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公开(公告)号：KR1019930000228B1
公开(公告)日：1993-01-14
申请号：KR1019890009643
申请日：1989-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/318
Abstract: A heat resistant metallic nitride film on semiconducting substrate is formed by ion beam assisted reaction method, which comprises a deposition of a metallic material by sputtering the metallic target with an ion gun and simultaneously, promotion of a nitriding reaction of deposited heat resistant metals on the substrate by direct irradation of low energy nitrogen ion on the substrate with another ion gun. At least one and/or two metallic elements are selected as target material from high purity W, Mo, Ta, Ti, Zr and WSi. The first ion gun irradates an inert gas ion (e.g. argon (Ar)) on the metallic target and the secondary ion gun irradiates low energy (30-200 eV) nitrogen ion using nitrogen or mixture of nitrogen and inert gas.
Abstract translation: 通过离子束辅助反应法形成半导体基板上的耐热金属氮化物膜，该方法包括通过用离子枪溅射金属靶而沉积金属材料，并同时促进沉积的耐热金属的氮化反应 通过用另一个离子枪在底物上直接照射低能量氮离子的衬底。 从高纯度W，Mo，Ta，Ti，Zr和WSi中选择至少一种和/或两种金属元素作为靶材料。 第一离子枪辐射金属靶上的惰性气体离子（例如氩（Ar）），二次离子枪使用氮气或氮气和惰性气体的混合物照射低能（30-200eV）氮离子。
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公开(公告)号：KR1020060035290A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020040084718
申请日：2004-10-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1491 , H03D7/165 , H03D2200/0084
Abstract: 본 발명은 직접변환(direct conversion) 방식으로 고주파(RF) 신호를 베이스밴드(base-band) 신호로 하향변환(down conversion)시키는 주파수 혼합기(mixer)에 관한 것이다. 본 발명의 직접변환 주파수 혼합기는 단일 위상의 고주파(RF) 신호와 직교국부발진(quadrature LO) 신호를 이용하여 직교 베이스밴드 신호를 얻을 수 있는 구조로서, 제 1 주파수 혼합부는 0도와 180도 위상의 직교국부발진(LO) 신호를 이용하여 단일 위상의 고주파(RF) 신호를 인-페이즈(In-phase)의 베이스밴드로 직접하향변환(direct down conversion)시키고, 제 2 주파수 혼합부는 90도와 270도 위상의 직교국부발진(LO) 신호를 이용하여 단일 위상의 고주파(RF) 신호를 직교위상(quadrature-phase)의 베이스밴드로 직접하향변환시킨다. 직교국부발진(LO) 신호가 인가되는 트랜지스터와 고주파(RF) 신호가 입력되는 트랜지스터의 드레인과 소스가 각각 공통으로 연결되기 때문에 낮은 전원전압에서도 구동이 가능하다.
직접변환, 주파수 혼합기, 고주파, 직교국부발진, 베이스밴드-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100305593B1
公开(公告)日：2001-10-19
申请号：KR1019980034520
申请日：1998-08-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판상에 완충층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 에미터 캡층의 선택된 영역에 에미터 전극을 형성하는 단계; 상기 베이스층의 선택된 영역을 노출시키면서 패턴을 형성하기 위한 식각 공정을 실시한 후, 패턴화된 에미터 캡 및 에미터층의 양측벽에 폴리이미드막을 형성하는 단계; 노출된 상기 베이스층상의 선택된 영역에 베이스 전극을 형성하는 단계; 상기 컬렉터층의 일부분을 노출시키면서 패턴을 형성하기 위한 식각 공정을 실시한 후, 패턴화된 베이스 및 일부 컬렉터층의 양측벽에 P-SiN막을 형성하는 단계; 상기 부컬렉터층의 일부분을 노출시키면서 잔류 컬렉터층 및 부컬렉터층 일부가 역경사 형상이 되도록 식각한 후, 잔류된 부컬렉터층의 선택된 영역에 컬렉터 전극을 형성하는 단계; 및 열처리를 실시하여 상기 패턴화된 베이스층, 상기 컬렉터층 및 상기 부컬렉터층의 일부가 비소자 영역이 되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지며, 소자의 고속 및 고주파 특성을 향상시킬 수 있는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR100279734B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980020411
申请日：1998-06-02
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 그 구조는 pnp 구조의 전류차단층(304, 305, 306)이 반절연성 전류 차단층(309)의 양 내측면에 함께 형성된 구조이고, 이러한 구조의 제조는 메사 식각을 행하여 활성층 영역을 정의하는 과정과, 그 활성층 영역으로의 전류주입을 위하여 활성층 주변에 pnp 구조의 전류 차단층을 재성장하는 과정과, pnp 구조의 전류 차단층 재성장 후 활성층 영역 위에 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장하는 과정과, 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장한 후 변조 속도를 높여주기 위해 반절연층을 재성장하는 과정으로 제조함으로써, 고성능의 광출력 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 변조 특성을 현저히 높일 수 있으므로 고성능의 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100276078B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980016751
申请日：1998-05-11
IPC: H01L29/20
Abstract: PURPOSE: A structure of a planar buried semiconductor and a fabricating method thereof are provided to reduce an optical loss by changing only a structure of a current intercepting layer. CONSTITUTION: An active layer(22) of a hetero-junction structure and a p type InP clad layer(21) grow on an n type InP substrate(23). An insulating layer is deposited thereon and a stripe for forming a mesa is formed. An etch process for the mesa is performed. A re-growing layer is formed by a p type InP layer(24), an n type InP layer(25), a p type InP layer(26) and an n type InP layer(27). The insulating layer used for the mesa etch process is removed. A p type InP clad layer(28) and an InGaAs ohm contact layer grow after the insulating layer is removed.
