

公开(公告)号：CN1983463A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610095829.X

申请日：2006-06-20

Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司

Inventor： S·G·苏 ,  W·J·博兰

IPC: H01B3/12 ,  H01B3/00 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01G2/06 ,  H05K1/16 ,  H05K1/18 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355

Abstract: 本发明涉及一种电介质薄膜组合物以及包含这种组合物的电容器，所述组合物包括：(1)选自(a)钛酸钡、(b)可在烧制期间形成钛酸钡的任何组合物、以及(c)其混合物的一种或多种含钡/钛的添加剂；其溶解于(2)有机媒质；以及其中用0.002到0.05原子百分比的掺杂剂掺杂所述薄膜组合物，所述掺杂剂包括选自Sc、Cr、Fe、Co、Ni、Ca、Zn、Al、Ga、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及其混合物的元素。

公开(公告)号：CN1949421A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610140045.4

申请日：2006-10-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高旼志 ,  郑栗教 ,  朴殷台

IPC: H01G4/33 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01G4/12 ,  H05K1/16 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H05K1/09 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/0369

Abstract: 一种薄膜电容器的制造方法，包括以下步骤：对金属箔执行再结晶热处理；在再结晶的金属箔的顶面上形成介电层；对金属箔和介电层执行热处理；以及在热处理过的介电层的顶面上形成上电极。再结晶热处理防止金属箔氧化，这样，可以以高温对介电层执行热处理，从而改善薄膜电容器的电特性和产品的可靠性。

公开(公告)号：CN1311484C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200310115610.8

申请日：2003-11-10

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 长濑胜美 ,  山村宪

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/00 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33 ,  H05K1/162 ,  H05K3/064 ,  H05K3/108 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09763

Abstract: 本发明是一种在下层电镀电极上夹持电介质并形成上层电镀电极的薄膜电容器的形成方法，首先，在形成于基板上的下层电镀种膜上，使其位于特定范围地形成下层电镀电极。在基板表面整体上，形成覆盖下层电镀电极的电介质。接着，利用光刻技术，在电介质上形成确定覆盖下层电镀电极的电介质图案的抗蚀层，将未被该抗蚀层覆盖的电介质及位于该电介质下层的下层电镀种膜除去，使基板从该除去部分露出。然后，将抗蚀层除去，使下层电镀电极上的电介质露出。而且，横跨露出的电介质周围与基板，形成决定电容器容量的保护电桥之后，在该保护电桥及电介质上隔着上层电镀种膜形成上层电镀电极。由此，可以形成漏电流少且高耐压的薄膜电容器。

公开(公告)号：CN1892934A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610001500.2

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 申孝顺 ,  尹顺吉 ,  朴殷台 ,  柳寿铉

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/008 ,  H05K1/03 ,  H05K3/30 ,  H01G2/06

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/10 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179

Abstract: 本发明涉及一种薄层电容器，其包括第一和第二金属电极层以及置于金属层之间的具有介电常数至少为15的基于BiZnNb(铋锌铌)的非晶体金属氧化物介电层，并且涉及一种具有其的分层结构。分层结构包括：第一金属电极层，形成在基于聚合物的复合衬底上；介电层，形成在第一金属电极层上，且由具有介电常数至少为15的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物制成；以及第二金属电极层，形成在介电层上。本发明中的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物在未经过用于结晶的热处理的情况下具有高介电常数，这对于制造基于聚合物的分层结构(例如PCB)的薄层电容器是有用的。

公开(公告)号：CN1853452A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200480026732.2

申请日：2004-12-06

Applicant: 揖斐电株式会社

Inventor： 苅谷隆 ,  持田晶良

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/162 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/113 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09718 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2201/10522 ,  H05K2201/10734

Abstract: 多层印制线路板(10)具有：安装部(60)，把与布线图形(32)等电连接的半导体元件安装在表面上；以及层状电容器部(40)，具有陶瓷制的高电介质层(43)以及夹住该高电介质层(43)的第1和第2层状电极(41、42)，第1和第2层状电极(41、42)的一方与半导体元件的电源线连接，另一方与接地线连接。在该多层印制线路板(10)中，由于在电源线和接地线之间连接的层状电容器部(40)的高电介质层(43)是陶瓷制的，因而可增大层状电容器部(40)的静电电容。因此，即使在容易发生电位瞬时下降的状况下，也能取得充分的去耦效果。

公开(公告)号：CN1783473A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510128716.0

申请日：2005-11-25

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 冈本健次

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36

CPC classification number: H05K1/053 ,  C23C4/02 ,  C23C24/04 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/1344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种绝缘衬底设有：作为基底构件的金属基底；用气溶胶淀积法形成在金属基底上的室温冲击固化膜；和用冷喷涂法形成在绝缘层上的热喷涂涂层的电路图案。一种半导体器件包含这种绝缘衬底，从而提高了热辐射特性。