公开(公告)号：KR1020060067080A

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020050027862

申请日：2005-04-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  민병규 ,  이종민 ,  김성일 ,  강영일 ,  이경호

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/81

Abstract: 본 발명은 플립 칩 본딩방법에 관한 것으로, 반도체 칩의 패드 상에 금속범프를 형성하는 단계와, 상기 금속범프의 말단에 소정두께의 전도성 접착제를 형성하는 단계와, 열 접합공정을 통해 상기 반도체 칩을 미리 마련된 반도체 기판의 패드에 접합시키는 단계를 포함함으로써, 원가가 절감되고 공정이 간편해질 뿐만 아니라 열 방출이 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.
플립 칩, 반도체 기판, 반도체 칩, 전도성 접착제, 실버 에폭시, 이방 전도성 필름(ACF), 금속범프

公开(公告)号：KR100568067B1

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：KR1020030073166

申请日：2003-10-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  민병규 ,  이경호 ,  김성일 ,  이종민 ,  강영일 ,  남은수 ,  조경익

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 리프트오프 방법을 이용함에 따른 재현성 저하를 개선시키는데 적합한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상부에 접착력 강화를 위한 티타늄(Ti)과 전기도금을 위한 시드 역할을 하는 금(Au)을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 금(Au) 상에 금속배선예정영역을 오픈시키는 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선예정영역에 금속배선 역할을 하는 금(Au)을 전기도금법으로 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 티타늄, 금 및 금속배선용 금의 순서로 적층된 금속배선구조를 형성하기 위해 불산용액을 이용하여 습식식각하는 단계를 포함하여, 리프트오프방법이 아닌 습식식각법을 이용하므로써 재현성이 우수하면서 깨끗한 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다.
화합물반도체소자, HBT, 금속배선, 시드금속, 전기도금, 리프트오프, 습식식각, 불산용액, Au

公开(公告)号：KR100494559B1

公开(公告)日：2005-06-13

申请号：KR1020020072689

申请日：2002-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  이경호 ,  주철원 ,  조경익 ,  강영일

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 에미터 렛지(emitter ledge)를 갖는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 베이스 전극과 에미터 렛지간의 간격이 정밀하게 제어된 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및, 추가적인 마스크의 사용없이 정밀한 렛지 보호막을 형성시킬 수 있는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다. 본 발명의 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에서는, 에미터 메사 형성시 소정 두께의 에미터층을 잔류시켜 에미터 렛지층으로 사용하고, 에미터 메사와 잔류 에미터층 위에 유전체층을 형성하여 식각 마스크로 사용함으로써 에미터층의 측면 식각이 최대한으로 억제된 정밀한 크기의 에미터 렛지를 형성한다. 종래 제조방법에 비하여 식각 정밀도를 향상시킬 수 있으므로 소자 특성에 변화가 없는 균일한 소자의 제조로 수율 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050052651A

公开(公告)日：2005-06-03

申请号：KR1020030085822

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이경호 ,  민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  주철원 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: 절연막 리프트-오프(lift-off)를 활용한 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT) 마이크로웨이브 단일기판 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC) 제작방법을 제시한다. 본 발명에서는 HBT MMIC의 제작에서 필수적인 비아(via)를 형성하기 위하여 형상반전패턴인 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 양질의 절연막을 저온에서 증착한다. 그런 다음, 포토레지스트 패턴과 절연막을 동시에 리프트-오프하여 비아를 개방한다. 이렇게 함으로써, 고온의 절연막 증착 공정과 절연막 식각 공정으로 비아를 형성하던 종래에 비하여 전류이득 감소를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050025387A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020030062417

申请日：2003-09-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성일 ,  엄용성 ,  김종덕 ,  최광성 ,  이종현 ,  윤호경 ,  최병석 ,  문종태

IPC: G02B6/42

CPC classification number: H04B10/43

Abstract: An optical transceiver is provided to improve receiving quality by reducing crosstalk between optical receiving and transmitting elements on a silicon substrate using a dummy ground line formed on the substrate. An operation transceiver includes a photoelectric transducer and an optical signal transfer unit. The photoelectric transducer is disposed on a substrate and includes a light transmitting device(2210), a high speed signal line(2220), and a bias line(2230) for the light transmitting device. The light transmitting device converts an electrical signal to an optical signal. A light receiving device(2260), a high speed signal line(2270), and a bias line(2280) for the light receiving device are also included in the photoelectric transducer. The light receiving device converts the optical signal to an electrical signal. A first dummy ground line(2290) is adjacent to the high speed signal line of the light transmitting device. A second dummy ground line(2295) is adjacent to the high speed signal line of the light receiving device. The optical signal transfer unit is connected to the photoelectric transducer and delivers the received optical signal to the light receiving device. The optical signal from the light transmitting device is transferred to an optical fiber by the optical signal transfer unit.

