公开(公告)号：CN101855709A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880109291.0

申请日：2008-09-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·布吕埃尔

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268

Abstract: 本发明涉及一种采用至少一个光流脉冲加热包括至少一个待加热层(2)以及子层(4)的板(1)的方法，其中所述方法包括以下步骤：选择光流(7)和待加热层(2)，使得只要待加热层的温度处于低温范围(PBT)内，则待加热层(2)对流的吸收系数保持是低的，并且当待加热层的温度进入到高温范围(PHT)内时，吸收系数显著增加；选择子层(4)，使得在所述低温范围(PBT)内所选波长的所述光流的吸收系数是高的，并且当所述子层受到所述光流作用时，温度进入到高温范围(PHT)；以及向所述板(1)施加所述光流(7)。

公开(公告)号：CN101809710A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108693.9

申请日：2008-09-23

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： H·阿比尔 ,  R·朗热

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L23/36 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物；在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)；分裂所述脆化衬底从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(IB)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(IA)暴露。

公开(公告)号：CN101142669B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200680008159.1

申请日：2006-01-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： N·达瓦尔

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明涉及形成结构(30)的方法，所述结构(30)提供有从施主晶片(10)去除的层(2)，所述施主晶片(10)在去除之前包括第一Si1-xGex层(1)和在第一层(1)上的第二Si1-yGey层(2)(x、y的范围分别是0到1，而且x与y不相等)。所述方法包括：a)注入原子种类，以使得在第二层(2)下形成脆化区(4)，b)将施主晶片(10)键合到接受晶片(20)，c)加热从而在脆化区(4)从施主晶片(10)分离去除层(1’，2)，d)在大约1000℃或者更高的温度执行快速热退火(也称为RTA)等于或少于5分钟的时间，以及e)相对于第二层(2)选择性蚀刻第一层的剩余部分(1’)。

公开(公告)号：CN1774798B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN03822305.8

申请日：2003-09-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： T·阿卡兹 ,  B·吉塞林

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  Y10S438/933

Abstract: 用于从晶片(10)形成有用层(6)的方法，该晶片(10)包括分别从结晶材料选择的支撑衬底(1)和应变层(2)。该方法包括：第一步骤，通过产生可引起应变层(2)中弹性应变的至少相对松弛的结构性摄动以限定的深度在支撑衬底(1)形成摄动区域(3)；第二步骤，提供能量，以引起应变层(2)中的弹性应变的至少相对松弛；第三步骤，从该松弛的应变层(2)的相对侧移除晶片(10)的一部分，有用层(6)为晶片(10)剩余的部分。本发明还涉及该方法的应用及在该过程中产生的晶片。

公开(公告)号：CN100541739C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200380102763.7

申请日：2003-11-03

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： E·内雷 ,  C·马勒维尔

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供了一种热处理具有边缘的多层晶片(10)的方法，该晶片是由选自于半导体材料的材料制成以及该方法的特征在于，在退火过程中，为了考虑到边缘热吸收的局部差异，局部地和可选择地改变边缘的加热。

公开(公告)号：CN100490111C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480015601.4

申请日：2004-06-03

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 ,  原子能源局

Inventor： C·奥耐特 ,  B·巴塔尤 ,  B·吉斯勒 ,  H·莫里索

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76259

Abstract: 本发明涉及一种获得结构的方法，所述结构具有至少一个支撑衬底(3)，由源衬底(1)制备的超薄层，尤其由半导体材料制成，并可选地具有插入层。本发明方法包括如下步骤：a)通过分子附着将支撑衬底(3)附着到源衬底(1)的前面(10)，所述源衬底(1)具有限定待转移的有用层(13)的弱区(12)，所述有用层(13)的宽度明显大于所述超薄层(130)的宽度；b)沿着所述弱区(12)将所述支撑衬底(3)从源衬底(1)的剩余部分(14)分离，由此获得具有至少所述被转移的有用层(13)和所述支撑衬底(3)的中间结构；c)减薄所述被转移的有用层(13)直到获得超薄层。本发明用于制备电子学、光电子学或光学领域中的衬底。

公开(公告)号：CN100483666C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480006143.8

申请日：2004-01-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉斯兰 ,  C·奥内特 ,  B·奥特诺 ,  T·赤津 ,  Y·M·勒瓦扬

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259

Abstract: 在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法，所述施主晶片(10)依次包含衬底(1)和多层结构(I)，所述多层结构(I)在剥离之前包含待剥离的有用层，所述过程包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物质之后，所述多层结构的至少一部分(I′)仍保留，所述缓冲结构的至少一部分(I′)包含至少一层可剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：根据本发明从至少一片可重复利用的施主晶片(10)剥离薄层的方法，根据本发明可重复利用的施主晶片(10)。

公开(公告)号：CN100472749C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480040205.7

申请日：2004-10-28

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： Y-M·勒瓦扬

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明涉及用于接收由选自晶体材料的材料构成的转移层(20)的复合支撑体(10)，这样组装件构成用于外延的衬底(30)，支撑体的特征在于其具有与其主表面平行的纵向对称面(100)并且其包含：·在规定温度T具有第一热膨胀系数的中心第一层(1)，所述层在对称面的任一面上横向延伸；和·至少一对横向层(2，2’；3，3’)，每对的层彼此相对并具有：-在复合支撑体(10)中相对于对称面基本对称的排列；-在温度T的基本彼此相等的第二热膨胀系数；和-基本彼此相等的厚度；并且特征在于选择构成复合支撑体(10)的层的材料，以使复合支撑体(10)在温度T的整体热膨胀系数与转移层(20)的材料在温度T的热膨胀系数接近。本发明还涉及在所述复合支撑体上形成有用层的方法，以及涉及包含用于外延的衬底的结构。

公开(公告)号：CN100411134C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200480021578.X

申请日：2004-07-29

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·马勒维尔 ,  E·尼雷特 ,  N·本·穆罕默德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种用于制造在衬底上的包括半导体材料薄层的结构的方法，包括如下阶段：·在必须由其制作薄层的施主衬底的表面下进行粒子注入，以便在施主衬底的厚度中生成脆化区，·在进行注入之后，将施主衬底的表面与支撑衬底紧密接触，·在脆化区处分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上并且在支撑衬底上形成薄层，其特征在于：·注入阶段进行至少两种不同原子种类的共同注入，以便使在分离之后获得的结构水平面处的低频粗糙度降低到最小；·以及该方法进一步包括包含至少一种快速热退火操作的精整步骤，以便使在分离之后获得的结构水平面处的高频粗糙度降低到最小。

公开(公告)号：CN100401499C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200480022339.6

申请日：2004-07-29

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉斯兰 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种用于制造包括埋入层的多层结构并用于电学、光学和光电子学设计的方法，包括a)形成包括埋入层得结构的层，和b)使用用于充分蚀刻埋入层材料的化学种类化学处理所述的结构。步骤a)包括形成设置在埋入层上的埋入保护层，并选择埋入保护层的材料使其能够足够抗蚀在步骤b)中使用的处理化学种类的化学侵蚀，从而阻碍所述化学种类穿过其到达埋入层的可能入口。也公开了用于制造电学、光学和光电子学设计的结构的所述方法的使用。