公开(公告)号：CN102232241B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980148112.9

申请日：2009-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  奎格·R·钱尼 ,  法兰克·辛克莱 ,  奈尔·J·巴森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。另一实施例中，使用多样的气体，其中一或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一或多个额外气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外等离子。

公开(公告)号：CN103748653A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280039776.3

申请日：2012-06-20

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 川浪义实 ,  守谷宏范 ,  武藤博幸

IPC: H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/26 ,  H01J9/50 ,  H01J37/08 ,  H01J49/16 ,  H01J2237/0807 ,  Y02W30/828

Abstract: 本发明提供一种即使反复顶点部分的再生处理，引出电压的变化也微小的离子源发射器。在与本发明有关的发射器中，顶端为以单原子为顶点的三角锥形形状，并且从顶点侧观察顶端的形状为近似六角形。

公开(公告)号：CN103621187A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030726.9

申请日：2012-06-21

Applicant: FEI公司

Inventor： S.克罗格 ,  A.格劳佩拉 ,  N.W.帕克 ,  M.W.乌特劳特 ,  A.B.威尔斯 ,  J.B.麦金

IPC: H05H1/00

CPC classification number: H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/28 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种用于带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括提供改进的电隔离与减少后的电容RF耦合的导电屏蔽以及使等离子体绝缘并且对其进行冷却的介电流体。可以将导电屏蔽封闭在固体介电介质内。可以通过泵使介电流体循环或不可以通过泵使其循环。热管可以用于对介电流体进行冷却。

公开(公告)号：CN103367087A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310104256.2

申请日：2013-03-28

Applicant: FEI公司

Inventor： T.米勒 ,  S.克罗格 ,  J.兹布拉内克

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/045 ,  H01J37/243 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31749

Abstract: 一种用于关闭和恢复离子束系统中的离子束的改进的方法和设备。优选实施例提供了一种用于改善对聚焦离子束源的功率控制的系统，其利用自动检测带电粒子射束系统何时空闲（即射束本身未在使用中），并且之后使射束电流自动降低至在离子柱中的任何孔径面处发生很少或不发生离子铣削的程度。优选实施例包括控制器，其可操作成在检测到带电粒子射束系统的离子源的空闲状态时修改施加到提取器电极的电压和/或降低施加到源电极的电压。

公开(公告)号：CN103140010A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210597226.5

申请日：2012-11-30

Applicant: FEI公司

Inventor： S·科洛格 ,  A·格劳佩拉 ,  N·W·帕克 ,  A·B·维尔斯 ,  M·W·尤特劳特 ,  W·斯科茨拉斯 ,  G·A·施温德 ,  S·张 ,  N·史密斯

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32605 ,  H01J9/02 ,  H01J27/16 ,  H01J37/04 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/032

Abstract: 本发明涉及用于将电极附连到感应耦合等离子体源的系统。一种用于聚焦离子束系统的感应耦合等离子体带电粒子源包括具有可移除地附连的源电极的等离子体反应室。紧固机构将所述源电极与等离子体反应室连接并且允许形成热传导的真空密封。利用可移除的源电极，等离子体源管的改进的可服务性和重新使用现在是可能的。

公开(公告)号：CN1868029B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200480030404.X

申请日：2004-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔纳索·Y·斯莫恩斯 ,  约翰·R·谢利 ,  安德鲁·斯蒂芬·德瓦涅

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明提供一种用于离子注入器的动态电极安装件，其中具有限定孔(34)的电极体部分的电极插入构件(21b)插入到电极支撑架。在一个实施例中，插入构件的第一动态对准销(29a)接合电极支撑架(21a)第一沟槽状动态对准表面，以在两个垂直方向上相对于电极支撑架对准第一对准销。另外，插入构件的第二动态对准销(29b)接合电极支撑架(43)的第二动态对准表面，以在旋转方向上相对于电极支撑架对准插入构件。插入构件的多个凸缘接合电极支撑架，以在对准位置保持插入构件并将电极插入构件电耦合到电极支撑架。定位于电极插入构件(21b)和电极支撑架(21a)之间的弹簧(61a)在相对于电极支撑架的对准和保持位置偏置电极插入构件。在另一个实施例中，电极支撑架具有对准销，插入构件具有对准槽。

公开(公告)号：CN103038854A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180022613.X

申请日：2011-05-04

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 迈克尔·格拉夫 ,  罗伯特·K·贝克尔 ,  克里斯多弗·T·雷迪 ,  诺尔·拉塞尔

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812

Abstract: 提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。

公开(公告)号：CN102668016A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080054595.9

申请日：2010-10-25

Applicant: 先进科技材料股份有限公司

Inventor： E·E·琼斯 ,  S·N·叶德弗 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·拜尔 ,  邹鹏

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  C23C14/52 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

Abstract: 一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。

公开(公告)号：CN102484028A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080027722.6

申请日：2010-06-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 威尔汉·P·普拉托 ,  奈尔·J·巴森 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J9/38

CPC classification number: H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30466

Abstract: 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。

公开(公告)号：CN101512716B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200780016534.1

申请日：2007-06-12

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  罗伯特·W·米尔盖特 ,  乔治·P·萨科 ,  韦德·艾伦·克鲁尔

IPC: H01J27/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J9/38 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/265

Abstract: 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。