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公开(公告)号：KR1019990050432A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069551
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/00
Abstract: 본 발명은 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것으로, 특히, 특히 무선통신 및 광통신에 사용되는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 주파수 대역폭과 안정도를 향상하면서도 웨이퍼의 소요 면적을 절약하여 신뢰성이 증대되고 제작비용을 절감할 수 있는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기를 제공하는 데에 있다. 본 발명의 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기는 게이트에 국부 발진기의 입력신호가 인가되고 드레인에서 주파수 변조된 중간 주파수를 얻는 제 1FET 및 게이트에 RF 주파수의 입력신호가 인가되는 제 2FET와, 상기 제 1FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 국부 발진기의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓히고 회로의 안정도를 증가시키는 제 1안정수단과, 상기 제 2FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 RF 주파수의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓이고 회로의 안정도를 증가시키는 제 2안정수단을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019990043114A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064100
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98um 반도체 레이저는 종래의 RWG형 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널(channel) 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 1∼3㎛ 폭을 가진 다수의 좁은 채널과 공진기가 구비된 주 RWG 외에 고차 횡모드 결합용 부 RWG가 부가된 구조를 가진다. 즉, 주 RWG 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 부 RWG 공진기로 결합시켜 소멸시킴으로써 주 RWG 공진기에 대해 킹크와 빔 스티어링의 원인이 되는 고차 횡모드 발진을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.
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公开(公告)号：KR100198953B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960069815
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F41/00
Abstract: 고주파, 고속동작 등이 요구되는 소자나 MMIC에 필수적으로 사용하는 인덕터는 그 선폭의 조절이 매우 중요하다. 종래의 인덕터는 구조상으로 인덕터 금속의 선폭을 조절하는 데에는 한계가 있다. 그리고 선폭 조절에 영향을 주는 것으로 절연층을 1차금속과 베이스 금속 사이에 사용되는 데 있다. 본 발명에서는 이 문제를 해결하고자 하는 것으로, 베이스 금속을 1차 금속 위에 직접 형성하고, 2차 금속층을 베이스 금속층 안으로 형성하므로서 선폭이 작은 인덕터를 손쉽게 형성한다.
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公开(公告)号：KR1019990039218A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970059227
申请日：1997-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 T형 게이트 전극을 얻기 위하여 전자빔에 대한 감도가 서로 다른 2층 레지스트 공정으로 게이트 전극을 형성할 때, 후방 산란으로 인하여 T형 게이트의 머리 부분이 손상되는 것을 방지하고, T형 게이트의 다리 부분을 미세한 선폭으로 조절할 수 있는 T형 게이트 전극 형성 방법을 제공하고자 하는 것으로, 이를 위해 본 발명은 2층의 레지스트를 노광시 게이트 머리 에지 부위에 더미 패턴을 노광 하여 게이트 머리의 전자빔 량을 보상할 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR100178493B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950052687
申请日：1995-12-20
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체기판과,상기 반도체기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 '형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위해 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상� �� 반도체 기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공진기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1및 제2 P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하밀도와 이득분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간흘버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100170183B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950051466
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 전자빔 노광 에너지 조정방법에 의한 에어브릿지 금속의 형성방법에 관한 것으로서, 반절연성 반도체 기판의 표면에 활성층을 형성하고 상기 활성층의 표면의 소정 부분에 절연막을 형성한 후 상기 활성층의 노출된 표면에 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 절연막과 오믹 금속층의 상부에 PMMA(ploy methyl meta acrylate)의 제1감광막과 P(MMA-MAA)의 제2감광막을 순차적으로 도포하는 공정과, 상기 제1감광막은 접속공에 의해 오믹 금속층이 노출되고 제2감광막은 상기 접속공 사이의 제1감광막이 노출되게 상기 제1및 제2감광막을 노광 및 형상하는 공정과, 상기 접속공과 제1및 제2감광막의 상부에 바닥 금속을 증착하는 공정과, 상기 바닥 금속 상부에 상기 접속공 사이가 노출되게 상기 제3감광막을 형성하고 상기 제3감광막이 형성되지 않은 바닥 금속의 상부에 에어브릿지 금속을 증착하는 공정과, 상기 제1, 제2및 제3감광막과 상기 에어브릿지 금속이 형성되지 않은 부분의 바닥 금속을 리프트-오프 방법에 의해 제거하는 공정과, 상기 노출된 반도체 기판, 바닥 금속과 에어브릿지 금속의 표면에 보호막을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서 전자빔 노광에너지 조절을 이용하여 접속공을 형성하기 위한 감광막 패턴과 배선금속용 감광막 패턴을 동시에 형성하므로 공정이 간단하고 오정렬을 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990015372A
公开(公告)日：1999-03-05
申请号：KR1019970037477
申请日：1997-08-06
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 고출력 반도체 레이저 및 광소자 제작에 관한 것으로, 다단계의 다른 물질 이온 주입과 열처리 과정을 통하여 밴드갭 과 유효굴절율 변화를 공간적으로 완화시켜 반도체 레이저에서의 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작함으로써 안정된 광 출력을 내는 고출력 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저와 그 제작방법에 관한 것이다.
