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公开(公告)号：KR1020090113038A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020080038902
申请日：2008-04-25
CPC classification number: G01N21/1717 , G01N21/554 , G01N21/77 , G01N2021/1761 , G01N2021/7773 , G01N21/25
Abstract: PURPOSE: A method and device for scanning bio chips using a beam enhanced by metal nano-particles are provided to detect bio reaction using an optical pick-up head. CONSTITUTION: Write laser of fixed intensity is irradiated to the upper part of a bio-chip. A near field light is selectively transmitted and light amplification is generated in a domain in which metal nano-particles stand close together according to irradiating of the laser beam. The phase change is made on a phase change layer(140) located on the lower part of the density zone by changing the amorphous-crystal. Phase change information to the connecting state of a target probe(180) and a fixing probe(170) is recorded on the phase change layer.
Abstract translation: 目的：提供使用由金属纳米颗粒增强的光束扫描生物芯片的方法和装置，以使用光学拾取头检测生物反应。 构成：将固定强度的写激光照射到生物芯片的上部。 选择性地透射近场光，根据激光束的照射，在金属纳米粒子靠近的区域中产生光放大。 通过改变非晶态在位于密度区下部的相变层（140）上进行相变。 在相变层上记录到目标探针（180）和固定探头（170）的连接状态的相变信息。
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公开(公告)号：KR100919642B1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020070132735
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04R1/323 , H04R3/12 , H04R2201/403 , H04R2499/11
Abstract: 본 발명은 기준 신호를 적어도 3 종류 이상의 크기와 위상을 가지는 신호로 분리하여 발생시키는 신호 제어부, 상기 신호 제어부에서 발생시키는 신호 중 서로 상쇄되는 크기와 위상을 가지는 제1 신호 및 제2 신호를 제어하는 제1 신호 처리부 및 제2 신호 처리부, 상기 신호 제어부에서 발생시키는 신호 중 기준 신호와 동일한 크기와 위상을 가지는 신호를 제어하는 중앙 신호 처리부, 상기 제1 신호 처리부 및 제2 신호 처리부에서 출력되는 신호를 음향 신호로 변환하여 출력하는 제1 스피커 배열 및 제2 스피커 배열 및 상기 중앙 신호 처리부에서 출력되는 신호를 음향 신호로 변환하여 출력하고 상기 제1 스피커 배열 및 제2 스피커 배열의 사이에 위치하는 중앙 스피커를 포함하는 지향성 음향 생성 장치를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090012929A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070077171
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B3/0009 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: A formation method of ZnO nanowire network pattern is provided to form ZnO nanowire network pattern and device of a desired shape and size at a low temperature with a stable yield by using a lithographic process and a sol-gel method. A formation method of ZnO nanowire network pattern comprises steps of: forming a photoresist pattern exposing a part of a substrate on the substrate; molding the ZnO nanowire network on a photoresist pattern and an exposed part of the substrate by a sol-gel method; and removing the photoresist pattern and forming the ZnO nanowire network pattern on the substrate. The step for forming the photoresist pattern comprises steps of: coating a photoresist on the substrate; exposing the photoresist; and developing the exposed photoresist.
Abstract translation: 提供ZnO纳米线网络图案的形成方法，通过使用平版印刷法和溶胶 - 凝胶法在低温下形成所需形状和尺寸的ZnO纳米线网络图案和器件，其产率稳定。 ZnO纳米线网络图案的形成方法包括以下步骤：形成曝光衬底上的一部分衬底的光刻胶图案; 通过溶胶 - 凝胶法在光致抗蚀剂图案和基底的暴露部分上模制ZnO纳米线网络; 并去除光致抗蚀剂图案并在衬底上形成ZnO纳米线网络图案。 用于形成光致抗蚀剂图案的步骤包括以下步骤：在基底上涂覆光致抗蚀剂; 曝光光刻胶; 并显影曝光的光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR1020070059917A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060085824
申请日：2006-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: A near-field optical probe based on a silicon nitride layer and a fabricating method therefor are provided to easily combine a fabricating process of a tip in which an aperture is formed and a fabricating process of a cantilever arm including the tip and easily adjust an aperture size of a tip upper part. A cantilever arm supporting part(42) is formed as a single silicon substrate(10) which has a hole at one side of a body. A cantilever arm(44) includes a silicon nitride layer(30) and a metal layer(38). The silicon nitride layer(30) is supported to an upper surface of the silicon substrate(10). The silicon nitride layer(30), in which stress is reduced, has a tip corresponding to the hole. The metal layer(38) is formed on the silicon nitride layer(30). An aperture is formed on the tip of the cantilever arm(44).
