公开(公告)号：FR3048115B1

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：FR1651301

申请日：2016-02-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C16/10

Abstract: Il est proposé un dispositif de mémoire du type mémoire non volatile électriquement effaçable et programmable, comprenant un plan-mémoire matriciel (PM) de cellules-mémoire (CEL) connectées à des lignes de bit (BL), des moyens de programmation (MPR) configurés pour sélectionner une cellule-mémoire (CEL) et appliquer une impulsion de programmation (VSBL) sur la ligne de bit (BL) correspondante. Selon une caractéristique générale, le plan-mémoire (PM) est situé dans un caisson local à potentiel flottant (PW) et les moyens de programmation (MPR) sont configurés pour augmenter le potentiel dudit caisson local (PW) simultanément à l'application de l'impulsion de programmation sur la ligne de bit (BL) d'une cellule-mémoire (CEL) sélectionnée.

公开(公告)号：FR3059458A1

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：FR1661500

申请日：2016-11-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  REGNIER ARNAUD

IPC: G11C16/04 ,  H01L27/115

Abstract: Chaque cellule-mémoire est du type à piégeage de charges dans une interface diélectrique et comprend un transistor d'état (T) sélectionnable par un transistor de sélection vertical enterré dans un substrat et comportant une grille de sélection enterrée. Les colonnes de cellules-mémoires comportent des paires de cellules-mémoires jumelles, les deux transistors de sélection d'une paire de cellules-mémoires jumelles ayant une grille de sélection commune, les deux transistors d'état d'une paire de cellules-mémoires jumelles ayant une grille de commande commune. Le dispositif comprend en outre, pour chaque paire de cellules-mémoires jumelles (Ci,j ;Ci-1,j) une région diélectrique (RDi-1,j) située entre la grille de commande (CGi,i- 1) et le substrat et chevauchant ladite grille de sélection commune (CSGi,i-1 ) de façon à former de part et d'autre de la grille de sélection les deux interfaces diélectriques de piégeage de charges (IDi,j ;IDi-1,j) respectivement dédiées aux deux cellules-mémoires jumelles.

公开(公告)号：IT201600121618A1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：IT201600121618

申请日：2016-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GRANDE FRANCESCA ,  LA ROSA FRANCESCO ,  LO GIUDICE GIANBATTISTA ,  MATRANGA GIOVANNI

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/16

公开(公告)号：FR3058813A1

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：FR1661108

申请日：2016-11-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  PROTON WORLD INT NV

Inventor： PEETERS MICHAEL ,  MARINET FABRICE ,  MODAVE JEAN-LOUIS

IPC: G06F21/60

Abstract: L'invention concerne un procédé de brouillage d'adresses dans une mémoire non volatile, organisée en pages (P), dans lequel : la mémoire présente une granularité d'écriture de mots (W) comportant un ou plusieurs octets ; la mémoire comporte une granularité d'effacement de blocs (B) comportant une ou plusieurs pages (P) de plusieurs mots chacune ; et des adresses logiques (L-ADD) sont converties en adresses physiques en respectant les conditions suivantes : les adresses de données sont brouillées (32) en respectant la structure des pages et les adresses de code sont brouillées (31) en respectant la structure des mots.

公开(公告)号：FR3033937B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：FR1552289

申请日：2015-03-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： SIMOLA ROBERTO ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L29/866

Abstract: L'invention concerne une diode Zener comprenant : une région de cathode (CD1) ayant un premier type de conductivité, formée en surface dans un substrat semi-conducteur (SUB) ayant un second type de conductivité, une région d'anode (AD1) ayant le second type de conductivité, formée sous la région de cathode, les régions de cathode et d'anode étant isolées du reste du substrat par des tranchées isolantes (STI1), des premières régions conductrices (CDC, EDC, ED1) configurées, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à une interface entre les régions de cathode et d'anode, et des secondes régions conductrices (GT1, GTC) configurées lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un second champ électrique parallèle à une interface entre les régions de cathode et d'anode.

公开(公告)号：FR3048114B1

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：FR1651431

申请日：2016-02-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/115

Abstract: Le procédé d'écriture dans un point-mémoire (PTM) de type mémoire électriquement effaçable et programmable, comprend au moins une opération d'écriture d'une donnée comportant une étape d'effacement (EFF) et/ou une étape de programmation (PRG) utilisant chacune un effet tunnel. Le point-mémoire (PTM) comprend une première cellule-mémoire (CLER) comportant un premier transistor (TFGR) ayant un premier oxyde (OXR) surmonté par une première grille flottante (FGR) et une deuxième cellule-mémoire (CLEB) comportant un second transistor (TFGB) ayant un second oxyde (OXB) surmonté par une seconde grille flottante (FGB) connectée à la première grille flottante (FGR), et l'étape d'effacement (EFF) et/ou l'étape de programmation (PRG) comporte chacune une première phase (Pel, Ppl) dans laquelle on met en œuvre un effet tunnel identique à travers chaque oxyde (OXR, OXB), et une seconde phase (Pe2, Pp2) dans laquelle on augmente la tension aux bornes de l'un des premier et second oxydes (OXR, OXB), tout en diminuant la tension aux bornes de l'autre oxyde (OXB, OXR) de l'autre transistor de l'autre cellule-mémoire.

公开(公告)号：FR3044818B1

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：FR1561730

申请日：2015-12-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  ALIERI GINEUVE

IPC: G11C7/00 ,  G11C29/24

公开(公告)号：FR2987477B1

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：FR1251855

申请日：2012-02-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： CHARLES ALEXANDRE

IPC: G06K19/077

公开(公告)号：FR3055764A1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：FR1658298

申请日：2016-09-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DEMAJ PIERRE ,  DURNERIN MATTHIEU ,  FOLLIOT LAURENT ,  CHAMPSAUR LUDOVIC

IPC: H04W4/02 ,  G06F3/01 ,  G06Q30/02

Abstract: Le procédé de contrôle de la détection en temps réel d'une scène par un appareil de communication sans fil équipé d'au moins un capteur de mesure environnemental, comprend un ajustement temporel (26) des instants d'activation (21) de ladite détection à partir de valeurs de mesure (23) délivrées par ledit au moins un capteur de mesure environnemental (CPT1-CPT5) à des instants de mesure (22).

公开(公告)号：FR3039921B1

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：FR1557576

申请日：2015-08-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

IPC: G11C7/00 ,  G11C5/14 ,  G11C16/00

Abstract: Une opération d'écriture d'au moins une donnée dans au moins une cellule-mémoire du type mémoire morte électriquement programmable et effaçable, comprend au moins une étape d'effacement ou de programmation de ladite cellule par une impulsion correspondante d'effacement ou de programmation. On contrôle le bon ou le mauvais déroulement de l'opération d'écriture par une analyse de la forme de ladite impulsion d'effacement ou de programmation (IMPB) au cours de l'étape correspondante d'effacement ou de programmation, le résultat de cette analyse étant représentatif d'un déroulement correct ou non de l'opération d'écriture.