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公开(公告)号：KR1020130123060A
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：KR1020120046184
申请日：2012-05-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042
Abstract: A solar cell according to one embodiment of the present invention comprises a substrate; a first electrode on the substrate; a second electrode on the first electrode; a light absorption layer between the first electrode and the second electrode; and a copper-oxide thin film in contact with at least one surface of the first electrode and the second electrode. The present invention can make various and detailed color by controlling the thickness of the copper-oxide thin film and an oxygen ratio. Furthermore, the present invention improves the light efficiency of the solar cell by providing anti-reflection films at the same time according to the positions.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的太阳能电池包括基板; 基板上的第一电极; 第一电极上的第二电极; 在第一电极和第二电极之间的光吸收层; 以及与所述第一电极和所述第二电极的至少一个表面接触的氧化铜薄膜。 本发明可以通过控制氧化铜薄膜的厚度和氧气比来形成各种详细的颜色。 此外，本发明通过根据位置同时提供抗反射膜来提高太阳能电池的光效率。
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公开(公告)号：KR101221870B1
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020090055020
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/055 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 태양 전지를 제공한다. 이 태양 전지는 p형 도펀트 영역 및 n형 도펀트 영역을 포함하는 광전 변환층, 및 광전 변환층의 제1 면 상에 배치된 파장 변환층을 포함한다. 파장 변환층은 태양광내 제1 파장을 갖는 입사 성분을 제2 파장을 갖는 투과 성분으로 변환시킨다.
Abstract translation: 目的：提供光伏电池以通过增加对光伏层的辐射强度来最小化阳光的损失。 构成：太阳能电池包括光电转换层（110），波长转换层（120），第一电极和第二电极。 光电转换层具有彼此面对的第一面和第二面，并且包括p型掺杂剂区域和n型掺杂剂区域。 波长转换层布置在光电转换层的第一侧上，并将具有第一波长的入射分量转换为具有第二波长的穿透分量。 第一电极介于光电转换层和波长转换层之间。
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公开(公告)号：KR101213470B1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020080125326
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B1/115 , H01L31/02168 , Y02E10/52
Abstract: 태양전지의반사방지막, 태양전지및 태양전지의제조방법을개시한다. 태양전지의반사방지막은제1유전율의물질로구성된저유전막; 제1유전율의물질보다높은제2유전율의물질로구성된고유전막; 및저유전막과고유전막사이에위치하여제1유전율로부터제2유전율까지점차적으로유전율이상승하도록구성된기울기층을포함한다. 본발명에따르면, 태양전지의광흡수효율을높일수 있다.
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公开(公告)号：KR101182424B1
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020080129395
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 및 태양전지 제조방법을 개시한다. 태양전지는 기판; 및 기판의 하부에 형성되고, Si 또는 SiGe 으로 구성되어 서로 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 복수의 반도체층들을 포함하는 광흡수층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 게르마늄 조성의 급격한 변화에 의해 야기될 수 있는 스트레스 및 결정결함을 최소화하고, 보다 효율적인 광흡수가 가능하게 한다.
태양전지, 실리콘, 게르마늄, p-형 반도체, i-형 반도체, n-형 반도체-
公开(公告)号：KR1020110043402A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100030874
申请日：2010-04-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3063 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L21/3063 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for processing the anti-reflection of a zinc oxide thin film and a method for manufacturing a solar cell using the same are provided to minimize the reflectivity of a polycrystalline zinc oxide thin film by etching the polycrystalline zinc oxide thin film formed on a substrate. CONSTITUTION: A polycrystalline zinc oxide thin film(20) is formed on a substrate(10). The surface of the polycrystalline zinc oxide thin film is roughly processed. The polycrystalline zinc oxide thin film formed on the substrate is wet-etched with etchant mixed with nitric acid and peroxide.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理氧化锌薄膜的抗反射的方法和使用其的太阳能电池的制造方法，以通过蚀刻形成在多晶氧化锌薄膜上的多晶氧化锌薄膜来最小化多晶氧化锌薄膜的反射率 底物。 构成：在基板（10）上形成多晶氧化锌薄膜（20）。 大致加工多晶氧化锌薄膜的表面。 将形成在基板上的多晶氧化锌薄膜用与硝酸和过氧化物混合的蚀刻剂进行湿式蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110014786A
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090072313
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device having improved thermoelectric efficiency and manufacturing a method thereof are provided to increase thermoelectric efficiency by using a thermal insulating film having low thermoelectric efficiency. CONSTITUTION: A heat absorbing film(230) is formed on a substrate(210) and absorbs an outer heat source. A leg(240) transfers the heat absorbed through the heat absorbing film to the heat radiation film. A heat radiation film(250) emits the heat which it is transmitted from the leg to outside. Thermal isolation films(220,260) reduce the heat transfer rate at the leg. The thermal isolation film is formed in at least one of the leg lower part and upper part.