본 발명은 다층 양자 우물 구조를 활용하고 있는 반도체 레이저와 기타 광소자 제작에 있어서 Zn, Si, Be 등의 원소로 확산 또는 이온 주입시킨 후의 열처리를 통한 혼정화로 밴드갭과 유효굴절율을 조절하며, 이온 주입 물질, 주입량 및 열처리 조건에 따라 밴드갭과 유효굴절율 변화의 양을 조절하여 완화된 밴드갭과 유효굴절율 분포를 얻을 수 있으므로, 다단계 이온 주입 공정을 이용한 완화된 밴드갭과 유효굴절율 분포는 안정된 고출력 리지 웨이브 가이드 반도체 레이저 제작을 비롯하여 다양한 광소자 특성 향상에 활용이 가능하다.-
公开(公告)号：KR100170479B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950052637
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
Abstract: 본 발명은 T-형 게이트 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 감광막을 도포하고 소정 부분이 중첩되도록 동일한 마스크를 이동시키면서 파장이 짧은 자외선으로 2번 노광시키고 현상하여 T-형의 개구를 형성하는 공정과, 상기 감광막에 실란 용액을 선택적으로 확산시켜 부피 팽창시키는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 금속을 증착하여 개구 내에 반도체 기판과 접촉되는 T-형의 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 제거하는 공정을 구비한다.
따라서, 해상력 한계 이하의 감광막 패턴을 형성할 수 있으며 재현성 및 균일도가 향상된다.-
公开(公告)号：KR100163741B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940036027
申请日：1994-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/40
Abstract: 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET) 등의 전계효과형 반도체 소자 또는 이종접합 바이폴라 트랜지스터법은, 반절연 갈륨비소 기판(1) 상에 채널층(2)과 소오스 전극 및 드레인 전극의 형성을 위한 감광막의 패턴(3)을 형성하는 공정과; Ni, Ge, Au, Ti, Au 순서로 증착된 5층구조의 오믹금속층(4)을 그 위에 형성하는 공정과; 상기 감광막 패턴(3)을 제거하여 5층구조의 오믹금속층으로 된 소오스/드레인 전극을 형성하는 공정과; 그 위에 저온에서 증착한 2층 이상의 구조의 절연층으로 이루어진 오믹금속 보호막을 도포하는 공정과; 상기 오믹금속층을 상이한 온도에서 2단계로 열처리하는 공정과; 상기 오믹금속 보호막을 제거하는 공정과; 소정의 감광막 패턴을 그 위에 형성하여 게이트 영역을 정의하는 공정과; 금속막을 증착하여 상기 소정의 감광막 패턴을 마스크로 사용하여 T-형상의 게이트를 형성하는 공정을 포함한다. 이로써, 낮은 접촉저항의 특성을 얻을 수 있어 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050970A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069818
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다중게이트의 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
좁은 간격의 다중 게이트 전극을 가지는 소자를 제어성 좋게 제조할 수 있도록 하기 위함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
리소그라피 공정의 도입과 추가의 공정을 이용하여 다층 게이트의 공정을 간단하게 행할 수있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조
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