公开(公告)号：CN105874557B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201480071772.2

申请日：2014-11-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 法兰克·辛克莱 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01J37/147 ,  G02B27/30

Abstract: 一种静电透镜系统及处理发散离子束的方法。静电透镜系统包含：第一电极，用于接收离子束；第二电极，用于接收穿过第一电极之后的离子束，其中第一电极与第二电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定上游间隙；第三电极，用于接收穿过第二电极之后的离子束，其中第二电极与第三电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定下游间隙，第二电极具有两个凹面或两个凸面；以及电压供应系统，用于独立地将电压信号供应到第一电极、第二电极和第三电极，其中电压信号随着离子束穿过第一电极、第二电极和第三电极而将离子束加速和减速。本发明的静电透镜系统可充当静电准直器和用于离子束的减速或加速的静电透镜。

公开(公告)号：CN102334180B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980157578.5

申请日：2009-10-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  法兰克·辛克莱 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/1471 ,  H01J37/12 ,  H01J37/3171

Abstract: 一种独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的技术。在一特定的例示性实施例中，所述技术可实现为一独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的装置。此装置可包括一电极结构，此电极结构包括位于离子束上方的一组上电极与位于离子束下方的一组下电极。此组上电极与此组下电极是以对称于离子束的中央射线轨迹而定位。此组上电极与此组下电极之间的电位差亦可随着离子束的中央射线轨迹而改变，藉以反映中央射线轨迹上每一点的离子束能量，以独立地控制离子束偏移、减速与聚焦。

公开(公告)号：CN101322217B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200680045586.7

申请日：2006-11-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 ,  彼德·L·凯勒曼 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  罗伯特·C·林德柏格 ,  肯尼士·H·波什 ,  泰勒·B·洛克威尔 ,  詹姆士·史帝夫·贝福 ,  安东尼·雷诺

IPC: H01J37/12 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。

公开(公告)号：CN103650098B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280032889.0

申请日：2012-07-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  科斯特尔·拜洛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32807 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065

Abstract: 本揭示是一种提供磁局限以减少等离子体流失和法拉第屏蔽以抑止寄生电容成份的感应耦合射频等离子体源。感应耦合射频等离子体系统包括一射频电源、一等离子体室、一永久磁铁数组以及一天线数组。等离子体室包括多面墙以及具有一内表面和一外表面的介电窗，其中内表面形成等离子体室的一墙。平行的导电永久磁铁的数组电性相互连接，并内嵌于接近内表面的介电窗墙且在一端耦接至接地面。永久磁铁数组组件于等离子体室内交替地朝向等离子体和远离等离子体被磁化，以形成一多尖点磁场。天线数组包括射频电流可通过且相互平行的长导管。天线数组与永久磁铁数组系相互垂直排列。

公开(公告)号：CN102203914B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980143988.4

申请日：2009-11-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  詹姆士·S·贝福 ,  法兰克·辛克莱 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。

公开(公告)号：CN102782797A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080064197.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  法兰克·辛克莱 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  陆钧

IPC: H01J37/12 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1477 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/12 ,  H01J2237/24514

Abstract: 本发明揭示一种用于控制离子束的偏移、减速及聚焦的方法及设备。所述设备可包含分级偏移/减速透镜，其包含安置于离子束的相对侧的多个上部及下部电极，及用于调整施加至所述电极的电压的控制系统。使用可操作以独立地控制所述离子束的偏移及减速的一组“虚拟旋纽”来改变上部与下部电极对之间的电位差。虚拟旋纽包含：对束聚焦及残余能量污染的控制；对上游电子抑制的控制；对束偏移的控制；以及对所述束的最终偏移角度的微调，同时将所述束的位置约束于所述透镜的出口处。在另一实施例中，藉由在量测晶圆平面处所述束位置及角度的同时微调束偏移来进行此步骤。在又一实施例中，藉由调谐偏移因子以达成定中心于所述晶圆平面处的束来进行此步骤。

公开(公告)号：CN101578682B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880001671.2

申请日：2008-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 肯尼士·H·波什 ,  詹姆士·S·贝福 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/141 ,  H01J37/153

CPC classification number: H01J37/141 ,  H01J37/153 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/1526 ,  H01J2237/24528

Abstract: 一种在注入位置降低磁场的技术。在一实施例中，此技术可为在注入位置降低磁场的装置及方法。此装置及方法可包括：校正条总成(400)，其包括一组磁芯构件(402)；沿此组磁芯构件分布的多个线圈(408a、b、c)；以及将此组磁芯构件的末端彼此连接以形成矩形校正条结构的连接元件(404)。校正条总成可位于磁偏转器(101、509)的出口区域以改良具有从磁偏转器输出的多个细光束的带状光束(10)的均匀性，而且矩形校正条结构可提供所需的磁场夹紧作用。

公开(公告)号：CN105874557A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071772.2

申请日：2014-11-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 法兰克·辛克莱 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01J37/147 ,  G02B27/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1471 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/30472

Abstract: 一种系统包含：第一电极，用于接收离子束；第二电极，用于接收穿过第一电极之后的离子束，其中第一电极与第二电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定上游间隙；第三电极，用于接收穿过第二电极之后的离子束，其中第二电极与第三电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定下游间隙，第二电极具有两个凹面或两个凸面；以及电压供应系统，用于独立地将电压信号供应到第一电极、第二电极和第三电极，其中电压信号随着离子束穿过第一电极、第二电极和第三电极而将离子束加速和减速。

公开(公告)号：CN103650098A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280032889.0

申请日：2012-07-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  科斯特尔·拜洛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32807 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065

Abstract: 本揭示是一种提供磁局限以减少等离子体流失和法拉第屏蔽以抑止寄生电容成份的感应耦合射频等离子体源。感应耦合射频等离子体系统包括一射频电源、一等离子体室、一永久磁铁数组以及一天线数组。等离子体室包括多面墙以及具有一内表面和一外表面的介电窗，其中内表面形成等离子体室的一墙。平行的导电永久磁铁的数组电性相互连接，并内嵌于接近内表面的介电窗墙且在一端耦接至接地面。永久磁铁数组组件于等离子体室内交替地朝向等离子体和远离等离子体被磁化，以形成一多尖点磁场。天线数组包括射频电流可通过且相互平行的长导管。天线数组与永久磁铁数组系相互垂直排列。

公开(公告)号：CN102301453B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201080005824.8

申请日：2010-02-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·S·贝福 ,  史费特那·瑞都凡诺史费特那 ,  具本雄 ,  威尔汉·P·普拉托 ,  法兰克·辛克莱 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  奎格·R·钱尼 ,  史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 ,  捷葛泰普·玫尔 ,  艾利克·R·科步 ,  肯尼夫·H·普许尔 ,  沙杜·佩特尔 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542

Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。