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    パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
    115.
    发明申请
    パワーモジュール用基板及びパワーモジュール 审中-公开
    电源模块基板和电源模块

    公开(公告)号：WO2014034245A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：PCT/JP2013/067645

    申请日：2013-06-27

    Applicant: 三菱マテリアル株式会社

    Inventor： 大井　宗太郎

    IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36

    CPC classification number: H05K1/0203 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49861 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/017 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　パワーサイクル性、ヒートサイクル性をさらに向上させ、より高集積化に対応できる多層構造のパワーモジュール用基板を提供する　銅又は銅合金からなる複数の回路層用金属板４Ａ～４Ｅ，５Ａ，５Ｂが第１セラミックス基板２を介して積層状態に接合されるとともに、第１セラミックス基板２に形成した貫通孔１１内に、第１セラミックス基板２の両面に配置される両回路層用金属板を接続状態とする金属部材１２が挿入され、積層状態の回路層用金属板４Ａ～４Ｅ，５Ａ，５Ｂの一方側の面に第２のセラミックス基板３が接合され、第２のセラミックス基板３の回路層用金属板４Ａ～４Ｅ，５Ａ，５Ｂとは反対側の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる放熱層用金属板６が接合されている。

    Abstract translation: 提供了功率模块基板，其具有进一步改善的功率循环特性和热循环特性，并且其适用于高集成度，所述功率模块基板具有多层结构。 由铜或铜合金形成的多个电路层金属板（4A-4E，5A，5B）以其间的第一陶瓷基板（2）以层叠状态接合，金属构件（12）插入到通孔 形成在第一陶瓷基板（2）中的孔（11），所述金属部件将设置在第一陶瓷基板（2）的两面的电路层金属板都连接成连接状态，第二陶瓷基板（3） 在层叠状态电路层金属板（4A-4E，5A，5B）的表面上，所述表面位于层叠状态电路层金属板的一侧，形成有散热层金属板（6） 的铝或铝合金结合到第二陶瓷基板（3）的表面，所述表面位于电路层金属板（4A-4E，5A，5B）的背面。

    SOFT ERROR RESISTANT CIRCUITRY
    117.
    发明申请
    SOFT ERROR RESISTANT CIRCUITRY 审中-公开
    软错误电路

    公开(公告)号：WO2013173302A1

    公开(公告)日：2013-11-21

    申请号：PCT/US2013/040904

    申请日：2013-05-14

    Applicant: SPANSION LLC

    Inventor： BLISH, Richard, C. ,  HOSSAIN, Timothy, Z.

    IPC: H01L23/373 ,  H01L23/34

    CPC classification number: G21F1/10 ,  G21F1/085 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/556 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/017 ,  H01L2924/00

    Abstract: An assembly includes an integrated circuit, a film layer disposed over the integrated circuit and having a thickness of at least 50 microns, and a thermal neutron absorber layer comprising at least 0,5% thermal neutron absorber, The thermal neutron absorber layer can be a glass layer or can include a molding compound.

    Abstract translation: 组件包括集成电路，设置在集成电路上并具有至少50微米厚度的薄膜层和包含至少0.5％热中子吸收体的热中子吸收层。热中子吸收层可以是 玻璃层或者可以包括模塑料。