Abstract translation: 提供了一种基于氮化硅层的近场光学探针及其制造方法，以容易地组合其中形成孔的尖端的制造工艺和包括尖端的悬臂的制造工艺，并且容易地调节孔 尖端上部的尺寸。 悬臂支撑部（42）形成为在主体的一侧具有孔的单个硅基板（10）。 悬臂（44）包括氮化硅层（30）和金属层（38）。 氮化硅层（30）被支撑在硅衬底（10）的上表面上。 应力减小的氮化硅层（30）具有与孔对应的尖端。 金属层（38）形成在氮化硅层（30）上。 在悬臂（44）的尖端上形成孔。
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公开(公告)号：KR100714101B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050074440
申请日：2005-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 초소형 광/자기 헤드 액튜에이터를 제공한다. 본 발명은 디스크의 정보를 읽거나 디스크에 정보를 기록하기 위하여 헤드가 장착되고, 수평 방향 및 수직 방향으로 이동할 수 있는 스윙암과, 상기 스윙암을 디스크에 대하여 수평 방향(트래킹 방향)으로 이동시킬 수 있는 트래킹 액튜에이터를 포함한다. 더하여, 본 발명은 상기 스윙암의 회전 반경을 조절하고 상기 스윙암의 트래킹 방향 이동을 가이드하는 피봇 힌지와, 상기 스윙암을 디스크에 대하여 수직 방향(포커싱 방향)으로 이동시킬 수 있는 포커싱 액튜에이터를 포함한다. 상기 포커싱 액튜에이터는 상기 스윙암의 하부에 부착된 포커싱 코일과 상기 포커싱 코일의 하부에 위치하는 할바 배열 자석으로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 마찰이나 백래쉬가 없고 비반복 오차도 줄일 수 있고, 할바 배열 자석을 이용하여 초소형 저장 장치의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050102158A
公开(公告)日：2005-10-25
申请号：KR1020040026951
申请日：2004-04-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B9/14
CPC classification number: G01Q60/22 , G11B7/1387
Abstract: Provided is a method of fabricating a near-field optical probe adapted to a near-field scanning optical microscopy and a near-field information storage device, in which a cantilever and an optical tip are provided in one body and the optical tip is arranged to face the upper portion of the substrate. High-concentrated boron ions are implanted into an uppermost silicon layer of a silicon on insulator (SOI) substrate, and a silicon layer into which boron ions are implanted while the silicon inside the tip is etched to form the hole to act as an etch stop layer, thereby easily removing the silicon inside the tip even with the cantilever exposed, and simplifying the process due to the simultaneous fabrication of the cantilever and the tip.
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公开(公告)号：KR1020010003987A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990024567
申请日：1999-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode using silicon nano wires and dots is provided to improve a mechanical stability, thermal and electric conductivity and light emitting efficiency, by having dense surfaces of silicon nano wires and dots while being passivated with an oxide layer. CONSTITUTION: A patterned metal nano cluster is formed on a semiconductor substrate(10) of which a surface is passivation-processed. A silicon nano wire structure of a vertical column shape having a constant length is formed on the semiconductor substrate by a dry etching process using the patterned metal nano cluster as a mask. A single layer of the silicon nano cluster is formed between the silicon nano wires. The surface of the resultant structure is oxygen-processed to reduce the diameter of the absorbed silicon nano cluster of the single layer while an oxide layer is formed so that visible ray of a quantum confinement is emitted by the passivation of the surface of the resultant structure. Absorption and oxidization of the silicon nano cluster is repeated to densely form silicon nano dots of which a surface is passivation-processed, between the silicon nano wire structures. A front surface electrode and a rear surface electrode are respectively formed on front and rear surfaces of the resultant structure.
