公开(公告)号：KR1020160032942A

公开(公告)日：2016-03-25

申请号：KR1020140123725

申请日：2014-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양창모 ,  박준원 ,  박홍식 ,  김은주 ,  이형민 ,  장철호

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/14

CPC classification number: G06F3/0338 ,  G06F1/1694 ,  G06F3/017 ,  G06F3/0346 ,  G06F2200/1637 ,  G06F2203/04804 ,  G06F3/01 ,  G06F3/147

Abstract: 전자장치의화면표시제어방법으로, 제 1 이미지및 제 2 이미지를선택하는동작; 적어도하나의제 1 영역및 적어도하나의제 2 영역을포함하는마스킹패턴을선택하는동작; 상기전자장치의기울기를측정하는동작; 및상기측정된전자장치의기울기에기반하여, 상기적어도하나의제 1 영역에대응하는화면에표시되는상기제 1 이미지의부분및 상기적어도하나의제 2 영역에대응하는화면에표시되는상기제 2 이미지의부분을결정하여표시부로출력하는동작을포함한다. 다만, 상기실시예에한정되지않으며다른실시예가가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子设备的屏幕显示控制方法。 屏幕显示控制方法包括：选择第一和第二图像的操作; 选择包括至少一个第一区域和至少一个第二区域的掩模图案的操作; 测量电子设备的斜率的操作; 以及基于所测量的电子设备的斜率，确定与屏幕上显示的至少一个第一区域和/或第二图像的至少一个第一区域相对应的显示在屏幕上的第一图像的一部分的至少一个第二区域的操作 ，并将确定的部分输出到显示单元上。 本发明不限于该实施例，并且其它实施例也是可能的。 由于用户可以调整电子设备的斜率，用户可以通过一个显示器接收各种图像和功能。

公开(公告)号：KR1020140105985A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：KR1020130019862

申请日：2013-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  권민수 ,  양창모 ,  한종호 ,  왕지연 ,  이용구 ,  최강식

IPC: G06F3/0481 ,  G06F3/14 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0488 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/16 ,  G06F2203/04809

Abstract: The present invention relates to a user interface providing method and a device thereof. The user interface providing method according to an embodiment of the present invention comprises a step of displaying at least one object on a touch screen; a step of hovering at least one input medium, of which approach to the touch screen is detected; and a step of providing a first visual effect based on the position of the hovered input medium and the properties of the object. According to the present invention, user experience can be improved.

Abstract translation: 本发明涉及一种用户界面提供方法及其装置。 根据本发明的实施例的用户界面提供方法包括在触摸屏上显示至少一个对象的步骤; 悬停至少一个输入介质的步骤，其中检测到触摸屏的接近; 以及基于所述盘旋输入介质的位置和所述物体的特性提供第一视觉效果的步骤。 根据本发明，可以提高用户体验。

公开(公告)号：KR101136026B1

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：KR1020040077501

申请日：2004-09-24

Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  윤석일 ,  김성배 ,  김위용 ,  허순범 ,  김병욱 ,  정종현

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458

Abstract: 본 발명은, 5 내지 20중량%의 알코올아민, 40 내지 70중량%의 글리콜에테르, 20 내지 40중량%의 N-메틸피롤리돈 및 0.2 내지 6중량%의 킬레이트제를 포함하는 포토레지스트용 박리제를 이용하여 포토레지스트 박리 공정을 수행함으로써 포토레지스트 박리 공정에서 발생하는 금속층 내의 언더컷(undercut) 또는 오버행(overhang)과 같은 배선의 프로파일을 변형시키는 문제점을 해결할 수 있다.
포토레지스트용 박리제, 킬레이트제, 알루미늄, 언더컷

公开(公告)号：KR1020100067814A

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：KR1020080126367

申请日：2008-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도현 ,  정종현 ,  최영주 ,  박홍식 ,  인태형 ,  이동훈 ,  윤필상 ,  박제형 ,  정창오 ,  이제훈 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  이병진 ,  서남석

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: PURPOSE: A display substrate and a method of manufacturing the same are provided to prevent a defect due to a step during following processes of a patterning process. CONSTITUTION: A deformation preventing layer(105) is formed on the lower surface of a base substrate(101). A gate line is formed on the upper side of the base substrate. A data line is formed on the base substrate on which the gate line is formed. A pixel electrode is formed on the base substrate on which the data line is formed. The deformation preventing layer and the gate line respectively have tensile stress.