    電力変換器
    118.
    发明申请
    電力変換器 审中-公开
    电源转换器

    公开(公告)号：WO2013065316A1

    公开(公告)日：2013-05-10

    申请号：PCT/JP2012/007037

    申请日：2012-11-02

    Applicant: 富士電機株式会社

    Inventor： 岡本　健次 ,  渡辺　茜

    IPC: H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    CPC classification number: H05K1/0204 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10416 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　金属ブロック１の上面１ｂにパワー半導体素子４が実装されてなるパワー半導体ユニット５１と、金属ブロック１を収めることが可能な孔１４が明けられたプリント配線板５に電子回路部品６ａ，６ｂが実装されてなるプリント配線板ユニット５２と、冷却用ヒートシンク７とを備え、金属ブロック１が孔１４にはめ込まれるようにしてパワー半導体ユニット５１とプリント配線板ユニット５２とが一体とされた電力変換回路組立体５３が構成されているとともに、金属ブロック１の下面１ａ側に直接セラミックス材料が放熱用絶縁層２として形成されてなり、金属ブロック１の下面１ａが放熱用絶縁層２を介して冷却用ヒートシンク７の上面７ａに当接するようにして電力変換回路組立体５３が冷却用ヒートシンク７に取付けられた構成とする。

    Abstract translation: 该功率转换器设置有：功率半导体单元，其通过具有安装在金属块（1）的上表面（1b）上的功率半导体元件（4）构成; 印刷电路板单元（52），其通过具有安装在具有可以存储金属块（1）的孔（14）的印刷电路板（5）上的电子电路部件（6a，6b）构成; 和冷却散热器（7）。 具有整体形成在其中的功率半导体单元（51）和印刷线路板单元（52）的电力转换电路组件（53）被构造成使得金属块（1）装配在孔（14）中，陶瓷材料 在金属块（1）的下表面（1a）侧直接形成为散热绝缘层（2），并且电力转换电路组件（53）附接到冷却散热器（7），如 金属块（1）的下表面（1a）经由散热绝缘层（2）与冷却散热器（7）的上表面（7a）接触。

    多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子部品
    119.
    发明申请
    多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子部品 审中-公开
    多层陶瓷基板，生产多层陶瓷基板的方法和电子元件

    公开(公告)号：WO2008132913A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：PCT/JP2008/055495

    申请日：2008-03-25

    Applicant: 株式会社村田製作所 ,  杉本 安隆

    Inventor： 杉本 安隆

    IPC: H05K3/46

    CPC classification number: H05K1/111 ,  C03C14/004 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/285 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/099 ,  Y02P70/611 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

    Abstract: 　内層部と内層部を積層方向に挟むように位置する表層部とからなる積層構造を有し、表層部の熱膨張係数が内層部のそれより小さくされることによって抗折強度が高められた多層セラミック基板において、表層部をたとえばＭＯ－ＳｉＯ ２ －Ａｌ ２ Ｏ ３ －Ｂ ２ Ｏ ３ 系ガラス（ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよび／またはＢａＯ）とアルミナ粉末とを含むガラスセラミック材料から構成し、そこにＡｇ系材料からなるビア導体を設けたとき、Ａｇが表層部に拡散してビア導体の周りに空隙ができるという問題がある。 　内層部（２）の主面上に位置される主面導体膜（６）の中央部を露出させながら周囲を覆うように表層部（３）を形成し、主面導体膜（６）をビア導体として機能させ、表層部（３）にビア導体を形成する必要がない構造とする。

    Abstract translation: 本发明提供一种多层陶瓷基板，其可以解决层叠结构中涉及的问题，所述层叠结构包括内层部分和表层部分，其位于层压方向上以保持内层部分。 在多层陶瓷基板中，通过使表面层部的热膨胀系数比内层部的热膨胀系数更大，能够提高横向强度。 在该多层陶瓷基板中，当表层部由含有MO-SiO 2 -Al 2 O 3 O 3的玻璃陶瓷材料形成时， -B 2 O 3 3玻璃，其中MO表示CaO，MgO，SrO和/或BaO，以及铝粉末，还有，由 Ag基材料设置在表层部分中，Ag不利地扩散到表面层部分，导致通孔导体周围的空隙。 形成表面层部分（3），以便在覆盖主面导体膜（6）的周边的同时露出位于内层部分（2）的主面上的主面导体膜（6）的中心部分 ）以允许主面导体膜（6）用作通孔导体，由此可以消除在表层部分（3）中形成通孔导体的需要的结构。

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