Abstract:
A method for fabricating an oxide TFT using a dry etch process is provided to optimize an etch process condition and improve etch selectivity by performing a helicon plasma dry etch process using specific etch gas. An oxide thin film transistor is composed of a substrate(200), a gate electrode, a gate insulation layer, a source/drain electrode and a semiconductor thin film(208). The gate insulation layer or the semiconductor thin film are patterned by a helicon plasma dry process using an etch gas as a mixture gas including argon and chlorine. The etch gas can include fluoromethane gas. The gate insulation layer can be made of Al2O3, and the semiconductor thin film can be made of ZnO.
Abstract translation:提供了使用干蚀刻工艺制造氧化物TFT的方法,以通过使用特定蚀刻气体进行螺旋等离子体干蚀刻工艺来优化蚀刻工艺条件并提高蚀刻选择性。 氧化物薄膜晶体管由基板(200),栅极电极,栅极绝缘层,源极/漏极电极和半导体薄膜(208)构成。 使用蚀刻气体作为包括氩和氯的混合气体,通过螺旋等离子体干法将栅极绝缘层或半导体薄膜图案化。 蚀刻气体可以包括氟甲烷气体。 栅极绝缘层可以由Al 2 O 3制成,并且半导体薄膜可以由ZnO制成。
Abstract:
A method for fabricating an anode of an organic light emitting device and an organic light emitting device manufactured thereby are provided to maximize a reflective rate and prevent deterioration of a light emitting characteristic by forming a multi-layered anode including a sacrificial layer. A method for fabricating an anode of an organic light emitting device includes the steps of: forming a multi-layered anode layer by forming a plurality of metalline electrode layers on a substrate(11) and forming a conductive sacrificial layer(12c) on the metallic electrode layer; forming an electrode pattern by patterning the multi-layered anode layer; exposing an electrode layer, formed beneath the sacrificial layer, by etching conductive sacrificial layer after forming the electrode pattern; and performing a surface treating process for enhancing surface characteristics of the exposed electrode layer.
Abstract:
본 발명은 백색 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 본 백색 유기 전계 발광 소자는 기판상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및 상기 정공 수송층, 상기 발광층 및 상기 전자 수송층 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 발광층으로부터의 에너지 전이에 의해 녹색 또는 적색으로 발광하는 발광 보조층을 포함한다. 이에 따라, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 효율이 높고, 색 재현율이 우수하고, 연색 지수(물체를 얼마나 잘 비춰주느냐를 평가하는 지수)가 높은 백색 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다. 발광층, 발광 보조층, 백색 발광
Abstract:
본 발명은 플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치 및 측정방법에 관한 것으로, 본 플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치는 챔버; 상기 챔버 내에 마련되며, 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 플렉시블 발광소자 디스플레이 판넬이 배치되며, 상기 배치된 디스플레이 판넬의 측정 위치를 조절하는 선형 및 회전운동 스테이지; 상기 선형 및 회전 운동 스테이지에 배치된 상기 디스플레이 판넬에 인접하게 설치되어, 상기 디스플레이 판넬의 변형 및 발광특성을 측정하는 광계측부; 상기 선형 및 회전운동 스테이지와 연결되며, 상기 디스플레이 판넬의 측정 위치를 조절하기 위해 상기 선형 및 회전운동 스테이지를 동작시키는 모터구동부; 상기 광계측부 및 상기 모터구동부와 연결되어 상기 광계측부 및 상기 모터구동부를 동작시키기 위한 제어신호를 제공하는 제어부; 및 상기 제어부 및 상기 모터구동부와 연결되어 상기 제어부에서 제공된 제어신호에 따라 측정에 필요한 펄스 형태의 전압 및 전류를 제공하며, 상기 디스플레이 판넬의 구동시 측정된 전압 및 전류를 디지털 데이터로 변환하는 바이어스 공급 및 측정부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 바이어스 공급 및 측정부로부터 상기 디지털 데이터를 입력받아 파라미터를 생성하고, 상기 파라미터를 이용하여 상기 디스플레이 판넬의 발광특성을 분석하는 데이터 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 플렉시블 디스플레이 판넬 내에 형성된 발광소자의 스트레인의 종류, 크기, 다양한 휘도 관련 특성을 빠르고 정밀하게 측정할 수 있다. 플렉시블 디스플레이 판넬, 변형률, 위치센서, 반사 금속층
