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公开(公告)号：KR1020080025830A
公开(公告)日：2008-03-24
申请号：KR1020060090467
申请日：2006-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L27/1277 , H01L27/3244
Abstract: An organic electro-luminescent display and a fabrication method thereof are provided to obtain an active layer with a low mobility and an active layer with a high mobility by obtaining different poly crystal silicon islands. An organic electro-luminescent display includes an amorphous silicon(2), a capping layer(3), a driving transistor, and a switching transistor. The capping layer is formed on the amorphous silicon and has two parts(3a,3b) having different thicknesses. The driving transistor is formed under a thick part of the capping layer and drives the organic electro-luminescent display. The switching transistor is formed under a thinner part of the capping layer and controls operation of the driving transistor.
Abstract translation: 提供一种有机电致发光显示器及其制造方法，通过获得不同的多晶硅岛获得具有低迁移率的有源层和具有高迁移率的有源层。 有机电致发光显示器包括非晶硅（2），封盖层（3），驱动晶体管和开关晶体管。 覆盖层形成在非晶硅上，并且具有不同厚度的两个部分（3a，3b）。 驱动晶体管形成在覆盖层的较厚部分的下方并驱动有机电致发光显示器。 开关晶体管形成在覆盖层的较薄部分的下方，并控制驱动晶体管的工作。
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公开(公告)号：KR1020070040128A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020050095496
申请日：2005-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 셀프얼라인에 의한 오프셋 구조를 가지는 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 박막트랜지스터는 기판과; 기판 상에 형성되는 것으로 폭이 넓은 부분과 좁은 부분을 가지는 것으로 그 양측에 경사면이 형성된 돌출부를 가지는 버퍼층과; 상기 버퍼층의 돌출부상에 마련되는 채널과 돌출부의 양측에 위치하는 소스 및 드레인을 가지는 것으로 상기 돌출부의 양측 경사부에 대응하는 오프렛 구조를 가지는 반도체층과; 상기 돌출부의 상방에 마련되는 것으로 상기 돌출부의 좁은 부분에 비해 큰 폭을 가지는 게이트 절연층 및 게이트를 구비한다.
오프셋, LDD, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020060135263A
公开(公告)日：2006-12-29
申请号：KR1020050055111
申请日：2005-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/06 , Y10T428/10
Abstract: A method for forming a highly-oriented silicon layer and a substrate having the same are provided to produce a higher quality three-dimensional integrated circuit by forming a highly-oriented silicon layer with a larger grain size. An aluminum layer(300) is formed on a substrate(100), and then is recrystallized to form a highly-oriented Al layer. A highly-oriented gamma-Al2O3 layer(400) is formed on the highly-oriented Al layer. A silicon layer is epitaxially grown on the highly-oriented gamma-Al2O3 layer. The highly-oriented Al layer is recrystallized using at least one method selected from the group including excimer laser annealing, sequential lateral solidification, and hot roll scanning.
Abstract translation: 提供了形成高取向硅层的方法和具有该方法的基板的方法，以通过形成具有较大晶粒尺寸的高取向硅层来产生更高质量的三维集成电路。 在基板（100）上形成铝层（300），然后重结晶以形成高取向Al层。 在高取向Al层上形成高取向度的γ-Al 2 O 3层（400）。 在高取向γ-Al 2 O 3层上外延生长硅层。 使用选自包括准分子激光退火，顺序侧向固化和热辊扫描的组中的至少一种方法使高取向Al层重结晶。
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124.发明公开단결정 실리콘층을 포함하는 반도체 소자, 이를 포함하는반도체 장치 및 평면표시장치와 반도체 소자의 제조 방법 有权包含单晶硅层，半导体器件和包含其的平面通道显示器的半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060116540A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050038986
申请日：2005-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1203 , H01L29/66772 , H01L29/7842 , Y10S257/903 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: A semiconductor element, a semiconductor device with the same and methods for manufacturing a flat panel display and the semiconductor element are provided to improve the degree of integration and to increase the mobility of carrier by using a single crystal TFT structure composed of PMOS single crystal TFT and an NMOS single crystal TFT. A semiconductor element comprises a substrate(40), a PMOS single crystal TFT, and an NMOS single crystal TFT. The PMOS single crystal TFT is formed on the substrate. The NMOS single crystal TFT is formed on the PMOS single crystal TFT. A first source region of the PMOS single crystal TFT is connected with a second source region of the NMOS single crystal TFT.
Abstract translation: 提供半导体元件，具有该半导体元件的半导体器件以及用于制造平板显示器和半导体元件的方法，以通过使用由PMOS单晶TFT构成的单晶TFT结构来提高集成度和增加载流子的迁移率 和NMOS单晶TFT。 半导体元件包括衬底（40），PMOS单晶TFT和NMOS单晶TFT。 PMOS单晶TFT形成在基板上。 NMOS单晶TFT形成在PMOS单晶TFT上。 PMOS单晶TFT的第一源极区域与NMOS单晶TFT的第二源极区域连接。
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公开(公告)号：KR1020060078700A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040117013
申请日：2004-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경배
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133305
Abstract: 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시되는 플렉서블 디스플레이 장치는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부; 상기 소자부가 배치되는 기판; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 마련되는 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer);을 구비한다.
그리고, 상기 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 위에 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부를 마련하는 단계; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer)을 마련하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 형상 기억 합금층이 구비됨으로써, 기판과 마스크 등의 사이의 얼라인먼트가 개선될 수 있고, 사용자의 사용에 따른 변형 또는 사용 환경의 온도에 따른 변형을 복원할 수 있는 장점이 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050117768A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040042980
申请日：2004-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/66
Abstract: 유일성을 보장하는 네트워크 식별자 생성 방법 및 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유일성을 보장하는 네트워크 식별자 생성 방법은 제 1 네트워크 내에서 중복되지 않도록 상기 제 1 네트워크 내 디바이스의 식별자를 선택 식별자 집합의 원소로 설정하는 단계 및 제 2 네트워크와 결합하는 경우, 상기 제 1 네트워크 내 디바이스의 상기 식별자를 상기 선택 식별자 집합과 서로 소인 변환 식별자 집합의 원소로 변환하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020050050941A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：KR1020030084609
申请日：2003-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06Q50/00
Abstract: 본 발명의 모바일 애드 혹 네트워크 환경에서 비디오 서비스를 제공하는 방법은 비디오 서비스 클라이언트가 원하는 비디오 파일의 위치를 검색하는 단계와, 상기 검색 결과 원하는 비디오 파일을 가지고 있는 노드들 중 파일을 요청할 소정의 노드를 선택하는 단계 및 상기 소정의 노드로부터 전송되는 비디오 파일을 캐쉬에 저장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이로써, 모바일 애드 혹 환경에서 하나 이상의 비디오 프록시 서버를 두어 서버의 부하를 분산시킴으로써 비디오 서비스 클라이언트에게 빠른 속도의 비디오 서비스를 제공할 수 있는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR102129453B1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：KR1020180066031
申请日：2018-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/30 , H01L27/146
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