公开(公告)号：CN102124544A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980132360.4

申请日：2009-08-10

Applicant: 岩谷产业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 小池国彦 ,  妹尾武彦 ,  吉野裕 ,  东周平 ,  松尾二郎 ,  濑木利夫 ,  二宫启

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  G02B1/00 ,  H01L21/76898

Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。

公开(公告)号：CN102015523A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114990.9

申请日：2009-03-13

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： T·布克 ,  M·斯图姆贝尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00666 ,  H01H59/0009

Abstract: 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。

公开(公告)号：CN101825506A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010002870.4

申请日：2010-01-21

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 安达佳孝 ,  井上胜之

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明提供一种膜片不易破损并且传感器灵敏度的偏差也小的半导体传感器以及制造方法。在隔着SiO2膜(23)将Si基板(22)和Si薄膜(24)贴合的SOI基板的下表面形成凹部(26)。Si薄膜(24)的一部分成为作为感压区域的膜片(25)。在凹部(26)的上表面外周部，SiO2膜(23)将膜片(25)的下表面外周部覆盖，并且在凹部26上表面的除外周部之外的区域使膜片(25)的下表面露出。将膜片(25)的下表面外周部覆盖的SiO2膜(23)(加强部23a)在下表面形成锥形，随着从膜片(25)的外周侧朝向膜片(25)的中心部，其膜厚逐渐减薄。

公开(公告)号：CN100515922C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410005881.2

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 池泽敏哉 ,  齐藤隆重 ,  田中昌明

IPC: B81C3/00 ,  G01J1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81B2201/0264 ,  G01J5/10 ,  G01L9/0042

Abstract: 一种传感器装置，包括电路芯片、粘合膜以及通过粘合膜固定在电路芯片上的传感器芯片。传感器芯片包括具有前表面和后表面的衬底、置于衬底后表面的凹腔以及置于衬底的前表面以盖住凹腔的隔膜。在传感器芯片与电路芯片之间放置粘合膜以便形成连接凹腔与凹腔外部的通路。

公开(公告)号：CN101248340A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680031097.6

申请日：2006-08-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 斯坦利·丘 ,  西西拉·K·加梅奇 ,  权贤镇

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  G01L19/00

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/036 ,  G01L9/0042 ,  Y10S257/909 ,  Y10S438/909

Abstract: 压力传感器包括与上衬底(14)硅熔接的下衬底(12)，在下衬底和上衬底之间设置有室(16)。下衬底和上衬底均包括硅。下衬底包括限定腔体(18)的壁和位于该腔体之上的隔膜部分(22)，其中腔体向所要感应的环境开放。该室对环境气密封。

公开(公告)号：CN101078664A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104277.9

申请日：2007-05-23

Applicant: 森斯瑞股份公司

Inventor： 费利克斯·迈尔 ,  约翰奈斯·布勒 ,  马蒂亚斯·斯特雷夫 ,  罗伯特·苏尼尔

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相结合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔也可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。

公开(公告)号：CN1238686C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03138275.4

申请日：2003-05-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 宫岛久和 ,  荒川雅夫 ,  薮田明 ,  阪井淳

IPC: G01B7/16

CPC classification number: G01P15/123 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0055 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S977/956

Abstract: 本发明涉及机械形变量检测传感器。传感器构造体(1)由硅基片构成，通过对里面一侧的一部分进行各向异性刻蚀形成凹部(3)，备有矩形框状的支持部分(1a)，和占据支持部分(1a)的框内的薄的隔片(2)，玻璃制的台座(4)，其中设置用于将流体压力导入凹部(3)的压力导入孔(5)，与传感器构造体(1)的里面接合。在传感器构造体(1)的表面上在与隔片(2)两侧的周边部分的中央对应的位置上，为了跨在隔片(2)和支持部分(1a)的边界上而设置炭毫微管电阻元件(61，62)。与这些炭毫微管电阻元件(61，62)一起，将组成用于取出检测信号的电桥电路的用作基准的电阻元件(63，64)配置固定在支持部分(1a)的表面上。

公开(公告)号：CN107209078B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201680006742.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

公开(公告)号：CN109678105A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811217950.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 ,  A·德厄 ,  U·赫科勒 ,  J·斯特拉塞 ,  A·沃瑟

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0145 ,  B81C1/00277 ,  B81B7/0035 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。

公开(公告)号：CN109641741A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053215.1

申请日：2017-07-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森

IPC: B81C1/00 ,  H04R19/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B3/0005 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0061 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/00968 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006

Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。