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公开(公告)号:KR1020060064466A
公开(公告)日:2006-06-13
申请号:KR1020050042422
申请日:2005-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/0675 , G02B6/29361 , H01S5/18366 , H01S5/18397
Abstract: 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론-
公开(公告)号:KR1020060055667A
公开(公告)日:2006-05-24
申请号:KR1020040094583
申请日:2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/13 , G02B2006/12128 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 완충층, 활성층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 보호층 상에 소정의 폭을 가지는 제1 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 완충층이 노출되도록 상기 보호층 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 식각된 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 완충층의 일부분을 피복하여 상기 활성층 및 상기 보호층보다 넓은 폭을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크로 피복되지 않은 곳에만 선택적으로 제1 전류차단층 및 제2 전류차단층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 상기 결과물의 전체 상부면에 클래드층 및 콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 기술보다 추가적인 공정이 단순하여 전기적 특성의 향상뿐만 아니라 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 광소자, 선택적 성장, 전류차단층, 반절연성, p/n 동종접합면, 활성층, 마스크, 클래드층-
113.
公开(公告)号:KR100541913B1
公开(公告)日:2006-01-10
申请号:KR1020030028186
申请日:2003-05-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/028 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/227
Abstract: 본 발명은 SG-DFB(Sampled Grating Distrituted Feedback) 구조부와 SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 구조부를 함께 집적하여 파장가변이 가능하도록 구성된 반도체 레이저에 관한 것으로, SG-DFB 구조부의 위상 제어 영역과 SG-DBR 구조부에 인가되는 전류에 따라서 굴절률을 변화시켜, 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 파장을 갖도록 구현할 수 있다. 이러한 파장가변 반도체 레이저는 비교적 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량 생산에 유리하고, 광대역 파장 가변이 가능하면서 출력 광효율이 우수한 효과가 있다.
파장가변 반도체 레이저, DFB, DBR, SG-DBR, SG-DFB, Laser Diode, Semiconductor Laser Diode-
公开(公告)号:KR100520796B1
公开(公告)日:2005-10-13
申请号:KR1020030072957
申请日:2003-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/5009 , H01S5/1014 , H01S5/2206 , H01S5/227 , H01S5/3213 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 본 발명은 이중 도파로 구조의 모드 변환기가 집적된 평면 매립형 반도체 광 증폭기의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층을 성장시킨 후 절연막 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 상부 클래딩층, 하부 도파로층 및 하부 클래딩층의 일부 두께를 패터닝하여 하부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 하부 클래딩층, 하부 도파로층 및 상부 클래딩층의 식각된 부분에 평탄화층을 성장시켜 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 절연막 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 공간층, 상부 도파로층 및 제 1 클래딩층을 성장시키는 단계와, 유전체 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 제 1 클래딩층, 상부 도파로층 및 공간층을 패터닝하여 수평 테이퍼 영역을 갖는 상부 도파로를 형성하는 단계와, 상기 상부 도파로의 제 1 � �래딩층, 상부 도파로층 및 공간층의 식각된 부분에 제 1 전류 차단층을 성장시킨 후 상기 유전체 패턴을 제외한 부분의 노출된 제 1 전류 차단층 상에 제 2 전류 차단층을 성장시키는 단계와, 상기 유전체 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 제 2 클래딩층을 형성하고, 상기 제 2 클래딩층과 상기 기판에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020050065897A
公开(公告)日:2005-06-30
申请号:KR1020030097057
申请日:2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0425
Abstract: 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.
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公开(公告)号:KR1020040049041A
公开(公告)日:2004-06-11
申请号:KR1020020076212
申请日:2002-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H04B10/40
Abstract: PURPOSE: A bidirectional optical transmission/reception module and a driving method thereof are provided to transmit and receive simultaneously optical signals by using a strand of optical fiber. CONSTITUTION: A 1.3 micrometer DBR LD(310) includes an active layer for generating light of a 1.3-micrometer band and a DBR mirror adjacent to the active layer. A monitoring PD(320) has an energy band to absorb the light of the 1.3-micrometer band and transmit the light of 1.55 micrometer. An optical signal detection PD(330) has an energy band to absorb the light of 1.55 micrometer. A plurality of insulating regions(345,346) are used for separating electrically the 1.3 micrometers DBR LD, the monitoring PD, and the optical signal detection PD. A plurality of p-electrodes are formed at the 1.3 micrometer DBR LD, the monitoring PD, and the optical signal detection PD, respectively. An n-electrode is used as a common electrode.
Abstract translation: 目的:提供双向光发射/接收模块及其驱动方法,通过使用一束光纤同时发送和接收光信号。 构成:1.3微米DBR LD(310)包括用于产生1.3微米波段的光的活性层和与活性层相邻的DBR镜。 监测PD(320)具有吸收1.3微米波段的光并传输1.55微米的光的能带。 光信号检测PD(330)具有吸收1.55微米光的能带。 多个绝缘区域(345,346)用于将1.3微米DBR LD,监测PD和光信号检测PD电分离。 分别在1.3微米DBR LD,监测PD和光信号检测PD上形成多个p电极。 n电极用作公共电极。
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