Abstract:
본 발명은 분자자기조립박막을 포함한 유기 전기 발광 소자 및 이들의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 유기 전기 발광 소자는 애노드 전극, 정공 주입층, 발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 유기 전기 발광 소자에 있어서, 상기 정공 주입층과 발광층 사이에 실란 화합물로 형성된 분자자기조립박막을 포함한다. 본 발명에 따른 유기 전기 발광 소자는 정공 주입층으로써 전도성 고분자막을 포함하고, 상기 정공 주입층과 발광층 사이에 분자자기조립박막을 포함시켜, 소자의 안정성을 개선시킴으로써 궁극적으로 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 분자자기조립박막, 유기 전기 발광 소자, 실란 화합물
Abstract:
본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 보호막의 구성원소를 포함하는 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층증착법으로 보호막을 형성하는 평판 디스플레이 소자의 기판에 사용될 수 있는 보호막 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은 보호막을 형성하기 위해 플라스틱 기판을 챔버 내에 배치하는 단계; 상기 보호막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들을 상기 챔버에 주입하는 단계; 상기 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층 증착법으로 20 내지 220℃ 의 온도에서 무기절연막의 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 보호막이 형성된 상기 플라스틱 기판 상에 평판 디스플레이 소자를 제조하는 단계를 포함하되, 상기 무기절연막의 보호막은 상기 플라스틱 기판의 상, 하 및 측면들 모두에 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법을 제공한다. 이러한 구성을 통하여, 저온에서 양질의 보호막을 비교적 간단한 공정으로 제조할 수 있어, 유기발광소자 또는 디지털페이퍼 등 수분 및 산소에 민감한 소자의 보호막으로 이용하면 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 유기 발광소자의 애노드 전극 표면에 원자층 증착법에 의하여 애노드 배리어 층을 형성하는 방법 및 원자층 증착법에 의하여 형성된 애노드 배리어층을 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 애노드 배리어 층의 형성 방법은 애노드 층이 형성된 기판을 반응 챔버에 배치하는 단계; 상기 애노드 배리어 층을 구성하는 원소를 포함하는 전구체를 상기 챔버에 주입하는 단계; 상기 챔버 내의 온도를 상온 이상으로 유지시키고, 상기 전구체들간의 표면 화학 반응을 유도하여 애노드 배리어 층을 2nm 이하의 두께로 형성시키는 단계를 포함하여 이루어져 있다. 본 발명에 따르면, 박막 구성 원소를 포함하는 전구체들의 표면 화학 반응을 이용하여 밴드갭이 큰 절연막을 1옹스트롬 두께 이하로 조절하면서 애노드 상에 증착하며, 핀홀 없이 치밀하게 증착할 수 있으므로 유기발광소자의 효율을 높이는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a protective film of an organic electroluminescence device is provided to extend the lifespan of the organic electroluminescence device by forming an inorganic insulation film as a buffer layer for reducing chemical damage of the organic electroluminescence device. CONSTITUTION: A method comprises a step of depositing an inorganic buffer layer on an organic electroluminescence device by using a chemical vapor deposition,, a sputtering process, an ion beam deposition, or an electron beam deposition; and a step of forming an inorganic insulation film on the inorganic buffer layer through an atomic layer deposition process. The inorganic insulation film is deposited at the temperature of 20 to 100 Deg.C by using a surface chemical reaction of precursors including elements constituting the inorganic insulation film.
Abstract:
PURPOSE: A method and an organic light emitting device are provided to achieve improved efficiency of the device by depositing an insulation film having a thickness smaller than 1Å on an anode. CONSTITUTION: A method comprises a first step of disposing a substrate(100) with an anode layer formed thereon into a reaction chamber; a second step of injecting a precursor containing the element constituting an anode barrier layer(110) into the reaction chamber; and a third step of maintaining the temperature of the reaction chamber at the level higher than the normal temperature, and forming the anode barrier layer into the thickness of 2nm or smaller by inducing a surface chemical reaction between precursors.