Abstract translation: 目的：提供显示基板及其制造方法，以防止在图案化处理的后续处理中由于步骤而导致的缺陷。 构成：在基底（101）的下表面上形成变形防止层（105）。 栅极线形成在基底基板的上侧。 在形成有栅极线的基底基板上形成数据线。 在形成数据线的基底基板上形成像素电极。 变形防止层和栅极线分别具有拉伸应力。

公开(公告)号：KR100853216B1

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020020035752

申请日：2002-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제

IPC: C09K13/00

CPC classification number: C23F1/30 ,  C09K13/06 ,  C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는, 우선 절연 기판 위에 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 및 반도체층을 차례로 형성하고, 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극, 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극 및 데이터선과 연결되어 있는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 보호막을 패터닝하여 적어도 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, 보호막의 상부에 은 또는 은 합금을 이루어진 도전막을 적층하고, 페릭 나이트레이트, 질산, 초산, 헥사 에틸렌글리콜 테트라민 및 초순수를 포함하는 식각액을 이용하여 도전막을 패터닝하여 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되는 반사막을 형성한다.
식각액, 은, 은합금, 페릭 나이트레이트, 헥사 에틸렌글리콜 테트라민

公开(公告)号：KR100848109B1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：KR1020010065327

申请日：2001-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법에서는, 우선 절연 기판 위에 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 및 반도체층을 차례로 형성하고, 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극, 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극 및 데이터선과 연결되어 있는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 보호막을 패터닝하여 적어도 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, 보호막의 상부에 은 또는 은 합금을 이루어진 도전막을 적층하고, 인산, 질산, 초산 및 포타슘옥시설페이트와 나머지 초순수를 포함하는 배선용 식각액을 이용하여 도전막을 패터닝하여 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되는 반사막을 형성한다.
식각액, 은, 포타슘옥시설페이트, 인산, 초산, 질산

公开(公告)号：KR100848102B1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：KR1020020028414

申请日：2002-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  박홍식 ,  조범석

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 박막 트랜지스터 기판은 절연 기판과, 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선의 일부인 게이트 전극, 게이트선의 일단에 연결되어 있는 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과, 기판 위에 형성되어 있는 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위의 소정 영역에 형성되어 있는 반도체층과, 게이트 절연층 위에 있으며, 게이트선과 교차하도록 형성되어 있는 데이터선, 데이터선의 분지이며 반도체층의 일부분과 연결되도록 형성되어 있는 소스 전극, 소스 전극과 대향되어 있으며 반도체층의 다른 일부분과 연결되어 있는 드레인 전극, 데이터선의 일단에 연결되어 있는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과, 데이터 배선 위에 형성되어 있으며 접촉구를 가지는 보호층과, 보호층 위에 형성되어 있으며, 접촉구를 통해 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 포함하고, 게이트 배선과 데이터 배선중 적어도 하나는 텅스텐층을 포함한다.
박막트랜지스터기판, 텅스텐, 배선

公开(公告)号：KR1020080058869A

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020060133048

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  신원석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/306

Abstract: A method of manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) array substrate is provided to form a pixel electrode through wet etch using a diluted etchant to reduce an etch rate, thereby decreasing CD skew and preventing residue after etching. A gate line(22) is formed on an insulating substrate(10). A data line(62) is insulated from the gate line and intersects the gate line. A transparent conductive oxide layer(81) is connected to a part of the data line and does not include indium. The transparent conductive oxide layer is wet-etched by using a basic etchant and a diluted etchant mixed with deionized water to form a pixel electrode.

