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公开(公告)号：KR100341853B1
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：KR1019990025141
申请日：1999-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본발명은대용량(테라비트급) 정보교환을위한파장분할방식의광통신시스템에있어서광신호중의하나의파장을선택하기위한패브리-페롯형의광 필터의구조에관한것이다. 본발명은서로마주보는광 입력용광섬유및 광출력용광섬유과; 상기광섬유사이에장착된입사광용마이크로볼렌즈및 출력광용마이크로볼렌즈와; 서로마주보는상태로상기각 마이크로볼렌즈사이에장착되며, 각각은한 쌍의실리콘판으로이루어진두 개의실리콘거울과; 지지체와연결되어고정전극사이에위치하며, 어느한실리콘거울과연결되는액츄에이터를포함하여이루어지며, 필터제작에있어서부가적인증착이필요없게되어공정의단순화와제작의단가를낮출수 있고, 이와더불어우수한파장선택성과넓은영역의파장가변성을가진필터를구현할수 있는광 필터를개시한다.
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公开(公告)号：KR100270580B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019980017946
申请日：1998-05-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B3/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a lens-type light concentration structure is provided to increase laser concentrating efficiency and manufacturing precision by directly processing the silicon plate. CONSTITUTION: A determined thickness of silicon epitaxial layer(2) is formed in multi layer on a silicon plate(1) top doped with impurity. The impurity concentration is distributed to be increasingly larger away from the center of the silicon epitaxial layer(2). Some region of the silicon epitaxial layer(2) is etched to expose the silicon plate(1), in order to form a silicon epitaxial layer pattern(4). Impurity is diffused on the entire surface including the silicon epitaxial layer pattern(4). An oxide layer grown by a thermal oxidation process is etched and a light concentration structure with 3-dimensional convex lens shape is formed vertically on the silicon plate(1).
Abstract translation: 目的：提供透镜式光浓度结构的制造方法，以通过直接处理硅板来提高激光浓缩效率和制造精度。 构成：在掺杂有杂质的硅板（1）顶上的多层中形成硅外延层（2）的确定厚度。 杂质浓度分布成越远离硅外延层（2）的中心。 蚀刻硅外延层（2）的一些区域以暴露硅板（1），以形成硅外延层图案（4）。 杂质在包括硅外延层图案（4）的整个表面上扩散。 蚀刻通过热氧化处理生长的氧化物层，并且在硅板（1）上垂直形成具有3维凸透镜形状的光浓度结构。
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公开(公告)号：KR1020000018926A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036777
申请日：1998-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B2207/096 , H01L21/76838 , H01L2224/48465 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a micro-vacuum structure for a device operated in vacuum is provided to reduce a step of containing each acceleration sensor in vacuum according to each sensor chip. CONSTITUTION: A method of fabricating a micro-vacuum structure for a device operated in vacuum comprises the steps of totally etching a silicon epitaxial layer of a silicon substrate having the upper silicon epitaxial layer, an interlayer insulating film, and a lower silicon bulk layer to form and seal two electrode structures and a floated vibration structure with a vacuum sealing substrate; and etching from a rear side of the silicon substrate to the interlayer insulating film to form metal electrode after opening the electrode structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在真空中操作的装置制造微型真空结构的方法，以减少根据每个传感器芯片在真空中容纳每个加速度传感器的步骤。 构成：一种制造用于真空操作的器件的微型真空结构的方法包括以下步骤：将具有上硅外延层，层间绝缘膜和下硅体层的硅衬底的硅外延层全蚀刻到 形成并密封两个电极结构和带有真空密封基板的浮动振动结构; 并从硅衬底的后侧蚀刻到层间绝缘膜，以在打开电极结构之后形成金属电极。
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公开(公告)号：KR1019990085499A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980017946
申请日：1998-05-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B3/00
Abstract: 본 발명은 렌즈형 집광 구조물의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 실리콘 기판 상부에 불순물이 주입된 실리콘 에피층을 다층으로 형성하되, 중앙부를 중심으로 대칭적으로 불순물의 농도를 조절하여 실리콘 에피층을 형성하고, 상기 실리콘 에피층을 패터닝한 후 불순물 확산 및 산화 공정을 실시하여 산화막을 성장시키고, 상기 산화막을 식각할 때 불순물의 농도에 따른 식각율의 차이를 이용하여 실리콘 기판상에 수직으로 형성된 렌즈형 집광 구조물을 제조한다.
상기와 같이 제조된 본 발명에 따른 렌즈형 집광 구조물을 레이저 다이오드에서 방출되는 광과 광섬유를 커플링시키는 광 커플링 장치에 이용하면 광 집광의 효율성을 높일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990042067A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062770
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01C19/00
Abstract: 본 발명은 진동형 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 종래의 회전형 자이로스코프는 부피가 크고 고정밀도를 유지하기 위한 가격이 높으며, 충격과 진동에 쉽게 손상되는 등의 많은 단점을 갖고 있다. 이에 본 발명은 정전력(electrostatic force)을 이용해 구조체를 공진시키며, 이때 공진 구조체를 지지하는 스프링을 상하 좌우 대칭으로 배열하여 구동 방향에 수직인 검출 방향으로도 항상 공진이 발생할 수 있도록 설계하므로써 기존의 진동형 자이로스코프에 비해 공진 모드 주파수의 조율이 필요없이 감도가 우수한 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930008863B1
公开(公告)日：1993-09-16
申请号：KR1019910006086
申请日：1991-04-16
IPC: H01L21/335
Abstract: The method is for forming the reverse T type gate electrode by the multi-crystal silicon oxidation layer growing method. The method includes: (1) the 1st processing for doping phosphorus and arsenic, and growing the field and gate oxidation layer in the manufacturing of MOSFET; (2) the 2nd processing for forming the gate pattern; (3) the 3rd processing for growing the high-temperature and pressure oxidation layer; (4) the 4th processing for forming n-region (8) or P-region (10) by ion injection; (5) the 5th processing for executing the fast-temperature processing; and (6) the 6th processing for the alloy processing.
