公开(公告)号：WO2016122945A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/US2016/014143

申请日：2016-01-20

Applicant: INVENSENSE, INC.

Inventor： SMEYS, Peter ,  SHIN, Jong II ,  SHIN, Jongwoo

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: A MEMS device is disclosed. The MEMS device includes a first substrate. At least one structure is formed within the first substrate. The first substrate includes at least one first conductive pad thereon. The MEMS device also includes a second substrate. The second substrate includes a passivation layer. The passivation layer includes a plurality of layers. A top layer of the plurality of layers comprises an outgassing barrier layer. At least one second conductive pad and at least one electrode are coupled to the top layer. At least one first conductive pad is coupled to the at least one second conductive pad.

Abstract translation: 公开了MEMS器件。 MEMS器件包括第一衬底。 在第一基板内形成至少一个结构。 第一衬底包括至少一个第一导电焊盘。 MEMS器件还包括第二衬底。 第二基板包括钝化层。 钝化层包括多个层。 多个层的顶层包括除气阻挡层。 至少一个第二导电焊盘和至少一个电极耦合到顶层。 至少一个第一导电焊盘耦合到所述至少一个第二导电焊盘。

公开(公告)号：WO2016069575A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/US2015/057534

申请日：2015-10-27

Applicant: GENERAL ELECTRIC COMPANY

Inventor： KAPUSTA, Christopher ,  AIMI, Marco

IPC: G01R33/28 ,  G01R33/20

CPC classification number: C23C28/023 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3013 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/037 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/58 ,  C23C28/021 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00 ,  C25D3/50 ,  C25D7/123

Abstract: A non-magnetic lid for sealing a hermetic package. The lid includes a molybdenum substrate having a sputtered adhesion layer and a copper seed layer. The lid also includes a plated palladium solder base layer, and has gold/tin solder preforms attached to a sealing surface of the lid.

Abstract translation: 用于密封密封包装的非磁性盖。 盖包括具有溅射粘附层和铜籽晶层的钼基板。 盖子还包括镀钯钯基底层，并且具有附着到盖的密封表面上的金/锡焊料预成型件。

公开(公告)号：WO2016065857A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/CN2015/076636

申请日：2015-04-15

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 季春燕 ,  杨添

IPC: B81C1/00 ,  H01L41/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  F24S25/30 ,  F24S25/636 ,  F24S2025/016 ,  F24S2025/801 ,  F24S2025/807 ,  G01F1/56 ,  G01J1/42 ,  H02S20/00 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种微型传感器本体的制造方法，包括以下步骤：S1：在基板（10）上涂布湿润胶体材料形成胶体层（20），在胶体层（20）的表面覆盖一层一维纳米线膜（30），形成传感器胚体；S2：干燥传感器胚体的胶体层（20），使胶体层（20）开裂形成多个胶体岛（21），一维纳米线膜（30）一部分收缩形成粘附在胶体岛（21）表面的收缩膜片（32），另一部分拉伸形成连接在相邻收缩膜片（32）之间的连接结构（33）。还提供一种微型传感器本体，包括基板（10），贴附在基板（10）上的多个胶体岛（21），贴附在多个胶体岛（21）上的触发网（31），触发网（31）包括多个粘附在胶体岛（21）表面的收缩膜片（32）以及连接在相邻收缩膜片（32）之间的连接结构（33）。以及一种包括上述微型传感器本体的微型传感器。所述传感器本体中，收缩膜片与连接结构由一维纳米线膜抻拉而成，两者连接稳定性好，提高了传感器件的稳定性；使用裂化的方法，容易获得大规模稳定悬浮的连接结构阵列传感器本体。

公开(公告)号：WO2016040897A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/US2015/049832

申请日：2015-09-11

Applicant: INVENSENSE, INC.

Inventor： HUANG, Anatole ,  SHIN, Jongwoo ,  SMEYS, Peter ,  ZHANG, Cerina ,  SHIN, Jong II

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0172 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785

Abstract: A MEMS device having a channel configured to avoid particle contamination is disclosed. The MEMS device includes a MEMS substrate and a base substrate. The MEMS substrate includes a MEMS device area, a seal ring and a channel. The seal ring provides for dividing the MEMS device area into a plurality of cavities, wherein at least one of the plurality of cavities includes one or more vent holes. The channel is configured between the one or more vent holes and the MEMS device area. Preferably, the channel is configured to minimize particles entering the MEMS device area directly. The base substrate is coupled to the MEMS device substrate.