Abstract translation: 提供光收发器以通过使用形成在基板上的虚拟接地线减少硅衬底上的光接收和发射元件之间的串扰来提高接收质量。 操作收发器包括光电换能器和光信号传送单元。 光电传感器设置在基板上，包括用于光发射装置的光发射装置（2210），高速信号线（2220）和偏置线（2230）。 光发送装置将电信号转换为光信号。 光接收装置中还包括光接收装置（2260），高速信号线（2270）和用于光接收装置的偏置线（2280）。 光接收装置将光信号转换为电信号。 第一伪接地线（2290）与光发射装置的高速信号线相邻。 第二伪接地线（2295）与光接收装置的高速信号线相邻。 光信号传送单元连接到光电传感器并将接收到的光信号传送到光接收装置。 来自光发送装置的光信号由光信号传送单元传送到光纤。

公开(公告)号：KR100454505B1

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：KR1020020050124

申请日：2002-08-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  이경호 ,  민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  남은수 ,  강영일

IPC: C25D7/12

Abstract: PURPOSE: An electroplating device is provided which further improves uniformity of plating thickness by changing a member for resting an object to be plated into an electrode ring and constructing the electrode ring in an inclined shape so that bubbles generated from the surface of wafer that is the object to be plated are easily removed. CONSTITUTION: The electroplating device comprises a plating pot(100) which forms an external appearance, and in which a plating solution is contained; a metal box(110) positioned inside the plating pot and formed of the same metal as plating metal; an inclined electrode ring(120) which is positioned oppositely to the metal box in the plating pot, and on which an object to be plated is rested; a metal box fixing frame(140) for fixing the metal box; an electrode ring fixing frame(130) for fixing the inclined electrode ring; and power supply terminals(150,160) connected to the metal box and inclined electrode ring, wherein a wafer holder(170) is attached to the inclined electrode ring so that a wafer i.e., the object to be plated is rested on the wafer holder, wherein a chemical resistant material such as Teflon and polyethylene is coated on the surface of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame, and wherein the power supply terminals are connected to the metal box and inclined electrode ring through an inner part of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame.

Abstract translation: 目的：提供一种电镀装置，其通过改变用于将待电镀物体放置到电极环中的构件并且以倾斜形状构造电极环以使得从晶片表面产生的气泡 被镀物体很容易被去除。 构成：电镀装置包括形成外观并且包含电镀液的电镀锅（100） 金属盒（110），所述金属盒（110）定位在所述电镀锅内并且由与电镀金属相同的金属形成; 一个倾斜的电极环（120），该电极环与电镀锅中的金属盒相对地定位，并且在其上放置待电镀的物体; 金属盒固定框架（140），用于固定金属盒; 用于固定倾斜电极环的电极环固定框架（130） 和连接到所述金属盒和倾斜电极环的电源端子（150,160），其中晶片保持器（170）附接到所述倾斜电极环，使得晶片，即待镀物体放置在晶片保持器上，其中 在金属盒固定框架和电极环固定框架的表面涂覆有特氟隆，聚乙烯等耐化学性材料，其中，电源端子通过金属盒内部与金属盒和倾斜电极环连接 固定框架和电极环固定框架。

公开(公告)号：KR1019960035775A

公开(公告)日：1996-10-28

申请号：KR1019950006003

申请日：1995-03-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이승창 ,  윤선진 ,  박효훈 ,  김성일

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 이종접합 구조의 박막성장법에 관한 것으로서, 특히 V-홈(groove)과 반복적 열처리공정을 이용하여 격자 부정합(lattice mismatched)에 따른 전위
(dislocation)의 분포를 공간적으로 국소화(spatial localization) 시킬 수 있는 박막성장법에 관한 것이다.
본 발명은 격자 부정합된 이종접합 구조의 계면에서 생성되는 전위로 인하여 야기되는 박막의 구조적 및 전기적 특성 저하를 방지하기 위하여 V-홈(groove)과 반복적 열처리공정으로 이용하여 격자 부정합 전위의 분포를 V-홈 주위에서 강제적으로 집중, 생성시킨후, 이들 전위 분포지역을 제거하여 최저력 및 최저 전위밀도의 이종접합 구조의 박막을 성장한다.