압전 기판을 이용한 투명 터치 패널 및 그 제조 방법
    123.
    发明授权
    압전 기판을 이용한 투명 터치 패널 및 그 제조 방법 有权
    使用压电基板的透明触摸屏及其制造方法

    公开(公告)号:KR100980447B1

    公开(公告)日:2010-09-07

    申请号:KR1020080124376

    申请日:2008-12-09

    Inventor: 최원국 박동희

    Abstract: 본 발명은 압전 기판을 이용한 투명 터치 패널 및 그 제조 기술에 관한 것으로, 압전체 고분자 필름을 이용하여 구조가 간단하면서도 투과성이 우수하고 입력의 위치 및 입력 신호의 강도까지 인식 가능한 터치 패널을 구현하기 위하여, 압전효과를 가지면서도 투과도가 우수한 유연 압전 고분자 필름으로 형성된 압전체 기판을 사용하여 압력에 의해 생성된 전위차를 투명 전극을 통해 인식하는 터치 패널과, 터치스크린 제작 시 디스플레이층-터치패널층으로 이루어지는 다층구조가 아닌 하나의 디스플레이층으로 된 일체형 터치패널을 구현하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, PVDF 필름위에 증착된 패턴화된 투명산화막 형성을 통하여 간단한 구조로 터치 패널을 구현함으로써 휴대용 기기의 경량화 및 내구성 향상에 기여할 수 있으며, 누르는 힘을 구별해내는 특성을 이용하여 단순 신호 입력이 아닌 사용자의 필기감을 실제 구현해 낼 수 있다.
    압전 효과, 터치 패널, 투명 전극, 촉각

    선형적 유전특성을 나타내는 유전체 박막 조성물
    124.
    发明公开
    선형적 유전특성을 나타내는 유전체 박막 조성물 失效
    电介质薄膜组合物显示线性电性质

    公开(公告)号:KR1020100018990A

    公开(公告)日:2010-02-18

    申请号:KR1020080077784

    申请日:2008-08-08

    Abstract: PURPOSE: A dielectric thin film composition is provided to improve the integration degree of a device by linearly converting a dielectric property of BSTO by adding SnO2 to BSTO. CONSTITUTION: A dielectric thin film composition showing linear electric properties is represented by Ba(1-x)SrxTi(1-y)SnyO3 and has high dielectric constant and low dielectric loss and tenability. In a composition formula, the molar fraction x is 0.06

    Abstract translation: 目的:提供一种电介质薄膜组合物,通过向BSTO中添加SnO 2线性转换BSTO的介电性能来提高器件的集成度。 构成:显示线性电特性的电介质薄膜组合物由Ba(1-x)Sr x Ti(1-y)SnyO 3表示,并且具有高介电常数和低介电损耗和韧性。 在组成式中,摩尔分数x为0.06 <= x <= 0.82,摩尔分数y为0.05 <= y <= 0.28。 通过连续组合物扩散法向(Ba,Sr)TiO 3(BSTO)薄膜中加入5-28mol%的SnO 2来制备电介质薄膜组合物。

    폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법
    126.
    发明公开
    폴리머 모재 상의 금속박막 증착방법 失效
    金属薄膜沉积在聚合物材料上的技术

    公开(公告)号:KR1020070102066A

    公开(公告)日:2007-10-18

    申请号:KR1020060033717

    申请日:2006-04-13

    Inventor: 송종한 최원국

    CPC classification number: C23C14/20

    Abstract: A method for depositing the metal thin films on the polymer based materials is provided to improve interface adhesion between the deposited metal thin films by executing a process of high flux ion irradiation having hundreds of beam energy before depositing the metal thin films. A method for depositing the metal thin films on the polymer based materials comprises a first step of washing the surface of the polymer based materials by injecting a metal ion generated from a high flux metallic ion source(10) applying high voltage while having hundreds of beam energy onto the polymer based materials; a second step of modifying the surface of the polymer based materials by the carbonization effect of the polymer surface through elastic scatter between the metal ion and the polymer atom of the polymer based materials; a third step of forming a metallic ion injection layer on the surface of the modified polymer based materials through a continuous injection of the metal ion; and a fourth step of depositing the metal thin films on the metallic ion injection layer.

    Abstract translation: 提供了一种在基于聚合物的材料上沉积金属薄膜的方法,以通过在沉积金属薄膜之前执行具有数百束能量的高通量离子辐照的方法来改善沉积的金属薄膜之间的界面粘附。 将金属薄膜沉积在基于聚合物的材料上的方法包括:通过注入从施加高电压的高通量金属离子源(10)产生的金属离子同时具有数百束的方式来洗涤基于聚合物的材料的表面的第一步骤 能量聚合物基材料; 通过聚合物表面的金属化作用,通过金属离子和聚合物基材料的聚合物原子之间的弹性散射来改性聚合物基材料的表面的第二步骤; 通过连续注入金属离子在改性聚合物基材料的表面上形成金属离子注入层的第三步骤; 以及在金属离子注入层上沉积金属薄膜的第四步骤。

    Ni―Cr―Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및그 제조방법
    127.
    发明授权
    Ni―Cr―Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및그 제조방법 失效
    具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板及其制造方法