Abstract translation: 公开了具有被配置为避免颗粒污染的通道的MEMS器件。 MEMS器件包括MEMS衬底和基底衬底。 MEMS衬底包括MEMS器件区域，密封环和沟道。 密封环提供将MEMS器件区域分成多个空腔，其中多个空腔中的至少一个包括一个或多个通气孔。 通道配置在一个或多个通气孔和MEMS器件区域之间。 优选地，通道被配置为使直接进入MEMS器件区域的颗粒最小化。 基底衬底耦合到MEMS器件衬底。

公开(公告)号：WO2015192871A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/EP2014/062551

申请日：2014-06-16

Applicant: EPCOS AG ,  COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： HENN, Gudrun ,  GIESEN, Marcel ,  DEN DEKKER, Arnoldus ,  PORNIN, Jean-Louis ,  SAINT-PATRICE, Damien ,  REIG, Bruno

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: The present invention concerns a microelectronic package (1) comprising a microelectronic structure (2) having at least a first opening (3) and defining a first cavity (4), a capping layer (9) having at least a second opening (10) and defining a second cavity (11) which is connected to the first cavity (4), wherein the capping layer (9) is arranged over the microelectronic structure (2) such that the second opening (10) is arranged over the first opening (3), and a sealing layer (13) covering the second opening (10), thereby sealing the first cavity (4) and the second cavity (11). Moreover, the present invention concerns a method of manufacturing the microelectronic package (1).

Abstract translation: 本发明涉及包括具有至少第一开口（3）并限定第一空腔（4）的微电子结构（2）的微电子封装（1），具有至少第二开口（10）的封盖层（9） 并且限定连接到所述第一腔体（4）的第二空腔（11），其中所述覆盖层（9）布置在所述微电子结构（2）上方，使得所述第二开口（10）布置在所述第一开口 3）和覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔（4）和第二腔（11）。 此外，本发明涉及一种制造微电子封装（1）的方法。

公开(公告)号：WO2015043989A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/EP2014/069574

申请日：2014-09-15

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Inventor： DIRKSEN, Peter ,  MULDER, Marcel ,  LEEUWESTEIN, Adriaan

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H02N1/006

Abstract: Disclosed is a method of manufacturing a capacitive micro-machined ultrasonic transducer (CMUT) device comprising a first electrode (112) on a substrate (110) and a second electrode (122) embedded in an electrically insulating membrane, the first electrode and the membrane being separated by a cavity (130) formed by the removal of a sacrificial material (116) in between the first electrode and the membrane, the method comprising forming a membrane portion (22) on the second electrode and a further membrane portion (24) extending from the membrane portion towards the substrate alongside the sacrificial material, wherein the respective thicknesses the membrane portion and the further membrane portion exceed the thickness of the sacrificial material prior to forming said cavity. A CMUT device manufactured in accordance with this method and an apparatus comprising such a CMUT device are also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种制造电容微加工超声波换能器（CMUT）装置的方法，该装置包括在基板（110）上的第一电极（112）和嵌入电绝缘膜中的第二电极（122），第一电极和膜 由通过在第一电极和膜之间移除牺牲材料（116）而形成的空腔（130）隔开，所述方法包括在所述第二电极上形成膜部分（22）和另外的膜部分（24） 在牺牲材料旁边从膜部朝向衬底延伸，其中在形成所述空腔之前，膜部分和另外的膜部分超过牺牲材料的厚度的相应厚度。 还公开了根据该方法制造的CMUT装置和包括这种CMUT装置的装置。

公开(公告)号：WO2014179340A2

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/US2014/035920

申请日：2014-04-29

Applicant: THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL

Inventor： CAHOON, James ,  CHRISTESEN, Joseph ,  PINION, Christopher

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2201/0176 ,  G01Q60/38 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/16 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/09 ,  Y02E10/50

Abstract: Methods of chemically encoding high-resolution shapes in silicon nanowires during metal nanoparticle catalyzed vapor-liquid-solid growth or vapor-solid-solid growth are provided. In situ phosphorus or boron doping of the silicon nanowires can be controlled during the growth of the silicon nanowires such that high-resolution shapes can be etched along a growth axis on the silicon nanowires. Nanowires with an encoded morphology can have high-resolution shapes with a size resolution of about 1,000 nm to about 10 nm and comprise geometrical shapes, conical profiles, nanogaps and gratings.

