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公开(公告)号：KR100604846B1
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020040028165
申请日：2004-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28202 , G11C16/0466 , H01L21/28194 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은 다층의 유전체층을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 양측부에 형성된 제 1불순물 영역 및 제 2불순물 영역, 상기 제 1불순물 영역 및 상기 제 2불순물 영역과 접촉하며 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 구조체는, 터널링 산화층; 상기 터널링 산화층 상에 형성된 전하 저장층; 상기 전하 저장층 상에 형성된 것으로, 2 이상의 유전체층을 포함하는 절연층; 및 상기 유전체층 상에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 다층의 유전체층을 포함하는 메모리 소자를 제공하여, 동작 특성 및 리텐션 특성이 향상된 메모리 소자를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060083071A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050003982
申请日：2005-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L29/0843 , H01L29/167 , H01L29/792 , H01L29/4234
Abstract: 본 발명은 Sb, Ga 또는 Bi가 도핑된 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 메모리 소자에 있어서, 반도체 기판에 Sb, Ga 또는 Bi 중 어느 하나의 물질을 도펀트로 포함하여 각각 형성된 제 1불순물 영역 및 제 2불순물 영역; 상기 반도체 기판 상에 상기 제 1불순물 영역 및 상기 제 2불순물 영역과 각각 접하며 형성되며 전하 저장층 및 고유전체층을 포함하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060053335A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020040093005
申请日：2004-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/31155 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/66825
Abstract: 이온주입을 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 이에 따른 소자를 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 유전층을 형성하고, 유전층 내에 실리콘(Si) 또는 저매니움(Ge)을 이온주입하여 전하포획자리로 사용될 이온주입층을 형성한다. 이후에, 어닐링(annealing) 과정을 수행할 수 있다. 유전층 상에 트랜지스터 형성 과정을 계속 수행할 수 있다.
비휘발성 메모리, 컨트롤 게이트, SONOS, 나노결정질체, 메모리 윈도우-
公开(公告)号：KR1020060031358A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：KR1020040080353
申请日：2004-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L29/513 , H01L29/7881 , H01L21/823437
Abstract: 본 발명은 다층의 터널링 장벽층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 기판, 상기 기판에 형성된 소스 및 드레인 영역 및 상기 소스 및 그레인 영역과 접촉하며 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 반도체 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 구조체는 서로 다른 밴드갭 에너지를 지닌 2층 이상의 다층막으로 형성된 터널링 장벽층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100539861B1
公开(公告)日：2006-03-20
申请号：KR1019980029891
申请日：1998-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김정우
IPC: H04B1/38
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
무선 단말기에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
텔레비전 기능을 가지는 무선 단말기를 구현함에 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지
텔레비전 신호를 수신하기 위한 텔레비전 수신 페키지를 이용해 단말기에서 텔레비전 수신모드가 설정되면 텔레비전을 수신할 수 있고 텔레비전 수신 중에 호출이 있으면 텔레비전 수신 기능을 인터럽트하고 단말기 기능을 수행함을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도
무선 단말기에 이용된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100552658B1
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：KR1019990011267
申请日：1999-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체(실리콘, GaAs, InP 등) 미세가공 기술을 이용하여 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) VCO(Voltage Controlled Oscillator)에서 방사하는 전자기파의 위상잡음을 감소시키기 위한 공동공진기를 기재한다. 본 발명에 따른 본 발명에 따른 전압제어발진기의 위상잡음 감소용 공동공진기는 기존의 금속 공동(metal cavity) 대신 실리콘이나 화합물 반도체를 미세가공한 공동(空洞)을 반사형의 전압제어발진기에 채용할 수 있도록 마이크로스트립 라인(microstrip line)과 결합시키고, 이 마이크로스트립 라인과 대응하는 공동의 상부 접지면 금속 박막을 소정 규격으로 제거한 격리용 슬랏(isolation slot)을 형성함으로써, 전압제어발진기에서 출력되는 마이크로/밀리미터파의 위상 잡음을 감소시킨다.