Abstract translation: 目的：提供一种具有改善的热电效率的热电装置及其制造方法，以通过使用具有低热电效率的绝热膜来提高热电效率。 构成：在基板（210）上形成吸热膜（230）并吸收外部热源。 腿部240将通过吸热膜吸收的热量传递到散热膜。 散热片（250）发射从腿部向外部传递的热量。 隔热膜（220,260）降低了腿部的传热速率。 热隔离膜形成在腿部下部和上部中的至少一个中。
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公开(公告)号：KR1020100115280A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：KR1020090055020
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/055 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: PURPOSE: A photovoltaic cell is provided to minimize the loss of sunlight by increasing the intensity of radiation to a photovoltaic layer. CONSTITUTION: A solar cell includes a photovoltaic conversion layer(110), a wavelength conversion layer(120), a first electrode, and a second electrode. The photovoltaic conversion layer has a first side and a second side which are faced with each other, and includes a p-type dopant area and an n-type dopant area. The wavelength conversion layer is arranged on the first side of the photovoltaic conversion layer and converts an incident component having a first wavelength to penetrating component having a second wavelength. The first electrode is interposed between the photovoltaic conversion layer and the wavelength conversion layer.
Abstract translation: 目的：提供光伏电池以通过增加对光伏层的辐射强度来最小化阳光的损失。 构成：太阳能电池包括光电转换层（110），波长转换层（120），第一电极和第二电极。 光电转换层具有彼此面对的第一面和第二面，并且包括p型掺杂剂区域和n型掺杂剂区域。 波长转换层布置在光电转换层的第一侧上，并将具有第一波长的入射分量转换为具有第二波长的穿透分量。 第一电极介于光电转换层和波长转换层之间。
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公开(公告)号：KR100948603B1
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：KR1020080023827
申请日：2008-03-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C7/112 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01C7/1013 , H01C17/06546 , Y10T29/49099
Abstract: 본 발명은 박막형 바리스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 저온 증착시키는 제1 단계; 및 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 고집적화 회로에 적용할 수 있도록 바리스터 특성은 유지하면서도 공정온도는 낮추고 제조공정은 보다 간단해질 수 있도록 한다.
박막형 바리스터 소자, 박막, 저온 증착, 저온 열처리-
公开(公告)号：KR100943171B1
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020070109611
申请日：2007-10-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 p-형 산화아연층의 형성 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 p-도펀트가 도핑된 도펀트층을 n-형 산화아연층에 면접하도록 형성한 후 열처리를 통해 p-도펀트를 산화아연층 내부로 확산 및 활성화시킴으로써 p-형 산화아연층을 형성하는 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제조 방법에 따라 p-형 산화아연층을 형성하거나, p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제작하면, 제조가 간단할 뿐만 아니라 대면적 대량생산에 유리하다.
p-형 산화아연, 열처리, 확산, 활성화-
公开(公告)号：KR1020090049010A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020080052257
申请日：2008-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G05F3/24
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H02H3/085 , H02H5/047 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 퓨즈의 기능을 대체할 수 있고 또한 반영구적으로 사용할 수 있는 MIT 소자를 이용하여, 전력용 트랜지스터의 발열을 방지함으로써 전력용 트랜지스터를 보호할 수 있는 트랜지스터 발열제어 회로 및 그 발열제어 방법을 제공한다. 그 발열제어 회로는 소정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 전력용 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 트랜지스터의 베이스 또는 게이트 단자에 연결되어, 상기 트랜지스터가 상기 임계온도 이상 상승 시, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 트랜지스터의 발열을 방지한다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 트랜지스터 발열 제어
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