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公开(公告)号：CN102742012A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005860.9
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 恩德·腾海夫
IPC: H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1，5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。
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公开(公告)号：CN102741979A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005859.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 迈克尔·德勒
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。
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公开(公告)号：CN1953933B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200580015730.8
申请日：2005-04-14
Applicant: 模拟设备公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81C2203/019 , H01L2224/16225 , H01L2924/1461
Abstract: 一种MEMS器件，具有至少一个从其衬底的顶面侧(具有MEMS结构)延伸至所述衬底的底面侧的导电路径。该至少一个导电路径贯穿所述衬底，以将底面侧与MEMS结构电连接。
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公开(公告)号：CN102349311A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080010998.3
申请日：2010-02-03
Applicant: NXP股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R1/245 , H04R3/005 , H04R2499/11
Abstract: 本发明涉及一种利用具有第一层(2)的晶片(1)制造微机械麦克风和加速度计的方法，所述方法包括步骤：将所述第一层(2)分为麦克风层(5)和加速度计层(6)，用连续的第二层(7)覆盖麦克风层(5)的前侧和加速度计层(6)的前侧，用第三层(8)覆盖第二层(7)，在第三层(8)中形成多个沟槽(9)，去除麦克风层(5)背部一侧下面的晶片(1)的一部分(10)，在加速度计层(6)背部一侧下面的晶片(1)中形成至少两个晶片沟槽(11)，以及通过在第三层(8)中形成的多个沟槽去除第二层(7)的一部分(12)、(13)。根据本发明的微机械麦克风和加速度计的相对于现有技术的优势在于其允许消除结构自生噪声以便最小化结构本身的声音。
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公开(公告)号：CN102311092A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110186306.7
申请日：2011-07-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： R.埃伦普福特
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2201/0235 , B81C2203/0154 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/24 , H01L23/296 , H01L23/3135 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2224/05553 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32227 , H01L2224/48227 , H01L2224/48257 , H01L2224/49175 , H01L2224/83051 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及用于制造减振的构件的方法，构件具有微米或者纳米结构化的结构元件，其中提供具有至少一个刚性的内部区域、至少一个柔性的区域和至少一个刚性的外部区域的基片，刚性的内部区域被柔性的区域包围且柔性的区域被刚性的外部区域包围。此外所述方法包括将至少一个微米或者纳米结构化的第一结构元件施加到刚性的内部区域上以及使微米或者纳米结构化的第一结构元件与刚性的内部区域并且/或者与刚性的外部区域进行电气接触这两个步骤。为了防止微米或者纳米结构化的第一结构元件受到振动影响，将减振物质施加到微米或者纳米结构化的第一结构元件上。除此以外本发明涉及一种相应的构件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102275857A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010200714.9
申请日：2010-06-11
Applicant: 江苏丽恒电子有限公司
CPC classification number: H02N1/006 , B81B2201/0235 , B81C1/00333 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714
Abstract: 本发明提供了一种微机电装置及其制造方法，该装置包括微机电器件，所述微机电器件包括：主体和可动电极，所述可动电极通过固定件和所述主体活动连接，所述主体内具有固定电极，所述可动电极可以相对于所述固定电极移动；所述主体中具有凹槽；所述可动电极悬置于所述凹槽内；在凹槽上方和在所述主体上具有第一介质层，所述第一介质层将所述凹槽围成封闭空间，所述可动电极通过所述固定件悬置在所述封闭空间内，在所述凹槽上方的第一介质层中具有通孔，所述通孔内填充有第二介质层，从而可以对微机电器件进行有效的封装。
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公开(公告)号：CN102030302A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010510986.9
申请日：2010-10-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/125
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , Y10T29/49204
Abstract: 本发明涉及一种微机械结构，设有一个具有主延伸平面的衬底和一个可相对于该衬底沿着一个平行于该主延伸平面的第一方向运动的振动质量，其中，该微机械结构具有一个与该衬底连接的第一电极结构和一个与该衬底连接的第二电极结构，其中，该振动质量具有一个反电极结构，其中，该反电极结构的第三指形电极沿着第一方向设置在该第一电极结构的第一指形电极与该第二电极结构的第二指形电极之间，该第一电极结构还借助一个设置在该微机械结构的中心区域中的第一锚定元件固定在该衬底上，该第二电极结构借助一个设置在该中心区域中的第二锚定元件锚定在该衬底上。本发明还涉及一种用于制造微机械结构的方法。
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公开(公告)号：CN101958256A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010229843.0
申请日：2010-07-13
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: B81B3/0054 , B81B2201/0235 , B81C2203/035 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种垂直传感器组装方法。本发明提供了一种将芯片垂直地结合到衬底的方法。该方法包括在衬底上形成具有线性外观的金属条，在该金属条上形成焊锡膏层以形成焊锡条，在衬底上形成多个金属焊盘，以及在所述多个金属焊盘上形成焊锡膏层以在衬底上形成多个焊锡焊盘。所述多个焊锡焊盘中的每一个以偏移间距偏离焊锡条的长边缘。要垂直地结合到衬底的芯片具有略小于所述偏移间距的垂直芯片厚度。要垂直地结合的芯片配合在所述多个焊锡焊盘与所述焊锡条之间。焊锡条使得能够实现要垂直地结合的芯片的对准。
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公开(公告)号：CN101920995A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010201121.4
申请日：2010-06-09
Applicant: 索尼公司
Inventor： 伊藤大辅
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2201/0292 , B81B2203/0361 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/16 , C30B29/60 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/46 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66439 , H01L29/66462 , H01L29/775 , Y02E60/13
Abstract: 本文公开了沿着[110]方向细长生长的二氧化钒纳米线。
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公开(公告)号：CN1618722B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200410055679.0
申请日：2004-08-02
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81C2201/019 , B81C2203/019 , G01P2015/082
Abstract: 一种微机电系统，包括第一晶片(30)，带有可移动的部分(50)的第二晶片(40)和第三晶片(20)。可移动的部分(50)在第一晶片(30)与第三晶片(20)之间可移动。第一晶片(30)，第二晶片(40)和第三晶片(20)被粘结在一起。
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