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    마이크로 관성 센서의 제작 방법
    143.
    发明公开
    마이크로 관성 센서의 제작 방법 有权
    微型惯性传感器的制造方法

    公开(公告)号：KR1020000050852A

    公开(公告)日：2000-08-05

    申请号：KR1019990000980

    申请日：1999-01-15

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 백석순 ,  하병주 ,  오용수

    IPC: H01L29/84

    CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0132

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a micro inertial sensor is provided to improve reliability and capability by processing a thick silicon joined to a glass in a high section ratio so that a measured surface and thickness becomes large, to eliminate parasitic capacitance generally caused by a silicon substrate by using glass as a substrate instead of silicon, and to reduce a manufacturing cost by a simple process using a mask. CONSTITUTION: A method for manufacturing a micro inertial sensor comprises the steps of: bonding a bulk silicon on a glass substrate; polishing the bonded bulk silicon to a desired thickness; forming an inertial sensor structure by etching the polished bulk silicon by an anisotropic etching method; forming a vacuum space by etching glass of a bottom portion of the silicon inertial sensor structure; and evaporating metal for an electrode on the entire surface of the etched chips.

    Abstract translation: 目的：提供一种制造微惯性传感器的方法，以通过以高截面比加工连接到玻璃的厚硅，以便测量的表面和厚度变大，从而提高可靠性和能力，以消除通常由硅引起的寄生电容 通过使用玻璃作为基板代替硅，并且通过使用掩模的简单工艺来降低制造成本。 构成：微惯性传感器的制造方法包括以下步骤：将体硅结合在玻璃基板上; 将粘结体硅抛光至所需厚度; 通过各向异性蚀刻方法蚀刻抛光的体硅来形成惯性传感器结构; 通过蚀刻硅惯性传感器结构的底部的玻璃来形成真空空间; 并在蚀刻芯片的整个表面上蒸发用于电极的金属。

    구조물의 전기 화학적 제조 동안 층의 평형성을유지하고／하거나 원하는 두께의 층을 성취하기 위한 방법및 장치
    144.
    发明授权
    구조물의 전기 화학적 제조 동안 층의 평형성을유지하고／하거나 원하는 두께의 층을 성취하기 위한 방법및 장치 有权
    在结构电化学制造过程中维护层平行和/或实现层厚度的方法和装置

    公开(公告)号：KR101177586B1

    公开(公告)日：2012-09-07

    申请号：KR1020067015149

    申请日：2005-01-03

    Applicant: 마이크로패브리카 인크.

    Inventor： 쿠마르,아나다,에이치. ,  코헨,아담,엘. ,  로카르드,마이클,에스.

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

    Abstract: 본 발명의 실시예는 전기 화학적 제조 프로세스 동안 편평해진 재료 (예를 들어, 층)에 대한 엔드포인트 검출과 평행성 유지가 개선된 다중 층 구조물 (예를 들어, 메소스케일 또는 마이크로스케일 구조물)을 전기 화학적으로 제조하기 위한 프로세스 및 장치를 제공한다. 몇 방법들은 임의의 허용 오차 내에서 평탄해진 재료의 면이 다른 적층된 면에 평행한 것을 확실히 하는 평탄화 동안 고정구를 이용한다. 몇 방법은 기판의 초기 표면에 대해, 제1 적층에 대해, 또는 제조 프로세스 동안 형성된 다른 층에 대해 적층 재료의 정밀한 높이를 보장하는 엔드포인트 검출 고정구를 이용한다. 몇 실시예에서는 평탄화가 래핑으로 이루어지고 다른 실시예에서는 다이아몬드 플라이 커팅 머신을 이용한다.
    전기 화학적 제조, 다중 층 구조물, 고정구, 플라이 커팅, 평탄화 동작, 엔드포인트 검출

    Abstract translation: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构（例如中尺度或微结构）的方法和装置，其具有改进的端点检测和用于在电化学制造过程中被平坦化的材料（例如层）的并行维护。 一些方法涉及在平坦化期间使用夹具，其确保材料的平面化平面平行于给定公差内的其它沉积平面。 一些方法涉及使用端点检测夹具，其相对于第一沉积层或相对于在制造过程期间形成的一些其它层，相对于衬底的初始表面确保沉积材料的精确高度。 在一些实施例中，平面化可以通过研磨发生，而其他实施例可以使用金刚石切片机。

    화학 기계 연마 조성물 및 관련 방법
    145.
    发明公开
    화학 기계 연마 조성물 및 관련 방법 无效
    化学机械抛光组合物及其相关方法

    公开(公告)号：KR1020100067610A

    公开(公告)日：2010-06-21

    申请号：KR1020090117931

    申请日：2009-12-01

    Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드

    Inventor： 류전둥

    IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/321

    CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  B81C2201/0104

    Abstract: PURPOSE: A chemical and mechanical polishing composition and a method for polishing a chemical machine are provided to selectively eliminate a barrier material about interconnect metal and dielectric substances. CONSTITUTION: A chemical and mechanical method for polishing a substrate comprises the following steps; offering the substrate including a barrier material under the presence of interconnect metal or k dielectric material; offering a chemical and mechanical polishing composition including abrasive 1-40 wt%, oxidizing agent 0-10 wt%, quaternary compound 0.001-5 wt%, and a material of a chemical formula (I) and has pH less than 5; offering a chemical and mechanical polishing pad; raising dynamic contact on the interface between the chemical and mechanical polishing pad and the substrate; distributing the chemical and mechanical polishing composition on the interface between the chemical and mechanical polishing pad and the substrate.

    Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光组合物和抛光化学机器的方法，以选择性地消除关于互连金属和介电物质的阻挡材料。 构成：用于抛光衬底的化学和机械方法包括以下步骤： 在互连金属或k介电材料的存在下提供包括阻挡材料的基板; 提供包含研磨剂1-40重量％，氧化剂0-10重量％，季铵化合物0.001-5重量％和化学式（I）的材料并具有小于5的化学和机械抛光组合物; 提供化学和机械抛光垫; 在化学和机械抛光垫和基板之间的界面上提高动态接触; 将化学和机械抛光组合物分布在化学和机械抛光垫和基底之间的界面上。

    마이크로 관성 센서의 제작 방법
    146.
    发明授权
    마이크로 관성 센서의 제작 방법 有权
    微惯性传感器的制造方法

    公开(公告)号：KR100316774B1

    公开(公告)日：2001-12-12

    申请号：KR1019990000980

    申请日：1999-01-15

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 백석순 ,  하병주 ,  오용수

    IPC: H01L29/84

    CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0132

    Abstract: 본발명은유리와접합된두꺼운실리콘을고단면비로가공하는마이크로관성센서의제작방법을기재한다. 본발명에따른마이크로관성센서제작방법은유리기판위에실리콘을본딩해서본딩된실리콘을원하는두께로연마한다음, 연마된실리콘을 RIE로식각해서구조체를형성하고, 그리고식각된실리콘의홈을통해서실리콘구조체의바닥부분의유리를선택적으로식각해서실리콘구조물을바닥과분리시키는방법으로, 유리와접합된두꺼운실리콘을고단면비로가공하므로서측정면적과두께가커지고, 마스크를하나만사용하는간단한공정이다.

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