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公开(公告)号：KR1020060007786A
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020040057161
申请日：2004-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N19/13
CPC classification number: H04N19/13 , H04N19/159 , H04N19/176 , H04N19/70
Abstract: 컨텍스트 적응형 이진 산술 부호화 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 컨텍스트 적응형 이진 산술 부호화 방법은, 입력 블록에 포함된 소정 크기의 다수의 레지듀얼 블록 각각에 대해 다수의 신택스 엘리먼트들을 생성하는 단계; 상기 신택스 엘리먼트들 중에서 0이 아닌 변환 계수가 존재하는지를 나타내는 각 레지듀얼 블록의 플래그들을 그룹화하는 단계; 및 상기 그룹화된 플래그들을 컨텍스트 적응형 이진 산술부호화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 컨텍스트 적응형 이진 산술 부호화의 복잡도를 감소시킴으로써 보다 신속하고 간단하게 컨텍스트 적응형 이진 산술 부호화가 가능해진다.
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公开(公告)号：KR1020050104525A
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：KR1020040029848
申请日：2004-04-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/2252 , H04N5/772
Abstract: 촬영중에 일시정지(pause) 명령을 수신하면 현재 인코딩중인 비디오 프레임의 인코딩 관련 파라미터를 저장하였다가 이를 해제하면 그 저장된 파라미터에 따라 녹화를 계속하는 비디오 녹화제어방법, 장치 및 그 기능을 포함한 캠코더가 개시된다. 본 발명에 따라, 비디오 녹화제어방법은 (a) 녹화일시정지(pause) 명령을 수신하는 단계; (b) 현재 인코딩중인 비디오 프레임의 인코딩 관련 파라미터를 저장하고, 이후 입력되는 비디오 프레임의 인코딩은 중지하는 단계; 및 (c) 상기 일시정지의 해제명령을 수신하면, 상기 저장된 인코딩 관련 파라미터 정보를 이용하여, 이후 입력되는 비디오 프레임의 인코딩을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 녹화일시정지 기능을 구현하여 비디오 녹화효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100513709B1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1019990011266
申请日：1999-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01P5/107 , H01P7/065 , H01P11/008
Abstract: Si 혹은 화합물 반도체와 MEMS(micro electro mechanical system) 기술을 이용하여 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) VCO(Voltage Controlled Oscillator)에서 출력되는 마이크로/밀리미터파의 위상잡음을 감소시킬 수 있는 새로운 공동 공진기(cavity resonator) 및 그 제작 방법에 관해 기술된다. 본 발명에 따른 전압제어발진기의 위상 잡음 감소용 공동공진기는 기존의 금속 공동(metal cavity) 대신 실리콘이나 화합물 반도체를 미세가공한 공동(空洞)을 반사형의 전압제어발진기에 채용할 수 있도록 마이크로스트립 라인(microstrip line)과 결합시키되, 마이크로 스트립 라인의 가장자리 부분과 공동의 하부 박막의 소정 위치를 연결하는 폴(pole)을 구비하고, 이 폴과 만나는 공동의 상부 박막을 소정폭 제거한 격리용 슬랏(isolation slot)을 형성하며, 이 폴과 만나는 공동 하부 박막의 주변에는 임피던스 매칭을 위한 저항 박막을 형성함으로써, 전압제어발진기에서 출력되는 마이크로/밀리미터파의 위상 잡음을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050034884A
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020030070643
申请日：2003-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: G11C16/0475 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 소노스 메모리 소자 및 그 제조 방법과 동작방법이 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 소오스 및 드레인 영역과 채널영역이 포함된 반도체층과, 상기 반도체층 상에 구비되어 상기 반도체층과 함께 상부 소노스 메모리 소자를 이루는 상부 적층물과, 상기 반도체층 아래에 구비되어 상기 반도체층과 함께 하부 소노스 메모리 소자를 이루는 하부 적층물을 포함하는 소노스 메모리 장치를 제공하고, 이것의 제조방법 및 동작방법을 제공한다.
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