Abstract translation: 该方法是通过多晶硅氧化层生长法形成反向T型栅电极。 该方法包括：（1）掺杂磷和砷的第一次处理，并在制造MOSFET时增加场和栅氧化层; （2）形成栅极图案的第二处理; （3）生长高温高压氧化层的第3次处理; （4）通过离子注入形成n区（8）或P区（10）的第4处理; （5）执行快速温度处理的第5个处理; 和（6）合金加工的第六次加工。
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公开(公告)号：KR1019930008526A
公开(公告)日：1993-05-21
申请号：KR1019910018988
申请日：1991-10-28
IPC: G03F7/26
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 습식식각(wet etching)방법에 관한 것으로 특히, 암모늄프로라이드(NH
4 F)를 이용한 금속박막 식각방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래의 식각용액(인산 : 질산 : 초산 : 물=80 : 5 : 5 : 10)에 암모늄프로라이드(NH
4 F)를 전체용액의 0.5% 내지 1% 정도로 혼합하여 제조한 새로운 식각용액을 사용하여 금속 박막(4)을 식각 함으로써 별도의 실리콘 잔유물(5)을 제거하기 위한 공정이 필요치 않을 뿐만 아니라, 본 발명을 이온센서 반도체 장치의 제조방법에 적용하는 경우 금속 패턴을 형성하는 공정에서 발생되는 게이트 질화막의 표면 손상을 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130055819A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121442
申请日：2011-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: PURPOSE: A humidity sensor manufacturing method using an automatic tape bonding method is provided to improve an integration technology of a sensor/circuit and the efficiency of mass production by a printing method. CONSTITUTION: A humidity sensor manufacturing method using an automatic tape bonding method is as follows. An electrode structure in which a metallic pad(130) is formed on a part of an integrated circuit chip(100) is formed. Metallic foil is coated on a printing substrate so that a metallic film is formed. Patterns are formed on the metallic film. A humidity-sensitive film is coated on the metallic film where the patterns are formed. The printing substrate and the metallic film are separated. The separated metallic film is connected to the electrode structure by a bonding-probing method.
Abstract translation: 目的：提供使用自动带接合方法的湿度传感器制造方法，以通过印刷方法改进传感器/电路的集成技术和批量生产的效率。 构成：使用自动带接合法的湿度传感器的制造方法如下。 形成在集成电路芯片（100）的一部分上形成金属焊盘（130）的电极结构。 将金属箔涂布在印刷基板上，形成金属膜。 在金属膜上形成图案。 在形成图案的金属膜上涂布湿敏膜。 分离印刷基板和金属膜。 分离的金属膜通过粘合探测方法连接到电极结构。
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公开(公告)号：KR101158044B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020090028248
申请日：2009-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity MEMS type z-axis vibration sensor and a manufacturing method thereof are provided to apply to a seismometer detecting a low frequency of a seismic wave with very little vibration quantity and low vibration speed. CONSTITUTION: A manufacturing method of a high-sensitivity mems type z-axis vibration sensor is as follows. After preparing a SOI substrate, The top silicon layer(130a) of the SOI substrate to be used as a bottom electrode is doped. A poly silicon layer(170a) to be used as a center ground electrode and an oxide film of a predetermined thickness are formed at the top of the doped top silicon layer. The poly silicon layer is doped. A sacrifice layer oxidation film(147a) of a predetermined thickness and a top electrode(190) are formed at the top of the doped poly silicon layer. An etching process is continuously performed from the silicon wafer(110) of the bottom of the SOI substrate to isolate the area to be further connected to center of mass of a center ground electrode from the doped top silicon layer. By etching the sacrifice layer oxidation film and the oxide film through the top of the top electrode, the doped poly silicon layer forms a vibration space capable of vibrating in the Z-axis direction.
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公开(公告)号：KR101064962B1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020080127240
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09 , H01L31/101
Abstract: 본 발명에 따른 적외선 센서의 제조 방법은 기판 상에 질화 금속 박막을 증착하는 단계, 상기 질화 금속 박막을 포토리소그래피 공정을 통하여 패터닝하는 단계, 그리고 패터닝된 상기 질화 금속 박막을 환원 분위기에서 플라즈마 처리하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명에 따른 적외선 센서 제조 방법은 흡수층 또는 전극 패터닝 후의 플라즈마 처리 공정에서 산소 플라즈마에 의해 부분적으로 산화된 전극 또는 흡수층을 다시 환원시켜 본래의 저항값에 근접하게 회복시켜 주며 저항값의 균일도를 크게 개선시켜주는 효과를 가진다.
멤스, 적외선 센서, 볼로미터, 전극, 흡수층
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