Abstract translation: 提供一种制造TFT（薄膜晶体管）阵列基板的方法，以通过使用稀释蚀刻剂的湿蚀刻形成像素电极，以降低蚀刻速率，从而减少CD偏斜并防止蚀刻后的残留。 栅极线（22）形成在绝缘基板（10）上。 数据线（62）与栅极线绝缘并与栅极线相交。 透明导电氧化物层（81）连接到数据线的一部分，不包括铟。 通过使用碱性蚀刻剂和与去离子水混合的稀释蚀刻剂来湿式蚀刻透明导电氧化物层以形成像素电极。

公开(公告)号：KR100840333B1

公开(公告)日：2008-06-20

申请号：KR1020037006764

申请日：2002-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성철 ,  박홍식

IPC: H01L21/3063

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 먼저, 알루미늄 네오디뮴 합금의 하부막과 몰리브덴 텅스텐 합금의 상부막을 차례로 적층하고 0.1-10%의 질산(HNO3), 65-55%의 인산(H3PO4), 5-20%의 초산 (CH3COOH), 0.1-5%의 안정제(stabilizer) 및 나머지 초순수를 포함하는 식각액으로 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성하고, 몰리브덴 텅스텐 합금을 적층하고 0.1-10%의 질산(HNO3), 65-55%의 인산 (H3PO4), 5-20%의 초산(CH3COOH), 0.1-5%의 안정제(stabilizer) 및 나머지 초순수를 포함하는 식각액으로 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이어 IZO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 전기적으로 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.

公开(公告)号：KR1020080041333A

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：KR1020060109287

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉균 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  신원석 ,  이병진

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1288

Abstract: A method for fabricating a TFT(thin film transistor) substrate is provided to suppress generation of corrosion byproducts and remove an organic material by performing an ultraviolet cleaning process in etching a source/drain metal layer using a copper interconnection with low resistance. A thin film is coated on a substrate(101). A photoresist pattern is formed on the thin film. The thin film is etched by using the photoresist pattern. The photoresist pattern is stripped. An ultraviolet cleaning process is performed in one of the etch process or the strip process. A process for forming a second conductive pattern group can include the following steps. A gate insulation layer(112), a semiconductor pattern(115) and a source/drain metal layer using copper are continuously deposited on a first conductive pattern group. A photoresist pattern is formed on the source/drain metal layer by using a mask. The source/drain metal layer is etched by using the photoresist pattern to form the semiconductor pattern including an active layer(114) and an ohmic contact layer(116) . The photoresist pattern is ashed. The source electrode(108) and the drain electrode(110) exposed through the ashed photoresist pattern are separated. The active layer between the separated source and drain electrodes is exposed. The photoresist pattern is stripped.

Abstract translation: 提供了制造TFT（薄膜晶体管）基板的方法，以通过使用具有低电阻的铜互连来蚀刻源极/漏极金属层，通过进行紫外线清洁处理来抑制腐蚀副产物的产生并去除有机材料。 将薄膜涂覆在基板（101）上。 在薄膜上形成光刻胶图形。 通过使用光致抗蚀剂图案来蚀刻薄膜。 剥离光致抗蚀剂图案。 在蚀刻工艺或剥离处理之一中进行紫外线清洁处理。 用于形成第二导电图案组的工艺可以包括以下步骤。 使用铜的栅极绝缘层（112），半导体图案（115）和源极/漏极金属层连续地沉积在第一导电图案组上。 通过使用掩模在源极/漏极金属层上形成光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂图案来蚀刻源极/漏极金属层，以形成包括有源层（114）和欧姆接触层（116）的半导体图案。 光刻胶图案灰化。 通过灰化光刻胶图案曝光的源电极（108）和漏电极（110）被分离。 分离的源极和漏极之间的有源层被暴露。 剥离光致抗蚀剂图案。