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公开(公告)号：FR3107410A1
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：FR2101442
申请日：2021-02-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： GUEGNAUD HERVÉ , VENEC STÉPHANIE , BLAMON GUILLAUME
Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur de puissance comportant : - une succession d’au moins deux étages amplificateurs (DS, PS) comportant un premier étage amplificateur (DS) configuré pour recevoir en entrée un signal radiofréquence et un dernier étage amplificateur (PS) configuré pour délivrer en sortie un signal radiofréquence amplifié, - un circuit de sûreté comprenant : ○ des moyens de contrôle (CM) configurés pour comparer une tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) à une tension seuil (VTH),○ des moyens de réduction (GRM) de gain configurés pour réduire une tension de polarisation d’un étage amplificateur en amont (DS) du dernier étage (PS) lorsque la tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) est supérieure à la tension seuil (VTH). Figure pour l’abrégé : Fig 1
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公开(公告)号：FR3056364B1
公开(公告)日：2018-10-05
申请号：FR1658753
申请日：2016-09-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： URARD PASCAL , TRIPATHI ALOK KUMAR
IPC: H03K3/356
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123.发明专利
公开(公告)号：IT201600127322A1
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：IT201600127322
申请日：2016-12-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV , ST MICROELECTRONICS SRL
Inventor： GIACOMINI MAURO , NARWAL RAJESH , SAINI PRAVESH KUMAR
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公开(公告)号：FR3026209A1
公开(公告)日：2016-03-25
申请号：FR1458904
申请日：2014-09-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： DHAYNI ACHRAF
Abstract: Système de communication sans contact d'informations entre un premier dispositif (1, 2) et un deuxième dispositif (2, 1) possédant respectivement deux antennes (11, 21) destinées à être couplées par champ magnétique proche, comprenant au sein du premier dispositif (1, 2), une chaîne de transmission (12, 22) comportant des premiers moyens configurés pour générer un flot de données numériques correspondant aux informations à transmettre et des deuxièmes moyens configurés pour générer, à partir de ce flot et d'une application d'une première dispersion, un premier signal modulé en amplitude et dispersé au niveau de l' antenne du premier dispositif, au sein du deuxième dispositif (2, 1), une chaîne de réception (23, 13) comportant des troisièmes moyens configurés pour effectuer une transposition de fréquence d'un deuxième signal modulé en amplitude et dispersé, issu du premier signal, avec application d'une deuxième dispersion synchrone de ladite première dispersion.
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公开(公告)号：FR3154854A1
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：FR2311581
申请日：2023-10-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： MAO YANDONG , TEO TAT MING , WILLIAMS FRASER
Abstract: Module de capteur optique La présente description concerne un module de capteur optique (200) comprenant : - un substrat (102) comprenant des premiers plots conducteurs (106) ; - un capot de module (130) assemblé sur le substrat ; - un flexible de connexion (230) incorporé dans le capot de module, le flexible de connexion étant adapté pour coupler électriquement au moins un des premiers plots conducteurs (106) à au moins un composant (152) monté sur et/ou à l'intérieur du capot de module ; le flexible de connexion comprenant au moins une couche métallique recouverte par, ou encapsulée dans, au moins une couche diélectrique. Figure pour l'abrégé : Fig. 2A
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3142034B1
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：FR2211799
申请日：2022-11-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： CARO VINCENT , PAOLI QUENTIN
IPC: H01G4/30
Abstract: Procédé de fabrication d'un condensateur La présente description concerne un procédé de fabrication d'un condensateur, comportant les étapes successives suivantes : a) former un empilement comportant, dans l'ordre à partir de la face supérieure d'une première couche conductrice (13), une première électrode (15), une couche diélectrique (17), une deuxième électrode (19) et une deuxième couche conductrice (23) ; b) former, par photolithographie, une couche de masquage sur une face de la deuxième couche conductrice à l'opposé de la deuxième électrode ; c) graver, par gravure plasma physico-chimique chlorée, à travers ladite couche de masquage, une partie supérieure de l'empilement, ladite gravure plasma physico-chimique chlorée étant interrompue dans la couche diélectrique ; d) graver, par gravure plasma physico-chimique fluorée, à travers ladite couche de masquage, une partie inférieure de l'empilement, ladite gravure plasma physico-chimique fluorée étant interrompue sur la face supérieure de la première couche conductrice ; et e) retirer la couche de masquage. Figure pour l'abrégé : Fig. 5
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公开(公告)号：FR3153893A1
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：FR2310834
申请日：2023-10-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： RAZAFIMANDIMBY STEPHANE
IPC: G01R19/165
Abstract: Circuit électronique La présente description concerne un circuit électronique (400) comprenant un premier circuit (410) configuré pour générer, à partir d'un premier signal (Vxo) analogique périodique, plusieurs deuxièmes signaux (Vref, Vlow, Vhigh) décalés en niveau de tension ; un deuxième circuit (420) configuré pour générer des troisièmes signaux périodiques digitaux (Voutref, Voutlow, Vouthigh) en fonction du franchissement, par lesdits deuxièmes signaux (Vref, Vlow, Vhigh), d’au moins un seuil (Vhyst_l, Vhyst_h) ; et un troisième circuit (430) configuré pour déterminer une plage d’amplitude dans laquelle se trouve le premier signal (Vxo), en fonction du nombre de troisièmes signaux (Voutref, Voutlow, Vouthigh) présents. Figure pour l'abrégé : Fig. 4
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公开(公告)号：FR3153712A1
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：FR2310508
申请日：2023-10-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： TRAMONI ALEXANDRE , FERROUL REMY
Abstract: Dispositif NFC La présente description concerne un appareil mobile comportant un routeur de communication en champ proche et une antenne (12), reliée au routeur par l’intermédiaire d’au moins un circuit d’adaptation d’impédance entre au moins deux valeurs d’impédance, dans lequel : une première valeur d’impédance est sélectionnée pour communiquer avec un dispositif de communication en champ proche d’un premier type (3) en présence d’un dispositif de communication en champ proche d'un deuxième type (2), une deuxième valeur d’impédance est sélectionnée pour communiquer avec un dispositif de communication en champ proche du premier type en l'absence d’un dispositif de communication en champ proche du deuxième type, la présence ou l’absence d’un dispositif de communication en champ proche du deuxième type étant déterminée à partir de trames d’interrogation émises par l’antenne. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3153465A1
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：FR2310130
申请日：2023-09-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED
IPC: H01L23/482 , H01L21/02
Abstract: Puce électronique comprenant des piliers de connexion La présente description concerne un circuit électronique (50) comprenant un substrat semiconducteur (12) ayant des première et deuxième faces (14, 16) opposées et des piliers conducteurs électriquement (60), destinés à être connectés à un élément extérieur au circuit électronique, s'étendant au travers du substrat semiconducteur (12) de la deuxième face (16) à la première face (14) et se projetant en saillie depuis la première face (14). Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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130.发明专利
公开(公告)号：FR3146232B1
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：FR2301816
申请日：2023-02-28
Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV
Inventor： FORNARA PASCAL
Abstract: Selon un mode de réalisation, la cellule mémoire (CEL) comprend une diode PIN (DPIN) à trois contacts (CT1, CT2, CT3). On applique une tension de claquage (HV) pour claquer un oxyde de grille disposé entre une région de la diode PIN et une région substrat et on détermine l’état claqué ou non de l’oxyde de grille en appliquant une tension de lecture entre l’anode et la cathode de la diode et en déterminant la valeur du courant correspondant circulant dans la diode Figure pour l’abrégé : Fig 10
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