    公开(公告)号:KR100727355B1

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:KR1020050070827

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 본 발명은 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 짧은 시간 동안 폴리이미드 표면의 손상 없이 폴리이미드와 금속간의 접착력을 증가시키고, 고온에서도 우수한 내열성 및 내식성을 갖는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명의 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판은 150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0.5 mA/cm
    2 의 이온 전류밀도를 갖되, 적어도 100 mW/cm
    2 의 이온전력을 갖는 이온빔이 표면에 조사된 폴리이미드 필름; 상기 폴리이미드 필름 위에 증착되되, Ni-Cr-Zn의 삼원계 합금으로 이루어진 50 ~ 80 Å의 접착층; 및 상기 접착층 위에 도금된 구리 박막;을 포함한다.
    이온빔, 폴리이미드, 연성회로기판, 접착층, Ni-Cr-Zn 합금

    Abstract translation: 具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板的制造方法技术领域本发明涉及一种具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板的制造方法,特别涉及一种制造具有Ni- 本发明涉及一种具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板及其制造方法。

    Ni―Cr―Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및그 제조방법
    128.
    发明公开
    Ni―Cr―Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및그 제조방법 失效
    具有Ni,Cr,Zn等三种连接层的柔性印刷电路板及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020070016297A

    公开(公告)日:2007-02-08

    申请号:KR1020050070827

    申请日:2005-08-03

    CPC classification number: H05K3/386 C09J1/00 H05K3/381 H05K2201/0154

    Abstract: 본 발명은 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 짧은 시간 동안 폴리이미드 표면의 손상 없이 폴리이미드와 금속간의 접착력을 증가시키고, 고온에서도 우수한 내열성 및 내식성을 갖는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명의 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판은 150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0.5 mA/cm
    2 의 이온 전류밀도를 갖되, 적어도 100 mW/cm
    2 의 이온전력을 갖는 이온빔이 표면에 조사된 폴리이미드 필름; 상기 폴리이미드 필름 위에 증착되되, Ni-Cr-Zn의 삼원계 합금으로 이루어진 50 ~ 80 Å의 접착층; 및 상기 접착층 위에 도금된 구리 박막;을 포함한다.
    이온빔, 폴리이미드, 연성회로기판, 접착층, Ni-Cr-Zn 합금

    박막형 슈퍼 캐패시터
    129.
    发明授权
    박막형 슈퍼 캐패시터 失效
    薄膜超级电容器

    公开(公告)号:KR100567394B1

    公开(公告)日:2006-04-04

    申请号:KR1020040023489

    申请日:2004-04-06

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 본 발명은 기판과, 상기 기판 상의 하부 전극 박막, 상기 하부 전극 상의 전해질 박막, 상기 전해질 박막 상의 상부 전극 박막을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 및 상부 전극은 H
    2 가 도핑된 박막인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터를 제공한다. 전극은 결정 또는 비정질이어도 무방하며, 전해질로는 고체 및 액체 물질이 모두 사용될 수 있다. 전극 물질에 H
    2 를 도핑하여 용량을 증가를 가져올 수 있으며, 여러 분야에 다양한 형태로 응용될 수 있다.
    슈퍼캐패시터, 박막, H₂, 도핑

    가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리시스템 및 그 방법
    130.
    发明授权
    가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리시스템 및 그 방법 失效
    가스클러스터이온빔을이용한아이。티。오박막표면처리시스템및그방

    公开(公告)号:KR100445105B1

    公开(公告)日:2004-08-21

    申请号:KR1020010066053

    申请日:2001-10-25

    CPC classification number: H01J37/317 H01J2237/0812 H01J2237/316

    Abstract: A surface smoothing device and method thereof which flattens a surface of a sample by irradiating ionized gas of cluster state comprises: an operating gas supplying device for supplying operating gas; a diffusion chamber connected to a convergent and divergent nozzle which changes the operating gas supplied from the operating gas supplying device into cluster state; a source chamber including a skimmer connected to the diffusion chamber for extracting a part of the operating gas in cluster state, and an ionizing device for ionizing the operating gas of cluster state selected by the skimmer; an acceleration chamber including a lens for increasing a density of the cluster ion beam current, and an accelerating device for accelerating the cluster ion; and a process chamber in which the accelerated cluster ion is irradiated on a sample of ITO thin film to flatten the surface of the sample.

    Abstract translation: 一种表面平滑装置及其方法,其通过照射簇状态的离子化气体来使试样表面平坦化,所述表面平滑装置及其方法包括:用于供应工作气体的工作气体供应装置; 扩散室,其连接到将从工作气体供给装置供给的工作气体变为团簇状态的会聚和发散喷嘴; 源腔室,其包括连接到扩散腔室以用于提取处于集群状态的部分工作气体的撇渣器和用于电离由撇渣器选择的集群状态的工作气体的电离装置; 加速室,其包括用于增加所述簇离子束电流的密度的透镜以及用于加速所述簇离子的加速装置; 以及处理室,其中加速的簇离子照射在ITO薄膜的样本上以使样本的表面平坦化。

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