Abstract translation: 提供了在金属纳米粒子催化的气 - 液 - 固 - 固生长或蒸气固 - 固生长期间化学编码硅纳米线中的高分辨率形状的方法。 硅纳米线的原位磷掺杂或硼掺杂可以在硅纳米线生长期间被控制，使得高分辨率形状可以沿着硅纳米线上的生长轴被蚀刻。 具有编码形态的纳米线可以具有尺寸分辨率为约1,000nm至约10nm的高分辨率形状，并且包括几何形状，圆锥形轮廓，纳米间隙和光栅。

公开(公告)号：WO2014123922A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/US2014/014705

申请日：2014-02-04

Applicant: BUTTERFLY NETWORK, INC.

Inventor： ROTHBERG, Jonathan, M. ,  FIFE, Keith, G. ,  RALSTON, Tyler, S. ,  CHARVAT, Gregory, L. ,  SANCHEZ, Nevada, J.

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B06B1/02 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  G10K9/12 ,  G10K11/18

Abstract: CMOS Ultrasonic Transducers and processes for making such devices are described. The processes may include forming cavities on a first wafer and bonding the first wafer to a second wafer. The second wafer may be processed to form a membrane for the cavities. Electrical access to the cavities may be provided.

Abstract translation: 描述了CMOS超声波传感器及其制造方法。 所述方法可以包括在第一晶片上形成空腔并将第一晶片接合到第二晶片。 可以处理第二晶片以形成用于空腔的膜。 可以提供对腔的电接入。

公开(公告)号：WO2012108316A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/JP2012/052255

申请日：2012-02-01

Applicant: 株式会社フジクラ ,  技術研究組合BEANS研究所 ,  国立大学法人東京大学 ,  額賀 理 ,  山本 敏 ,  田端 和仁 ,  杉山 正和

Inventor： 額賀　理 ,  山本　敏 ,  田端　和仁 ,  杉山　正和

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/40 ,  B81C99/00 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00

CPC classification number: B81C1/00547 ,  B23K26/0054 ,  B32B3/266 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00507 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0143 ,  C03C15/00 ,  C03C23/0025 ,  Y10T428/24273

Abstract: 微細孔を有する基体の製造方法であって、基体の内部において、ピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有する第一のレーザー光の焦点を走査して、少なくとも１つの第一改質部および第二改質部を形成し、前記基体の内部においてピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有する第二のレーザー光の焦点を走査して、複数個の第三改質部および第四改質部からなる、周期的な改質群を形成し、前記第一改質部および前記第二改質部と前記改質群とが重なるように、或いは、接するように形成された基体を得て、前記第一改質部および前記第三改質部をエッチングによって除去して前記微細孔を形成することを特徴とする微細孔を有する基体の製造方法。

Abstract translation: 具有微孔的基板的制造方法的特征在于，通过在基板内扫描具有微秒级以下的脉冲持续时间的第一激光束的焦点，形成至少一个第一重整部分和一个第二重整部分，形成 通过在衬底内扫描具有脉波持续时间为微微秒或更小的脉冲持续时间的第二激光束的焦点，从多个第三重整部分和多个第四重整部分构成的周期性重整组，获得其中第一重整 部分，第二重整部分和重整体组合形成为彼此重叠或彼此接触，并且通过蚀刻去除第一重整部分和第三重整部分而形成微孔。

公开(公告)号：WO2009117243A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/US2009/035861

申请日：2009-03-03

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  MILLWARD, Dan, B. ,  QUICK, Timothy

Inventor： MILLWARD, Dan, B. ,  QUICK, Timothy

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76828 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  C08F299/02 ,  C08F299/0492 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: Methods for fabricating sublithographic, nanoscale microstructures utilizing self-assembling block copolymer, and films and devices formed from these methods are provided.

Abstract translation: 提供了利用自组装嵌段共聚物制造亚光刻，纳米级微结构的方法，以及由这些方法形成的膜和器件。