公开(公告)号：KR101014788B1

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020080125746

申请日：2008-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은아 ,  이정현 ,  공원근

IPC: H04L9/00 ,  G06F21/20 ,  H04L9/32

CPC classification number: H04L63/0428

Abstract: 서비스에 이용되는 개인정보를 안전하게 전송하기 위한 모바일 시스템, 서비스 시스템 및 서비스 제공 방법을 개시한다. 모바일 시스템은 적어도 하나의 서비스를 처리하기 위해 필요한 적어도 하나의 사용자데이터 및 상기 사용자데이터에 대한 식별데이터를 유지하고, 서비스 시스템과 세션키를 설정하고, 상기 식별데이터에 기초하여 확인된 서비스데이터를 세션키를 통해 암호화하여 상기 서비스 시스템으로 전송한다.
세션키, 모바일, 결제, 신용카드, 스마트 카드

公开(公告)号：KR101001741B1

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：KR1020030056857

申请日：2003-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  서범석

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01L21/31604 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  Y10T29/417

Abstract: 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조 방법과 커패시터를 구비하는 메모리 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 하부전극, 유전막, 상부전극을 포함하는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, 상기 하부전극과 상기 유전막사이에 양자의 반응을 방지하는 제1 반응 방지막을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조 방법과 상기 커패시터를 구비하는 메모리 장치를 제공한다. 상기 유전막은 란타나이드 계열의 원소를 포함하는 산화막(LaO)이고, 상기 상부전극과 유전막사이에 제2 반응 방지막이 더 구비될 수 있다. 란타나이드 계열의 원소를 포함하는 산화막을 증착하기 위해, H2O를 일차 주입한 후 이차로 O3을 주입하여 불순물을 제거한다. 하부전극(Si)과 유전막인 La2O3막의 반응을 제어하기 위한 상기 제1 반응 방지막은 란탄 산화막(La2O3)보다 이온반경이 작은 Al2O3막 또는 HfO2막이다.

公开(公告)号：KR1020100130008A

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：KR1020090048651

申请日：2009-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 이정현 ,  마동준

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022466 ,  Y02E10/548

Abstract: PURPOSE: A solar cell structure is provided to improve the efficiency of a solar cell by improving the mobility of an electron and a hole. CONSTITUTION: A N type semiconductor layer(12) is formed on a first transparent conductive layer. An I type semiconductor layer(13) is formed on the N type semiconductor layer. A P type semiconductor layer(14) is formed on the I type semiconductor layer. A second transparent conductive layer(15) is formed on the P type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供太阳能电池结构，通过提高电子和空穴的迁移率来提高太阳能电池的效率。 构成：在第一透明导电层上形成N型半导体层（12）。 在N型半导体层上形成有I型半导体层（13）。 在I型半导体层上形成P型半导体层（14）。 在P型半导体层上形成第二透明导电层（15）。

公开(公告)号：KR100988082B1

公开(公告)日：2010-10-18

申请号：KR1020030032255

申请日：2003-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  백현석 ,  김순호 ,  최재영

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 본 발명은 스택형 커패시터, 그를 구비한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 스택형 커패시터는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 형성된 유전막 및 상기 유전막 상에 형성된 상부전극;을 구비하며, 상기 하부전극은, 실린더형 제1 금속; 및 상기 제1 금속의 내부를 채운 제2 금속;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 하부전극에 산소량이 줄어들어서 TiN 의 산화를 억제하므로, 안정된 스택형 커패시터의 구현이 가능하며, 따라서 고집적 DRAM의 개발에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100080705A

公开(公告)日：2010-07-12

申请号：KR1020090000116

申请日：2009-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  마동준 ,  김연희 ,  이정현 ,  정석재

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a single grain silicon and a thin film transistor are provided to secure single-crystal silicon by the lateral growth by forming a barrier rip on a sidewall after heat treatment. CONSTITUTION: Silicon is formed on the sub-structure(10). The silicon is pattern to form a silicon layer(11). A side wall(12) is formed at both sides of the silicon layer. A barrier(13) is formed on the silicon layer and the sidewall. A metal layer(14) is formed on the barrier. The silicon layer is mono-crystallized and grown by performing an eximer laser annealing.

Abstract translation: 目的：提供制造单晶硅和薄膜晶体管的方法，通过在热处理后在侧壁上形成阻挡层，通过横向生长来固定单晶硅。 构成：在子结构（10）上形成硅。 硅被图案化以形成硅层（11）。 在硅层的两侧形成侧壁（12）。 在硅层和侧壁上形成阻挡层（13）。 在屏障上形成金属层（14）。 通过进行准分子激光退火，将硅层单晶化并生长。

公开(公告)号：KR1020100067267A

公开(公告)日：2010-06-21

申请号：KR1020080125746

申请日：2008-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은아 ,  이정현 ,  공원근

IPC: H04L9/00 ,  G06F21/20 ,  H04L9/32

CPC classification number: H04L63/0428

Abstract: PURPOSE: A mobile system capable of transferring necessary user data, a service system and a service supplying method are provided to directly safely receive a corresponding user data from the mobile system using a session key. CONSTITUTION: A data maintaining unit(201) maintains an identification data about an user data processing one or more service and the user data. A session key setting unit(202) sets the session key of a service system transferring the user data. An user data confirmation unit(207) confirms the user data corresponding to the service processed the service system based on the identification data. An encryption unit(208) codes the identified user data using the session key. An user data transferring unit(209) transfers the encrypted user data to the service system.