Abstract translation: 目的：提供平面埋入式半导体的结构及其制造方法，通过仅改变截流层的结构来减少光损耗。 构成：异质结结构的有源层（22）和p型InP包层（21）在n型InP衬底（23）上生长。 在其上沉积绝缘层，并形成用于形成台面的条带。 执行台面的蚀刻工艺。 再生长层由p型InP层（n），n型InP层（25），p型InP层（26）和n型InP层（27）形成。 去除用于台面蚀刻工艺的绝缘层。 在绝缘层被去除之后，p型InP覆盖层（28）和InGaAs欧姆接触层生长。
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公开(公告)号：KR100264975B1
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：KR1019970063395
申请日：1997-11-27
Abstract: PURPOSE: A selective crystal growth method is provided to be capable of forming a crystal growth layer of a good quality by reducing defects generated at a boundary portion of a crystal growth layer and an insulating layer. CONSTITUTION: A selective crystal growth method forms insulating film patterns(A,B) using SiO2 or Si3N4 on a semiconductor substrate(21) of GaAs or InP, etc. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in a length direction. That is, the insulating film patterns(A,B) has a rectangle shape. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in which an oblique side of a continued rectangle forms facing two edges of the rectangle so that hills and fields are continuous at an edge in a length direction.
Abstract translation: 目的：提供选择性晶体生长方法，通过减少在晶体生长层和绝缘层的边界部分产生的缺陷，能够形成质量良好的晶体生长层。 构成：选择性晶体生长方法在GaAs或InP等的半导体衬底（21）上使用SiO 2或Si 3 N 4形成绝缘膜图案（A，B）。绝缘膜图案（A，B）的长度为锯齿形 方向。 也就是说，绝缘膜图案（A，B）具有矩形形状。 绝缘膜图案（A，B）具有锯齿形状，其中连续矩形的倾斜面形成为面向矩形的两个边缘，使得山丘和场在长度方向上的边缘处连续。
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公开(公告)号：KR100261279B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019980016487
申请日：1998-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an ohmic electrode of a hetero-junction bipolar transistor is provided to improve the process efficiency by forming the ohmic electrode using a sputtering deposition method and a lift off method. CONSTITUTION: An epi substrate of a hetero-junction bipolar transistor is manufactured. Then, an emitter area(16), a base area(17) and a collector area(18) for forming an ohmic contact are defined in the epi substrate using a mesa etching process. A dual insulating layer is formed on the entire surface of the epi substrate. Then, a protrusion for the lift off is formed by performing a dry etching and a wet etching processes. An ohmic electrode having a tungsten based metal layer is formed on the surface of the emitter area(16), the base area(17) and the collector area(18).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造异质结双极晶体管的欧姆电极的方法，以通过使用溅射沉积方法和剥离方法形成欧姆电极来提高工艺效率。 构成：制造异质结双极晶体管的外延衬底。 然后，使用台面蚀刻工艺在外延衬底中限定用于形成欧姆接触的发射极区域（16），基极区域（17）和集电极区域（18）。 在外延衬底的整个表面上形成双重绝缘层。 然后，通过进行干蚀刻和湿法蚀刻处理来形成用于剥离的突起。 在发射极区域（16），基极区域（17）和集电极区域（18）的表面上形成具有钨基金属层的欧姆电极。
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