Abstract translation: 目的：提供一种使用硅纳米线和点制造发光二极管的方法，通过在氧化层钝化的同时，通过具有硅纳米线和点的致密表面来提高机械稳定性，导热性和导电性和发光效率 。 构成：在其表面被钝化处理的半导体衬底（10）上形成图案化的金属纳米簇。 通过使用图案化金属纳米簇作为掩模的干蚀刻工艺，在半导体基板上形成具有恒定长度的立柱形状的硅纳米线结构。 在硅纳米线之间形成单层硅纳米簇。 所得结构的表面被氧化处理以减小单层吸收的硅纳米簇的直径，同时形成氧化物层，使得通过所得结构的表面的钝化来发射量子限制的可见光线 。 重复硅纳米簇的吸收和氧化，以在硅纳米线结构之间密集形成表面被钝化处理的硅纳米点。 在所得结构的前表面和后表面上分别形成前表面电极和后表面电极。
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公开(公告)号：KR1019990043770A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064812
申请日：1997-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 신 물질로 각광 받고 있는 탄소 나노튜브 첨단의 가늘고 뾰족한 구조를 이용하여 전계 방출의 임계 전압이 극소화되는 전계 방출 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자빔 묘화장치 및 전자총, 평판 디스플레이 및 센서 등으로 이용되는 전계 방출 소자는 디스크 모양의 구멍 배열 속에 묘화 장치를 이용한 에칭 공정을 실시하여 서브 마이크론 사이즈의 실리콘 팁을 형성함으로 제조되었다.
본 발명에서는 열적, 화학적으로 극히 안정되어 있고 나노미터 두께의 지름을 가진 극히 뾰족한 모양의 탄소 나노튜브를 이용하여, 저 전압에서도 전자 방출이 용이하고 전자빔의 결 맞음(coherency)이 뛰어나며 오랜 시간 동안 안정적으로 전계 방출이 가능한 전계 방출 소자를 제조하는 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100175609B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019960053536
申请日：1996-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C03B29/04
CPC classification number: G01Q60/16 , C23C16/04 , C23C16/271 , G01Q70/14 , H01J9/025
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다이아몬드의 형성 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
탐침 형상의 시료 첨단에만 선택적으로 다이아몬드를 증착하는 종래의 다이아몬드 증착법은 시료를 다이아몬드 연마제에 매우 통제된 힘으로 충돌시켜 약간의 손상을 가하는 것인데, 이 방법은 충돌을 통제된 힘으로 제어하기 어렵기 때문에 성공률이 적으며, 재현성도 떨어지는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
다이아몬드의 화학 기상 증착 과정 중에 탐침에 전압을 인가하는 간단한 방법으로 높은 재현성 및 수율로 팁 형상의 시료의 첨단에 다이아몬드를 선택적으로 형성하는 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
주사 탐침 현미경의 탐침에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019990020111A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019970043556
申请日：1997-08-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 기존의 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 소자를 이용한 반도체 소자의 집적도를 향상시킨 새로운 개념의 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래 MOS소자의 집적도는 3년에 4배의 비율로 집적도와 밀도가 증가하여, 현재 0.18㎛ 설계 룰(design rule) 의 1 Giga DRAM의 개발 연구가 진행되고 있으나, 선 폭이 0.1㎛ 이하의 나노 미터 영역에서는 쇼트 채널 효과(Short-channel effects)와 같은 원리적 한계 때문에 더 이상 소자의 축소 및 집적이 불가능해진다. 따라서, 대략 16 Giga DRAM 의 메모리 및 1 GHz 의 마이크로 프러세서의 제작 단계에서는 기존의 MOS 구조를 근간으로 하는 단위 소자의 작동 원리와 개념을 달리하는 새로운 단위 소자 구조가 요구된다. 본 발명에서는 나노 미터 크기의 금속점을 중심으로 소오스(Source)와 드레인(Drain)의 역할을 하는 전극이 접합되어 금속-절연막-금속점-절연막-금속(MIMIM), 금속-절연막-금속점-반도체(MIMS), 또는 반도체-금속점-반도체(SMS)구조를 형성하고, 두꺼운 절연 막으로 분리된 게이트 전극에서 대전 효과(Charging Effect)를 이용하여 중간의 금속점의 전기적 전위를 조절하는 방식으로 소오스와 금속 점 사이에 형성된 양자 관통 장벽(Tunneling barrier)및 쇼트키 장벽(Shottky barrier)을 조절하여 소오스-드레인 간의 전류 흐름(Conductivity)을 조절하는 트랜지스터를 제공한다.
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