Abstract translation: 目的：提供能够传送必要的用户数据，服务系统和服务提供方法的移动系统，以使用会话密钥从移动系统直接安全地接收对应的用户数据。 构成：数据维护单元（201）维护关于用户数据处理一个或多个服务和用户数据的识别数据。 会话密钥设置单元（202）设置传送用户数据的服务系统的会话密钥。 用户数据确认单元（207）基于识别数据确认与服务系统对应的服务对应的用户数据。 加密单元（208）使用会话密钥对所标识的用户数据进行编码。 用户数据传送单元（209）将加密的用户数据传送到服务系统。

公开(公告)号：KR1020100065777A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020080124288

申请日：2008-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  마동준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a crystalline silicon is provided to form a crystalline silicon at beginning by progressing a deposition process and a reduction process in circulation through plasma. CONSTITUTION: A method for manufacturing a crystalline silicon processes deposition process and a reduction process in circulation through plasma to form the crystalline silicon on a substrate(30) at beginning. The reduction process is performed by increasing the more ration of reduction gas and a silicon material than the silicon deposition process. The reduction process is performed under a gas including at least one of H2, D2 and N2.

Abstract translation: 目的：提供一种制造晶体硅的方法，以便通过进行沉积工艺和通过等离子体循环的还原工艺开始形成晶体硅。 构成：用于制造晶体硅工艺沉积工艺的方法和通过等离子体循环的还原工艺，以在开始时在衬底（30）上形成晶体硅。 通过增加还原气体和硅材料比硅沉积工艺的更多比例来进行还原处理。 还原过程在包括H 2，D 2和N 2中的至少一种的气体下进行。

公开(公告)号：KR1020100063841A

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020080118898

申请日：2008-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은아 ,  이정현 ,  공원근

IPC: H04W12/04 ,  H04L9/30 ,  H04W12/06

CPC classification number: H04L9/0825 ,  H04L9/0844 ,  H04L9/3236 ,  H04L9/3247 ,  H04L2209/80 ,  H04W12/04 ,  H04W12/10

Abstract: PURPOSE: A mobile system, a service system and a key authentication method for effectively managing key in a local wireless communication are provided to respectively output a result corresponding to hash value about public key according to determined output type, thereby exchanging key without using an external network, an external trusted authority or preset key information. CONSTITUTION: A mobile system(200) comprises a public key receiver(201), a hash value generator(202), and output unit(203). The public key receiver receives a public key from a service system(210). The hash value generator generates a hash value about the received public key through predetermined hash function. The output unit outputs result corresponding to the hash value. The service system outputs result corresponding to the hash value of generated public key through a hash function.

Abstract translation: 目的：提供一种用于有效管理本地无线通信中的密钥的移动系统，服务系统和密钥认证方法，以根据确定的输出类型分别输出与公钥的哈希值对应的结果，从而交换密钥，而不使用外部 网络，外部可信权限或预设密钥信息。 构成：移动系统（200）包括公钥接收器（201），散列值发生器（202）和输出单元（203）。 公共密钥接收器从服务系统（210）接收公共密钥。 哈希值生成器通过预定的散列函数生成关于所接收的公共密钥的哈希值。 输出单元输出与哈希值对应的结果。 服务系统通过散列函数输出与生成的公钥的哈希值相对应的结果。

公开(公告)号：KR1020100002205A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020090057210

申请日：2009-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기환 ,  박영수 ,  이정현 ,  김창정 ,  강보수

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: PURPOSE: A memory device and a manufacturing method of the same are provided to prevent the deterioration of a memory device and a switch structure by forming an insulating layer since a source does not include hydrogen. CONSTITUTION: In a memory device and a manufacturing method of the same, a first electrode(11) is formed. Memory nodes(12, 14) are formed on the first electrode. An insulating layer is contacted to the memory node and is formed with a source material without hydrogen. The second electrode(13) is formed on the memory node. The memory node is formed with a transition metal oxide having the resistance change property.

Abstract translation: 目的：提供一种存储器件及其制造方法，用于通过形成绝缘层来防止存储器件和开关结构的劣化，因为源不包括氢。 构成：在存储器件及其制造方法中，形成第一电极（11）。 存储器节点（12,14）形成在第一电极上。 绝缘层与存储器节点接触并且形成有不含氢的源材料。 第二电极（13）形成在存储器节点上。 记忆节点形成有具有电阻变化特性的过渡金属氧化物。

公开(公告)号：KR1020090039548A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：KR1020070105261

申请日：2007-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  권태경 ,  김은아 ,  박태진

IPC: H04W12/02 ,  G06K17/00 ,  H04L9/32

CPC classification number: H04W12/02 ,  H04L63/0407 ,  H04L63/083

Abstract: A mobile privacy protection system using proxy, proxy device and mobile privacy protection method are provided to prevent an exposure of private information by controlling privacy level through a proxy device. One or more electronic tag(301) stores the tag information which is predetermined. A proxy device(302) controls a piracy level of an electronic tag. According to the request of the proxy device, a home server(303) produces the new tag information using to the adjustment of the piracy level.

Abstract translation: 提供使用代理，代理设备和移动隐私保护方法的移动隐私保护系统，以通过代理设备控制隐私级别来防止私人信息暴露。 一个或多个电子标签（301）存储预定的标签信息。 代理设备（302）控制电子标签的盗版级别。 根据代理设备的要求，家庭服务器（303）利用调整盗版级别来生成新的标签信息。