Abstract:
Optical glass is produced by heating a porous gel to a high temperature to partly sinter it, heating it in a chlorine-containing atmosphere to subject it to hydroxyl group removal treatment, and then further heating it to sinter it. The optical glass produced by this process does not rise in bubbles even when heated.
Abstract:
The invention relates to a method for producing a silica glass body, comprising the method steps: i.) providing silicon dioxide particles ii.) forming a glass melt from the silicon dioxide particles in a furnace and iii.) forming a silica glass body from at least one portion of the glass melt, wherein the furnace has a gas outlet, through which gas can be removed from the furnace and the dew point of the gas exiting the furnace through the gas outlet is less than 0°C. The invention also relates to a silica glass body that can be obtained by said method. In addition, the invention relates to a light guide, a lighting means and a shaped article, each of which can be obtained by further processing the silica glass body. The invention further relates to the adjustment of the dew point at the outlet of a furnace, comprising: providing a starting material in the furnace; operating said furnace, a gas flow being conducted through the furnace; and varying the residual moisture of the starting material or the gas exchange rate of the gas flow.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Quarzglaskörpers beinhaltend die Verfahrensschritte i.) Bereitstellen eines Siliziumdioxidgranulats, ii.) Bilden einer Glasschmelze aus dem Siliziumdioxidgranulat und iii.) Bilden eines Quarzglaskörpers aus zumindest einem Teil der Glasschmelze, wobei das Bereitstellen die Schritte I. Erzeugen eines Siliziumdioxidpulvers mit mindestens zwei Teilchen hergestellt aus einer Silizium-Chlor-Verbindung, II. Kontaktieren des Siliziumdioxidpulvers mit Ammoniak unter Erhalt eines behandelten Siliziumdioxidpulvers und III. Granulieren des behandelten Siliziumdioxidpulvers zu einem Siliziumdioxidgranulat beinhaltet, und wobei der Chlorgehalt des Siliziumdioxidpulvers höher ist als der Chlorgehalt des Siliziumdioxidgranulats. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Quarzglaskörper, der durch dieses Verfahren erhältlich ist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumdioxidgranulats. Weiterhin betrifft die Erfindung einen Lichtleiter, ein Leuchtmittel und einen Formkörper, die jeweils durch Weiterverarbeiten des Quarzglaskörpers erhältlich sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Ofen beinhaltend einen Schmelztiegel mit einer Tiegelwand, eine Feststoffzuführung mit einem Auslass, einen Gaseinlass und einen Gasauslass, wobei im Schmelztiegel der Gaseinlass unterhalb des Auslasses der Feststoffzuführung angeordnet ist und der Gasauslass auf gleicher Höhe wie oder oberhalb des Auslasses der Feststoffzuführung angeordnet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines Quarzglaskörpers beinhaltend die Verfahrensschritte i.) Bereitstellen und Einführen eines Schüttguts ausgewählt aus Siliziumdioxidgranulat und Quarzglaskörnung in den Ofen und Bereitstellen eines Gases, ii.) Bilden einer Glasschmelze aus dem Schüttgut und iii.) Bilden eines Quarzglaskörpers aus zumindest einem Teil der Glasschmelze. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Quarzglaskörper, der durch dieses Verfahren erhältlich ist, sowie einen Lichtleiter, ein Leuchtmittel und einen Formkörper, die jeweils durch Weiterverarbeiten des Quarzglaskörpers erhältlich sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Quarzglaskörpers beinhaltend die Verfahrensschritte i.) Bereitstellen von Siliziumdioxidpartikeln, ii.) Bilden einer Glasschmelze aus den Siliziumdioxidpartikeln in einem Ofen und iii.) Bilden eines Quarzglaskörpers aus zumindest einem Teil der Glasschmelze, wobei der Ofen einen Gasauslass aufweist, durch den Gas dem Ofen entnommen wird, wobei der Taupunkt des Gases beim Austritt aus dem Ofen durch den Gasauslass weniger als 0°C beträgt. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Quarzglaskörper, der durch dieses Verfahren erhältlich ist. Weiterhin betrifft die Erfindung einen Lichtleiter, ein Leuchtmittel und einen Formkörper, die jeweils durch Weiterverarbeiten des Quarzglaskörpers erhältlich sind.
Abstract:
A doped silica-titania glass article is provided that includes a glass article having a glass composition comprising (i) a silica-titania base glass, (ii) a fluorine dopant, and (iii) a second dopant. The fluorine dopant has a concentration of fluorine of up to 5 wt. % and the second dopant comprises one or more oxides selected from the group consisting of Al, Nb, Ta, B, Na, K, Mg, Ca and Li oxides at a total oxide concentration from 50 ppm to 6 wt.%. Further, the glass article has an expansivity slope of less than 0.5 ppb/K2 at 20⃘C. The second dopant can be optional. The composition of the glass article may also contain an OH concentration of less than 100 ppm.
Abstract:
The invention relates to an optical component made of synthetic quartz glass for use in an ArF excimer laser lithography process with an applied wavelength of 193 nm, comprising a glass structure substantially free of oxygen defect sites, a hydrogen content ranging from 0.1 x 1016 molecules/cm3 to 1.0 x 1018 molecules/cm3, an SiH group content of less than 2 x 1017 molecules/cm3, and a hydroxyl group content ranging from 0.1 to 100 wt. ppm, said glass structure having a fictive temperature of less than 1070 °C. The aim of the invention is to allow a reliable prediction of the compacting behavior when using UV laser radiation with the applied wavelength on the basis of a measurement of the compacting behavior using a measured wavelength of 633 nm. This is achieved by an optical component design in which the component undergoes a laser-induced change in the refractive index in response to irradiation by means of a radiation with a wavelength of 193 nm using 5x109 pulses with a pulse width of 125 ns and a respective energy density of 500 µJ/cm2 at a pulse repetition frequency of 2000 Hz, said change totaling a first measured value M193nm when measured using the applied wavelength of 193 nm and totaling a second measured value M633nm when measured using a measured wavelength of 633 nm, wherein M193nm/M633nm
Abstract:
The invention starts from a known component of quartz glass for use in semiconductor manufacture, which component at least in a near-surface region shows a co-doping of a first dopant and of a second oxidic dopant, said second dopant containing one or more rare-earth metals in a concentration of 0.1-3% by wt. each (based on the total mass of SiO 2 and dopant). Starting from this, to provide a quartz glass component for use in semiconductor manufacture in an environment with etching action, which component is distinguished by both high purity and high resistance to dry etching and avoids known drawbacks caused by co-doping with aluminum oxide, it is suggested according to the invention that the first dopant should be nitrogen and that the mean content of metastable hydroxyl groups of the quartz glass is less than 30 wtppm.